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第二季NAND Flash品牌廠營收季成長8%，第三季價格續(xù)揚

  • 　　集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，今年第二季整體NAND Flash市況持續(xù)受到供貨吃緊的影響，即便處于傳統(tǒng)NAND Flash的淡季，各產(chǎn)品線合約價平均仍有3-10%的季增水平。由于第三季智能手機(jī)與平板計算機(jī)內(nèi)的eMMC/UFS以及SSD合約價仍持續(xù)小漲，2017年將是NAND Flash廠商營收表現(xiàn)成果豐碩的一年。 　　DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出，由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面臨微縮限制，NAND Flash原廠紛紛轉(zhuǎn)進(jìn)垂直堆棧
  • 關(guān)鍵字： NAND  東芝  

DIGITIMES：聲光暫掩的大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展近況

  • 　　開年以來大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展似乎進(jìn)入沉潛期。首先是年初長江存儲CEO楊士寧鄭重發(fā)布新聞稿澄清，表示從未發(fā)表過32層3DNANDFlash今年量產(chǎn)的消息。接下來是中芯國際董事長周子學(xué)表達(dá)的大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展“三步走”(注1)，指出要花至少15年的時間，大陸才能發(fā)展出比較有市場競爭力的企業(yè)主體。再來是最近紫光集團(tuán)表示，由于長江存儲的存儲器芯片工廠專案投資規(guī)模過大，目前尚處于建設(shè)初期，短期無法產(chǎn)生銷售收入，時機(jī)不成熟，停止收購長江存儲的股份。雖然似乎大陸整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)持續(xù)其發(fā)展動能，但
  • 關(guān)鍵字： 摩爾定律  NAND  

三大內(nèi)存創(chuàng)最缺且漲勢最久紀(jì)錄，手機(jī)品牌包產(chǎn)能

  • 　　DRAM、NAND Flash及NOR Flash三大內(nèi)存會一直缺貨到明年，許多客戶搶貨，已包下南亞科、旺宏和華邦電全部產(chǎn)能。 業(yè)界指出，未簽訂長約的客戶，內(nèi)存供貨將短缺，沖擊產(chǎn)品上市或出貨時程。 　　集邦、IC Insight等研究機(jī)構(gòu)最近紛紛出具報告，強(qiáng)調(diào)DRAM、NAND Flash到年底都處于缺貨狀態(tài);NOR Flash更因美系二大供貨商淡出效應(yīng)在下半年顯現(xiàn)，缺貨問題更嚴(yán)重。 　　業(yè)界表示，三大內(nèi)存應(yīng)用范圍廣，尤其NOR Flash幾乎是各電子產(chǎn)品儲存程序代碼關(guān)鍵組件，雖然單價遠(yuǎn)比DRAM
  • 關(guān)鍵字： NAND  DRAM  

各家爭鳴存儲器技術(shù)標(biāo)準(zhǔn) 儲存技術(shù)之爭再掀戰(zhàn)火

  • 　　在2017年快閃存儲器高峰會(Flash Memory Summit)上，可見各主要NAND Flash供應(yīng)商持續(xù)推出更新式存儲器芯片以期能主導(dǎo)競爭優(yōu)勢，幾乎各主要供應(yīng)商也都在談?wù)摵喕疐lash儲存系統(tǒng)內(nèi)建軟件的必要性，以減少應(yīng)用在資料中心時出現(xiàn)的延遲問題，以及試圖定義固態(tài)硬盤(SSD)全新尺寸標(biāo)準(zhǔn)，另值得注意的是，本屆大會上甚至連主要硬盤(HD)制造商，都已幾乎不在主題演說中提及硬盤相關(guān)技術(shù)資訊或發(fā)展趨勢。 　　根據(jù)科技網(wǎng)站EE Times報導(dǎo)，在本屆大會上，三星電子(Samsung Electr
  • 關(guān)鍵字： 存儲器  NAND  

3D NAND究竟出了什么問題？

  • 3D NAND比平面NAND更昂貴，但大家都期待它將有助于快速地降低NAND的成本，以及取代平面NAND，這是為什么呢?
  • 關(guān)鍵字： 3D NAND  存儲器  

具有劃時代意義的芯片匯總，賽靈思FPGA和東芝NAND閃存在列

  • 　　對大多數(shù)人來說，微芯片是一些長著小小的金屬針，標(biāo)著看似隨機(jī)的字母或數(shù)字的字符串的黑盒子。但是對那些懂的人來說，有些芯片就像名人一樣站在紅毯上。有許多這樣的集成電路直接或間接地為改變世界的產(chǎn)品賦能，從而得到榮耀，也有一些芯片對整個計算環(huán)境造成了長期的影響。也有一些，它們的雄心壯志失敗后成為警世的故事?！　榱思o(jì)念這些偉大的芯片，并講述它們背后的人和故事，IEEE Spectrum 制作了這個“芯片名人堂”(Chip Hall of Fame)。登堂的是7
  • 關(guān)鍵字： FPGA  NAND  

1Tb V-NAND內(nèi)存即將面世

  • 　　三星計劃在明年推出容量達(dá)1-Tbit的V-NAND芯片，以及采用其現(xiàn)有芯片的高密度固態(tài)硬盤。 　　三星(Samsung)計劃明年推出容量達(dá)1-Tbit的3D-NAND芯片——V-NAND，以及采用其現(xiàn)有芯片的高密度固態(tài)硬盤(SSD)。 該公司并表示，去年發(fā)表的Z-NAND產(chǎn)品也開始出樣，據(jù)稱這款產(chǎn)品能夠達(dá)到媲美或超越英特爾(Intel) 3DXP內(nèi)存的低延遲能力。 　　三星的Tbit NAND可支持高達(dá)每秒1.2Gbits的數(shù)據(jù)速率，并在一個堆棧32顆裸晶的封裝中支持高達(dá)4
  • 關(guān)鍵字： V-NAND  NVMe  

三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒 容量高達(dá)1Tb

  • 　　相較于2.5寸SATA，M.2的SSD有著非常明顯的體積優(yōu)勢，如果總線走PCIe，速度上更是完爆。 　　在舊金山的閃存峰會上，三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒，容量高達(dá)1Tb，用于消費級產(chǎn)品。 　　三星表示，今后的2TB 3D閃存SSD產(chǎn)品將使用上這一新品，即一整顆芯片封裝16Tb Die，繼續(xù)減小體積。 　　如此精巧之后，連傳統(tǒng)M.2 2242(NGFF)的電路板型都用不到了，三星據(jù)此提出了Next Generation Small Form Factor (NGSFF) 標(biāo)準(zhǔn)。 　　其
  • 關(guān)鍵字： 三星  V-NAND  

東芝傳計劃砸1兆日元建新廠、增產(chǎn)3D NAND

  • 　　日刊工業(yè)新聞7日報導(dǎo) ，為了提高3D架構(gòu)的NAND型閃存(Flash Memory)產(chǎn)能、以因應(yīng)三星電子等競爭對手加快擴(kuò)產(chǎn)腳步，東芝(Toshiba)將進(jìn)一步祭出增產(chǎn)投資，計劃在日本巖手縣北上市興建新工廠，該座新廠預(yù)計于2018年度動工、 2021年度啟用，總投資額將達(dá)1兆日圓的規(guī)模。 東芝目前已在四日市工廠廠區(qū)內(nèi)興建3D NAND專用廠房「第6廠房」。 　　該座3D NAND新工廠興建計劃由東芝半導(dǎo)體事業(yè)子公司「東芝內(nèi)存(Toshiba Memory Corporation、以下簡稱TMC)」負(fù)責(zé)
  • 關(guān)鍵字： 東芝  NAND  

存儲器分類匯總，DRAM/EPROM/NAND FLASH這些行業(yè)名詞你真的知道嗎？

  • 　　RAM：由字面意思就可以理解，SDRAM?SRAM?DRAM(下面藍(lán)色字體的這幾種)都可以統(tǒng)稱RAM，random?access?memory(隨機(jī)存取存儲器)的縮寫，下面是51hei.com為大家整理的目前所有的存儲器的區(qū)別?！　RAM：靜態(tài)隨機(jī)存儲器，就是它不需要刷新電路，不像動態(tài)隨機(jī)存儲器那樣，每隔一段時間就要刷新一次數(shù)據(jù)。但是他集成度比較低，不適合做容量大的內(nèi)存，一般是用在處理器的緩存里面。像S3C2440的ARM9處理器里面就有4K的SRAM用來做C
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半導(dǎo)體人才流失中國，三星呼吁韓國政府幫忙

  • 　　根據(jù)韓國英文媒體 《The Korea Times》 的報導(dǎo)，三星副總裁權(quán)五鉉 (Kwon Oh-hyun) 日前就像韓國政府喊話，要韓國政府給予半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)更多的支持，以解決人才荒的問題。 　　報導(dǎo)中指出，目前是三星副總裁，也是領(lǐng)導(dǎo)三星顯示器部門的權(quán)五鉉，日前在一項公開演講中指出，韓國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自認(rèn)為有其競爭的實力。 不過，卻面臨當(dāng)當(dāng)前半導(dǎo)體人才不足的問題。 權(quán)五鉉進(jìn)一步指出，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是第 4 次工業(yè)革命的重要基礎(chǔ)，因此希望韓國政府能藉由科技培訓(xùn)的管道，持續(xù)為半導(dǎo)體與設(shè)備產(chǎn)業(yè)供應(yīng)需要的人才。
  • 關(guān)鍵字： 三星  NAND   

解讀：上半年中國固態(tài)硬盤市場發(fā)展現(xiàn)狀

  • 　　受NAND Flash供貨緊張影響，以及數(shù)據(jù)中心、企業(yè)、移動設(shè)備等領(lǐng)域SSD強(qiáng)勁需求，2017年上半年NAND Flash價格持續(xù)走高。根據(jù)ZDC統(tǒng)計，NAND Flash價格累計漲幅達(dá)26%，消費類每GB銷售價格突破了0.3美金。 　　 ? 　　2017年上半年，中國市場智能手機(jī)、平板電腦等移動設(shè)備需求出現(xiàn)下滑，再加上NAND Flash的價格持續(xù)走高，高價壓力下的SSD市場呈現(xiàn)一片低迷景象。但隨著6月份需求旺季的到來，固態(tài)硬盤的關(guān)注度有所回升。 　　 ? 　
  • 關(guān)鍵字： 固態(tài)硬盤  NAND   

ICinsights:DRAM、NAND售價已暴漲一年

  • 　　IC Insights的報告顯示，DRAM及NAND Flash售價已經(jīng)連續(xù)四個季度上漲。 　　 不過因為原廠紛紛提出擴(kuò)產(chǎn)計劃，IC Insights稍早憂心忡忡認(rèn)為，未來幾年包括三星電子、SK海力士、美光、英特爾、東芝、西部數(shù)據(jù)、武漢新芯、長江存儲，都大舉提高3D NAND Flash產(chǎn)能，大陸還有新建廠商也會加入戰(zhàn)場，3D NAND Flash產(chǎn)能供過于求的可能性相當(dāng)高。   　　近期SK海力士宣布今年資本支出追加至86.1億美元，進(jìn)行3D NAND Flash和DRAM兩大內(nèi)存
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  

NAND閃存供應(yīng)短缺，三星斥資186億美元投資芯片

  • 　　韓國三星電子有限公司本周二表示，計劃在韓國投資至少21.4萬億韓元(約合186.3億美元)，以鞏固其在內(nèi)存芯片和下一代智能手機(jī)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。 　　作為世界最大的記憶芯片生產(chǎn)商，三星將在2021年前對位于平澤市的NAND閃存工廠投入14.4萬億韓元。此外，位于華城市的半導(dǎo)體生產(chǎn)線也將拿到6萬億韓元的投資。剩下的1萬億韓元，將分配給三星位于韓國的OLED屏幕工廠。同時，三星還計劃為西安的NAND閃存生產(chǎn)基地添置一條新的生產(chǎn)線。 　　近年來，三星、東芝和SK海力士已投入了數(shù)百億美元來推動NAND閃存的
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ICinsights:DRAM、NAND漲勢第四季微幅逆轉(zhuǎn)

  • 　　ICinsights認(rèn)為，全球內(nèi)存下半年價格上漲動能可能減緩，包含DRAM與NAND閃存均是如此。 　　盡管漲勢減緩，但DRAM與NAND今年營收預(yù)料仍將創(chuàng)新高記錄，這完全都是拜先前平均售價快速上漲之賜。 以DRAM為例，DRAM平均售價今年預(yù)估年漲幅高達(dá)63%，此為1993年有記錄以來之最。 　　內(nèi)存價格從去年第三季起漲，ICinsights預(yù)期動能可能持續(xù)至2017年第三季，第四季可能微幅轉(zhuǎn)負(fù)，為這波正向循環(huán)劃下休止符。 　　ICinsights指出，隨著價格走揚，內(nèi)存制造商也再次增加資本投
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  
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