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明年上半年DRAM吃緊、NAND恐供大于求

  • DRAM 與 NAND Flash 市場今年都處于供不應(yīng)求狀態(tài)，產(chǎn)品價(jià)格同步高漲，而明年上半年將轉(zhuǎn)為供過于求。
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明年上半年DRAM吃緊、NAND恐供大于求

  • 　　內(nèi)存明年市況恐將不同調(diào)，DRAM市場仍將持續(xù)吃緊，NAND Flash市場則將于明年上半年轉(zhuǎn)為供過于求。 　　DRAM 與 NAND Flash 市場今年都處于供不應(yīng)求狀態(tài)，產(chǎn)品價(jià)格同步高漲，只是業(yè)界普遍預(yù)期，明年 DRAM 與 NAND Flash 市況恐將不同調(diào)。 　　內(nèi)存模塊廠創(chuàng)見指出，DRAM 市場供貨持續(xù)吃緊，價(jià)格未見松動(dòng)跡象。 NAND Flash 方面，隨著 3D NAND Flash 技術(shù)日益成熟，生產(chǎn)良率改善，可望填補(bǔ)供貨缺口。 　　另一內(nèi)存模塊廠威剛表示，短期內(nèi)全球 DRAM
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5nm工藝可能無法實(shí)現(xiàn)？存儲(chǔ)器除了3D NAND還有其他選擇？看這4個(gè)技術(shù)老兵怎么說

  • 　　5nm以下的工藝尺寸縮減邏輯;DRAM、3DNAND和新型存儲(chǔ)器的未來;太多可能解決方案帶來的高成本。 　　近日，外媒SE組織了一些專家討論工藝尺寸如何繼續(xù)下探、新材料和新工藝的引入帶來哪些變化和影響，專家團(tuán)成員有LamResearch的首席技術(shù)官RickGottscho、GlobalFoundries先進(jìn)模塊工程副總裁MarkDougherty、KLA-Tencor的技術(shù)合伙人DavidShortt、ASML計(jì)算光刻產(chǎn)品副總裁GaryZhang和NovaMeasuringInstruments的首
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再進(jìn)一步，三星發(fā)布最強(qiáng)10nmDRAM芯片

  • 　　根據(jù)三星最新財(cái)報(bào)顯示，三星Q3凈利潤更是高達(dá)98.7億美元，增長145%，季度凈利直逼蘋果，成為世界最賺錢的兩家公司之一。而耀眼財(cái)報(bào)的背后，其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)起著舉足輕重的作用。 　　昨日半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)曝出一條最大新聞——“ 三星電子全球首發(fā)第二代10納米級(jí)DRAM產(chǎn)品。” 　　三星在聲明中稱，這是全球第一個(gè)第二代10納米級(jí)8Gb DDR4 DRAM芯片，擁有強(qiáng)化的節(jié)能效率和資料處理效能，將鎖定云端運(yùn)算中心、移動(dòng)設(shè)備和高速繪圖卡等高階大數(shù)據(jù)處理的電子設(shè)備。
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  

三星DRAM“霸主”地位難撼動(dòng)！已開發(fā)出全球最小DRAM內(nèi)存芯片

  • 　　繼 2016 年 2 月三星使用第一代 10nm 制程工藝生產(chǎn)出了 8Gb DDR4 芯片之后，三星電子今日又宣布已開始通過第二代 10nm 制程工藝生產(chǎn) 8Gb DDR4 芯片。另據(jù)路透社報(bào)道，三星開發(fā)的 8Gb DDR4 芯片是“全球最小”的 DRAM 芯片。 　　據(jù)悉，和第一代 10nm 工藝相比，三星第二代 10nm 工藝的產(chǎn)能提高了 30%，有助于公司滿足全球客戶不斷飆升的 DRAM 芯片需求。此外，第二代 10nm 芯片不僅比第一代快 10%，同時(shí)功耗又降低了 1
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第四季DRAM銷售額預(yù)估年增65%,明年首季確定再漲

  • 　　DRAM 內(nèi)存市場近期嚴(yán)重供不應(yīng)求，造成全球內(nèi)存龍頭三星將于 2018 年第 1 季價(jià)格再上調(diào) 3% 至 5%。 而另一家內(nèi)存大廠 SK 海力士也將調(diào)漲約 5%。 除此之外，有部分供應(yīng)鏈透露，2018 年第 2 季的價(jià)格恐也將不樂觀，價(jià)格將續(xù)漲 5% 以上。 因此，在需求太強(qiáng)勁的情況下，此波 DRAM 價(jià)格從 2016年下半年以來，每季都呈現(xiàn)上漲的態(tài)勢。 如果加上 2018 年第 1 季持續(xù)漲價(jià)，報(bào)價(jià)已經(jīng)連續(xù) 7 季走揚(yáng)，堪稱 DRAM 史上時(shí)間最長的多頭行情。 　　事實(shí)上，當(dāng)前的第 4 季是傳統(tǒng)
  • 關(guān)鍵字： DRAM  DDR4   

第四季DRAM銷售額預(yù)估年增65%，再寫史上新高

  • 　　今年內(nèi)存供給吃緊，推升價(jià)格持續(xù)走揚(yáng)，研調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights預(yù)期第四季DRAM銷售金額將創(chuàng)歷史新高。 　　據(jù)IC Insights估計(jì)，第四季DRAM銷售金額將來到211億美元，較去年同期跳增65%，且是有史以來最佳記錄。 　　全年來看，DRAM市場預(yù)估成長74%，較1993-2017年平均水平高61個(gè)百分點(diǎn)，也是繼1994年成長78%以來最強(qiáng)成長動(dòng)能。 　　許多因素造就今年內(nèi)存走大多頭，當(dāng)中包含近幾年主要內(nèi)存廠刻意節(jié)制擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)作，同期間剛好又遇上數(shù)據(jù)中心、行動(dòng)與游戲設(shè)備對(duì)高效能內(nèi)存的需求大
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中國反壟斷機(jī)構(gòu)關(guān)注DRAM連漲七個(gè)季度,何處是盡頭?

  • 圍繞著此輪DRAM產(chǎn)業(yè)的上漲行情，無論是“供需論”還是“壟斷說”，在DRAM一路瘋漲的背后，展現(xiàn)的是耐人尋味的眾生相，有需求者的無奈，領(lǐng)軍者的得意，入局者的尷尬以及監(jiān)管者的警覺。
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南亞科：明年DRAM市場穩(wěn)健，Q1供貨仍吃緊

  • 　　今年DRAM市場強(qiáng)勁成長，南亞科技(2408)預(yù)期2017年第四季及2018年第一季供貨將持續(xù)吃緊，DRAM平均銷售單價(jià)走勢穩(wěn)健;展望2018，預(yù)期明年整體DRAM市場供需均衡且健康，市場將持續(xù)維持穩(wěn)健。 　　隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、智能汽車、高速運(yùn)算等應(yīng)用，促進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)更多元發(fā)展，DRAM成為電子產(chǎn)品的關(guān)鍵組件，帶動(dòng)今年內(nèi)存市場強(qiáng)勁成長逾50%。 　　展望2018年，南亞科預(yù)期DRAM資本支出主要用于先進(jìn)制程轉(zhuǎn)換及維持原有月產(chǎn)能，DRAM位年成長率在20%~25%，預(yù)估2018年需求將較2017
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研調(diào)：預(yù)計(jì)2017年DRAM市場銷售額增長74％至720億美元

  • 　　縱觀2017年，隨著數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器、智能手機(jī)和其他移動(dòng)產(chǎn)品對(duì)DRAM需求不斷提升，DRAM產(chǎn)能供不應(yīng)求，平均售價(jià)也在持續(xù)上漲。如圖1所示，IC Insights預(yù)計(jì)2017年第四季度DRAM銷售額將增至211億美元的歷史最好成績，與2016年第四季度的128億美元相比增長65%。 　　圖1 2015Q1-2017Q4的DRAM季度營收 　　IC Insights預(yù)計(jì)2017年全年DRAM的銷售額將達(dá)720億美元，年增長率達(dá)74%。這是自1993年(1994年的年增長率為78%)以來的歷史最好
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2021年全球IC市場規(guī)模4345億美元 汽車與物聯(lián)網(wǎng)IC應(yīng)用成長最快

  • 　　調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights最新報(bào)告預(yù)估，全球整體IC市場規(guī)模將由2016年的2,977億美元，成長為2021年的4,345億美元。合計(jì)2016~2021年規(guī)模年復(fù)合成長率(CAGR)為7.9%。 　　在12類IC終端應(yīng)用主要產(chǎn)品中，僅游戲機(jī)與平板電腦產(chǎn)品用IC市場規(guī)模會(huì)出現(xiàn)下滑，其余如汽車、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)連結(jié)、手機(jī)等IC應(yīng)用市場規(guī)模都會(huì)呈現(xiàn)成長。其中以車用與物聯(lián)網(wǎng)連結(jié)用IC市場規(guī)模成長最快，成長幅度較整體IC高出70%。 　　預(yù)估2017年全球車用IC市場規(guī)模，將繼2016年成長11%(達(dá)2
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DRAM下季度再漲5%,已連漲七季歷史最長

  • 　　DRAM嚴(yán)重供不應(yīng)求，三星明年首季再漲價(jià)3%至5%之后，SK海力士 下季也將漲價(jià)約5%，全球DRAM價(jià)格連續(xù)七季上揚(yáng)，是歷來漲勢最久的一次。 　　業(yè)界解讀，三星、海力士下季漲價(jià)態(tài)度堅(jiān)決，等于向全球宣告，韓系大廠決定維持DRAM價(jià)格持穩(wěn)不墜的決心，消除外界認(rèn)為兩大韓廠打算調(diào)降售價(jià)格，防止中國DRAM競爭對(duì)手竄起的流言。 　　手機(jī)中國聯(lián)盟秘書長王艷輝認(rèn)為，有人說三星瘋狂擴(kuò)產(chǎn)存儲(chǔ)器是為了將中國存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)扼殺在萌芽，有點(diǎn)太看得起自己，雖然明年大陸存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)開始進(jìn)入試產(chǎn)階段，要與三星、海力士抗衡，至少還需要
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馮丹：憶阻器RRAM最有希望取代DRAM

  • 　　日前，一年一度的中國存儲(chǔ)峰會(huì)在北京如期舉行，“數(shù)據(jù)中流擊水，浪遏飛舟”是今年大會(huì)主題，論道存儲(chǔ)未來，讓數(shù)據(jù)釋放價(jià)值，業(yè)界嘉賓圍繞中國及全球存儲(chǔ)市場的現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢進(jìn)行了深入解讀，干貨滿滿。下午第三分論壇，中國計(jì)算機(jī)協(xié)會(huì)信息存儲(chǔ)專委會(huì)主任馮丹作為開場嘉賓，就算存融合的憶阻器發(fā)展趨勢及RRAM(阻變存儲(chǔ)器)性能優(yōu)化方法展開主題演講。馮丹表示，當(dāng)前憶阻器呈現(xiàn)出大容量、計(jì)算與存儲(chǔ)深度融合的發(fā)展趨勢，而RRAM容量很大，速度快、能耗低，RRAM也認(rèn)為是下一代代替DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)
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DRAM下季度再漲5%,已連漲七季歷史最長

  • 　　DRAM嚴(yán)重供不應(yīng)求，三星明年首季再漲價(jià)3%至5%之后，SK海力士 下季也將漲價(jià)約5%，全球DRAM價(jià)格連續(xù)七季上揚(yáng)，是歷來漲勢最久的一次。 　　業(yè)界解讀，三星、海力士下季漲價(jià)態(tài)度堅(jiān)決，等于向全球宣告，韓系大廠決定維持DRAM價(jià)格持穩(wěn)不墜的決心，消除外界認(rèn)為兩大韓廠打算調(diào)降售價(jià)格，防止中國DRAM競爭對(duì)手竄起的流言。 　　手機(jī)中國聯(lián)盟秘書長王艷輝認(rèn)為，有人說三星瘋狂擴(kuò)產(chǎn)存儲(chǔ)器是為了將中國存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)扼殺在萌芽，有點(diǎn)太看得起自己，雖然明年大陸存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)開始進(jìn)入試產(chǎn)階段，要與三星、海力士抗衡，至少還需要
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三星260億美元的豪賭：想壟斷DRAM和NAND閃存市場

  • 三星在DRAM和閃存市場占有半壁江山。它計(jì)劃明年將其在生產(chǎn)方面的資本支出預(yù)算提到1.5倍，提高至260億美元。
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  
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