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東芝出售半導(dǎo)體導(dǎo)致NAND短缺惡化？韓媒：三星最受惠

  • 　　東芝(Toshiba Corp.)決定出售半導(dǎo)體事業(yè)，但競標(biāo)者眾、過程冗長，如此一來，韓國廠商反倒會成為最大受惠者? 　　韓聯(lián)社 24 日報(bào)導(dǎo)，Shinhan Investment 研究員 Choi Do-yeon 發(fā)表研究報(bào)告指出，東芝的 3D NAND 快閃存儲器投資計(jì)劃勢必將因此延后，這會讓供給短缺更形惡化，也為三星電子(Samsung Electronics Co.)、SK 海力士(SK hynix Inc.)制造更多擴(kuò)產(chǎn)良機(jī)。 　　美國硬盤機(jī)制造巨擘 Western Digital(WD
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中國必須建設(shè)自主存儲，為什么？

  • 在即將到來的物聯(lián)網(wǎng)的世界里，NAND的應(yīng)用會非常廣泛，作用也會愈發(fā)重要，出現(xiàn)的各種裝置和新興應(yīng)用都會用到NAND。
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東芝是大股東的群聯(lián)董事長：東芝芯片會賣給日資

  • 　　東芝半導(dǎo)體事業(yè)各路人馬搶親，包括鴻海集團(tuán)等展現(xiàn)高度意愿，東芝是群聯(lián)大股東，對于東芝內(nèi)存出售案，但長期和東芝半導(dǎo)體合作的群聯(lián)董事長潘健成分析，東芝不可能被單一企業(yè)或公司買下。 他推斷最后結(jié)果，將會由日本境內(nèi)私募基金或現(xiàn)有股東拿下，仍會維持原有東芝控制權(quán)，再讓部分策略合作伙伴持有少數(shù)股權(quán)入股。 　　潘健成強(qiáng)調(diào)，東芝半導(dǎo)體和早期的爾必達(dá)破產(chǎn)不一樣，東芝半導(dǎo)體是東芝最賺錢的事業(yè)體，而且東芝的儲存型閃存(NAND Flash)也是日本最引以為傲的技術(shù)，引發(fā)東芝財(cái)務(wù)危機(jī)的是核電事業(yè)，因此切割半導(dǎo)體事業(yè)獨(dú)立新公司
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傳三星今年資本支出較去年增長85.6%達(dá)219.5億美元

  • 　　三星登上全球半導(dǎo)體龍頭，不惜砸重金投入研發(fā)，傳今年資本支出將大幅增加逾 10 兆韓圜。 　　新韓投資(Shinhan Investment Corp)日前發(fā)布報(bào)告預(yù)測，三星今年半導(dǎo)體資本支出將擴(kuò)增至 24.5 兆韓圜(約 219.5 億美元)，較 2016 年成長 85.6%，且將超越 2015 年的 14.7 兆韓圜成為三星史上新高。 　　存儲器目前供不應(yīng)求，也是三星今年布局的重點(diǎn)，預(yù)料將占據(jù)資本支出的一半左右。據(jù)新韓分析師預(yù)測，光是 NAND 快閃存儲器，三星就將砸下 12.05 兆韓圜(約
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3D NAND延續(xù)摩爾定律 電容耦合效應(yīng)及可靠度仍為技術(shù)關(guān)鍵

  • 　　DIGITIMES Research觀察，2D NANDFlash制程在物理限制下難度加劇，透過3DNAND Flash制程，無論是效能及儲存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可謂為摩爾定律在半導(dǎo)體內(nèi)存領(lǐng)域延伸的一項(xiàng)重要技術(shù)。 　　3D NAND Flash依存儲元件儲存機(jī)制可分浮動閘極(Floating Gate;FG)及電荷缺陷儲存(Charge Trap;CT);依不同堆棧結(jié)構(gòu)技術(shù)又可分為BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG
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日美“卡脖子” 國產(chǎn)大存儲崛起能否取得成功？

  • 　　小時(shí)候并不知道為什么唐僧要取經(jīng),取的什么經(jīng)?后來知道了,唐僧要的是所謂“大乘佛法”,簡單說就是普度眾生,救民于水火。既有這樣的佛法,孫悟空何不多翻幾個(gè)筋斗,快快取來就是,為什么非要肉體凡胎的唐僧不辭勞苦、跋山涉水呢?難道上天就沒有好生之德嗎?還要設(shè)置各種妖怪來搗亂,豈不是折騰人嗎? 　　上天當(dāng)然會有好生之德,這沒有什么好懷疑的。至于為什么折騰唐僧,并不是上天要以此為樂,所謂天機(jī)不可泄漏,九九八十一難其實(shí)就是真經(jīng)的一部分,對嗎? 　　其實(shí)現(xiàn)實(shí)生活也是如此。 　　前不久,美國
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2019量產(chǎn)64層NAND閃存 紫光絕不讓員工竊取前公司機(jī)密

  • 　　國產(chǎn)手機(jī)勢頭越來越強(qiáng)勁，把三星和蘋果虐的夠嗆(主要是指國內(nèi)市場份額)，但繁榮背后是對核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。為了讓國產(chǎn)閃存有更好的發(fā)展，不少公司都在努力。挖來臺灣DRAM教父高啟全后，紫光旗下的長江存儲開始全速狂飆。 　　近日，高啟全接受媒體采訪時(shí)表示，長江存儲將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個(gè)消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。對于目前行業(yè)的現(xiàn)狀，高啟全強(qiáng)調(diào)國內(nèi)公司應(yīng)該臺灣公司在存儲芯片上應(yīng)該合作，因?yàn)榇蠹业淖畲?/li>
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紫光2019年要量產(chǎn)64層NAND閃存 打破韓企壟斷

  • 　　國產(chǎn)手機(jī)勢頭越來越強(qiáng)勁，把三星和蘋果虐的夠嗆(主要是指國內(nèi)市場份額)，但繁榮背后是對核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。為了讓國產(chǎn)閃存有更好的發(fā)展，不少公司都在努力。挖來臺灣DRAM教父高啟全后，紫光旗下的長江存儲開始全速狂飆。 　　近日，高啟全接受媒體采訪時(shí)表示，長江存儲將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個(gè)消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。 　　對于目前行業(yè)的現(xiàn)狀，高啟全強(qiáng)調(diào)國內(nèi)公司應(yīng)該臺灣公司在存儲芯片上應(yīng)該合作，因?yàn)榇?/li>
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韓國3D NAND閃存三季度有望占全球一半市場

  • 　　市場調(diào)查機(jī)構(gòu)DRAMeXchange近日發(fā)布的調(diào)查結(jié)果顯示，到今年三季度，三星電子、SK海力士等韓企的3D NAND閃存半導(dǎo)體在全球整體NAND閃存市場所占份額有望超過50%。 　　閃存是指在斷電情況下仍能存儲數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體，主要用于智能手機(jī)等移動終端的周邊裝置。3D NAND在2D NAND的基礎(chǔ)上，增加了回路垂直排列，大大提高了性能和容量。新一代韓產(chǎn)3D NAND將陸續(xù)上市，三星電子和美光科技(Micron)等企業(yè)于今年二季度起量產(chǎn)64層3D NAND，SK海力士將于三季度在全球最先推出72層的3
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新世代內(nèi)存陸續(xù)小量產(chǎn) 商品化指日可待

  • 　　內(nèi)存是半導(dǎo)體的主力產(chǎn)品之一，目前主要由動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)及具備非揮發(fā)特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項(xiàng)產(chǎn)品。 不過，由于DRAM必須持續(xù)上電才能保存數(shù)據(jù)，NAND Flash又有讀寫速度較DRAM慢，且讀寫次數(shù)相對有限的先天限制，因此內(nèi)存業(yè)者一直試圖發(fā)展出新的內(nèi)存架構(gòu)，希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非揮發(fā)特性 　　根據(jù)研究機(jī)構(gòu)Tech Insights估計(jì)，包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代內(nèi)存，都已陸續(xù)進(jìn)入小量生產(chǎn)階段。 不過
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全球3D NAND大軍技術(shù)對決 下半年產(chǎn)出可望大增

  • 　　2017年將是3D NAND Flash應(yīng)用市場快速崛起的關(guān)鍵年，包括三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、東芝(Toshiba)等陸續(xù)推出具競爭力的64層3D NAND Flash加入競局，SK海力士(SK Hynix)更一舉跳到72層3D NAND Flash技術(shù)以求突圍，由于新舊技術(shù)轉(zhuǎn)換，良率仍不穩(wěn)定，加上固態(tài)硬碟(SSD)需求起飛，造成NAND Flash市場大缺貨，業(yè)者預(yù)期2017年下半產(chǎn)出可望大增，全面開啟3D NAND Flash時(shí)代。 　　三星在2
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機(jī)構(gòu):DRAM與NAND FLASH價(jià)格下半年將下降

  • 　　Gartner 表示，在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季將會開始呈現(xiàn)反轉(zhuǎn)，使得全球 NAND Flash 和 SSD 的價(jià)格會在 2018 年出現(xiàn)明顯下滑，并在 2019 年重新陷入一個(gè)相對低點(diǎn)。 　　Gartner 表示，自 2016 年中期以來，隨著 NAND Flash 的漲價(jià)，SSD 的每字節(jié)的成本也出現(xiàn)了驚人上漲。 不過，這種上漲趨勢將在本季達(dá)到頂峰。 其原因在于中國廠商大量投入生產(chǎn)的結(jié)果，在產(chǎn)能陸續(xù)開出后，市場價(jià)格就一反過去的漲勢，開始出現(xiàn)下跌的情況。 　　Gart
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SAM4E單片機(jī)之旅——16、NAND Flash讀寫

  • 　　這次大概介紹了一下NAND Flash，以及在ASF中使用它的方法。　　一、 接線　　這個(gè)開發(fā)板搭載了一個(gè)256 MB，8位的NAND Flash(MT29F2G08ABAEA)。引腳接線如下：　　    　　偷個(gè)懶，直接上引腳復(fù)用的圖。其中PC14表明該NAND FLASH需要作為SMC的外設(shè)0使用。通過使用NANDOE和NANDWE引腳說明需要使用芯片的NAND Flash控制邏輯。另外，PC18復(fù)用為輸入
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手機(jī)實(shí)現(xiàn)512GB容量不是夢：72層3D NAND閃存問世

  • 　　隨著APP體積不斷擴(kuò)大，以及照片、視頻等文件逐漸累積，消費(fèi)者再難回到被16GB ROM支配的時(shí)代。就連吝嗇的蘋果也將iPhone存儲容量翻番，最高達(dá)到了256GB。大容量閃存能夠提高數(shù)據(jù)并行處理的效率，但是256GB就夠了嗎?　　    　　日前，海力士(SK Hynix)推出業(yè)界首款72層堆疊的3D NAND閃存。該方案基于TLC陣列、單晶片容量為256Gb(32GB)，閃存芯片封裝后的最高容量將達(dá)到512GB。　　  
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技術(shù)更新失敗加產(chǎn)能不足 內(nèi)存價(jià)格持續(xù)上漲

  • 從去年年中開始，以固態(tài)硬盤為代表的，包括固態(tài)硬盤、內(nèi)存條、優(yōu)盤甚至閃存卡在內(nèi)的幾乎全部閃存產(chǎn)品，開始緩慢漲價(jià)。
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