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威剛:DRAM缺貨延續(xù)至明年第2季
- 臺灣內(nèi)存模塊廠威剛指出,由于服務(wù)器、智能手機及 PC 等 3 大市場在下半年需求陸續(xù)回溫, DDR4 在需求面三箭齊發(fā)下處于全面性的嚴(yán)重缺貨。 不但價格持續(xù)走揚,PC 大廠及渠道客戶也積極備貨,NAND Flash 閃存也在中國智能手機大廠積極備貨的推動下,價格仍呈多頭格局。 威剛進一步指出,在國際數(shù)據(jù)中心大廠對 DRAM 需求快速擴張之下,全球 DRAM 廠 2017 年皆無新增產(chǎn)線的投入,上游 DRAM 廠多以移轉(zhuǎn) PC DRAM 產(chǎn)能因應(yīng),導(dǎo)致 PC DRAM 供給面臨嚴(yán)重的產(chǎn)能排擠效應(yīng),
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分析師:顯卡價格將水漲船高 短期不可能回落
- AMD今年的新顯卡系列在性能上能與老對手NVIDIA的產(chǎn)品相匹敵,因此不少人覺得雙方的競爭會拉低顯卡價格。但是,分析師卻并不這么認為。 日本瑞穗金融集團分析師Vijay Rakesh認為,NVIDIA顯卡在下季度不僅會需求高漲,銷量可能也會超過預(yù)期30-50%之多。但這些需求增長并非來自于游戲玩家,而是加密貨幣礦工。 由于需求增長幅度如此之高,供應(yīng)鏈也遭遇了非常大的壓力,因為制造顯卡所需的DRAM已經(jīng)開始出現(xiàn)短缺。根據(jù)行業(yè)研究公司ICInsight的預(yù)計,DRAM的每比特價格將提高40%,
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晉華明年第四季完成DRAM第一階段開發(fā)
- 聯(lián)電和兩名員工遭到內(nèi)存大廠美光指控妨礙營業(yè)秘密,并遭到臺中地檢署起訴,共同總經(jīng)理簡山杰認為是遭到「商業(yè)間諜」構(gòu)陷入罪,但強調(diào)DRAM計劃不變,將于明年第4季完成第一階段技術(shù)開發(fā)。 聯(lián)電DRAM項目主要與福建晉華合作。 簡山杰表示,對于司法中的案件原本不應(yīng)多言,但聯(lián)電極有可能碰到所謂的「商業(yè)間諜」,高度懷疑「帶槍投靠」是假的,可能「構(gòu)陷入罪」才是真。 簡山杰質(zhì)疑,主要涉案員工夫婦本來都在美光上班,其中先生去年4月主動跳槽聯(lián)電;據(jù)說,遭檢方搜索以后,妻子就被美光停職;涉案人全數(shù)認罪后,妻子就復(fù)
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看RRAM如何“智斗”NAND flash和DRAM
- 你如果問當(dāng)前內(nèi)存市場是誰的天下?那么答案一定是DRAM、NAND flash、NOR flash,三者牢牢控制著內(nèi)存市場,當(dāng)前都處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。不過,在內(nèi)存天下三分的大背景下,新一代存儲技術(shù)3D X-point、MRAM、RRAM等開始發(fā)出聲音, RRAM非易失性閃存技術(shù)是其中進展較快的一個。到目前為止,RRAM的發(fā)展進程已經(jīng)超越了英特爾的3D X-point技術(shù), Crossbar公司市場和業(yè)務(wù)拓展副總裁Sylvain Dubois在2017中芯國際技術(shù)研討會上接受與非網(wǎng)的采訪時說:&ldquo
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將DRAM技術(shù)根留臺灣的聯(lián)電 為何硬被扣上竊密罪
- 聯(lián)電日前與大陸福建晉華合作開發(fā)DRAM技術(shù)的案子中,因有美光(Micron)的離職員工將技術(shù)帶到聯(lián)電任職,不只是員工個人被起訴,聯(lián)電也被臺中地檢署根據(jù)違反營業(yè)秘密法而被起訴,理由是“未積極防止侵害他人營業(yè)秘密”,因此視為共犯。 我們可以從三大層面來探討聯(lián)電和大陸合作開發(fā)DRAM技術(shù)的案子。第一,臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在這個合作案當(dāng)中,損失了什么?;第二,聯(lián)電在建立DRAM自主技術(shù)的過程中,有無竊取美光技術(shù)?;第三,如果企業(yè)沒有教唆員工竊密,只因為“未積極防范&rdqu
- 關(guān)鍵字: DRAM 聯(lián)電
2018年DRAM產(chǎn)業(yè)供給年成長預(yù)估僅19.6%,延續(xù)供給吃緊走勢
- 隨著時序已近2017年第四季,三大DRAM廠已陸續(xù)在下半年召開針對明年產(chǎn)能規(guī)劃的年度戰(zhàn)略會議,根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查,2018年各DRAM廠的資本支出計劃皆傾向保守,意味著產(chǎn)能擴張甚至技術(shù)轉(zhuǎn)進都將趨緩,除了欲將價格維持在今年下半年的水平,持續(xù)且穩(wěn)定的獲利也將是明年首要目標(biāo),預(yù)估2018年DRAM產(chǎn)業(yè)的供給年成長率為19.6%,維持在近年來的低點,加上2018年整體DRAM需求端年成長預(yù)計將達20.6%,供給吃緊的態(tài)勢將延續(xù)。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳
- 關(guān)鍵字: DRAM
2018年DRAM產(chǎn)業(yè)供給年成長預(yù)估僅19.6%,延續(xù)供給吃緊走勢
- 隨著時序已近2017年第四季,三大DRAM廠已陸續(xù)在下半年召開針對明年產(chǎn)能規(guī)劃的年度戰(zhàn)略會議,根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查,2018年各DRAM廠的資本支出計劃皆傾向保守,意味著產(chǎn)能擴張甚至技術(shù)轉(zhuǎn)進都將趨緩,除了欲將價格維持在今年下半年的水平,持續(xù)且穩(wěn)定的獲利也將是明年首要目標(biāo),預(yù)估2018年DRAM產(chǎn)業(yè)的供給年成長率為19.6%,維持在近年來的低點,加上2018年整體DRAM需求端年成長預(yù)計將達20.6%,供給吃緊的態(tài)勢將延續(xù)。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳
- 關(guān)鍵字: DRAM 美光
臺專家:中國半導(dǎo)體發(fā)展模式的探討
- 大陸半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展進程在歷經(jīng)萌芽期、自力更生的初創(chuàng)時期、改革開放前的起步探索時期、改革開放初期的開發(fā)引進時期、全面布局的重點建設(shè)時期、高速發(fā)展期等階段之后,2014年迄今持續(xù)處于黃金發(fā)展期,當(dāng)中2014年6月國務(wù)院發(fā)布的《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》、國家集成電路大基金,更成為中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展最大的轉(zhuǎn)捩點。 爾后不論是中國制造2025、十三五規(guī)劃等新世紀(jì)發(fā)展戰(zhàn)略的帶動,或是2017年1月工業(yè)和資訊化部、國家發(fā)改委正式宣布《資訊產(chǎn)業(yè)發(fā)展指南》,確定集成電路等九大資訊產(chǎn)業(yè)將是
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 DRAM
美光:未來兩季 DRAM供不應(yīng)求
- 美光全球制造副總裁艾倫昨(6)日表示,未來兩季DRAM仍是供不應(yīng)求,產(chǎn)業(yè)仍處于健康穩(wěn)定狀態(tài)。 他強調(diào),美光在上季公布財報時也預(yù)估本季營收和獲利展望,同時看好DRAM和儲存型閃存(NANDFlash)未來營運表現(xiàn)。目前DRAM和NANDFlash需求非常強勁,但供應(yīng)端產(chǎn)能提升的速度仍無法滿足市場需求,預(yù)估未來兩季,DRAM仍供不應(yīng)求,產(chǎn)業(yè)處于健康狀態(tài)。 艾倫指出,美光目前在DRAM的投資策略,著眼于制程技術(shù)推進,短期內(nèi)不會增建新廠。目前其他二家主要DRAM制造大廠,包括三星、SK海力士,也是
- 關(guān)鍵字: 美光 DRAM
聚焦20納米DRAM!華邦電111億美元建新廠 規(guī)劃每月4萬片產(chǎn)能
- 中國臺灣地區(qū)DRAM大廠華邦電5日宣布,在南科投資新廠的計劃已經(jīng)獲得臺灣科技部科學(xué)工業(yè)園區(qū)審議委員會的核準(zhǔn),總投資金額達新臺幣3,350億元(約合111億美元)。若以之前華邦電董事長焦佑鈞所說,建廠時間預(yù)計3年的情況下,則新廠2020年將可進入投產(chǎn)。 華邦電為臺灣地區(qū)的DRAM大廠,目前僅有中科的一座12寸廠。2016年的年產(chǎn)能約4.3萬片,2017年年底將擴增至4.8萬片,2018年底則擴增到5.3萬片。未來,最大的擴充能量到5.5萬片時就已經(jīng)將當(dāng)前臺中廠的剩余空間給全部用光。 因此,面
- 關(guān)鍵字: 華邦電 DRAM
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