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基于magnum 2 測試系統(tǒng)的NAND FLASH VDNF64G08RS50MS4V25-III的測試技術(shù)研究

  • 　　摘要：NAND FLASH在電子行業(yè)已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用，然而在生產(chǎn)過程中出現(xiàn)壞塊和在使用過程中會出現(xiàn)壞塊增長的情況，針對這種情況，本文介紹了一種基于magnum II 測試機的速測試的方法，實驗結(jié)果表明，此方法能夠有效提高FLASH的全空間測試效率。另外，針對NAND FLASH的關(guān)鍵時序參數(shù)，如tREA(讀信號低電平到數(shù)據(jù)輸出時間)和tBERS(塊擦除時間)等，使用測試系統(tǒng)為器件施加適當?shù)目刂萍?，完成NAND FLASH的時序配合，從而達到器件性
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DRAM與NAND的區(qū)別及工作原理

  • DRAM與NAND的區(qū)別及工作原理-本文就DRAM與NAND在工作原理上做比較，弄清兩者的區(qū)別
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  RAM  

Nand Flash編程應(yīng)用難點淺析

  • 　　Nand Flash存儲器是flash存儲器的一種，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND存儲器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、記憶卡、體積小巧的U盤等?！　?989年，東芝公司發(fā)表了Nand Flash結(jié)構(gòu)，強調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。經(jīng)過十幾年的發(fā)展，NAND應(yīng)用越來越廣泛，但是大多數(shù)工程師卻仍然不知道關(guān)于NAND應(yīng)用的一些難點：分區(qū)、ECC糾錯、壞塊管理等。只有真正了
  • 關(guān)鍵字： Nand Flash  東芝  

3D NAND微縮極限近了嗎？

  • 隨著平面的2D NAND Flash制程逐漸面臨微縮極限，3D NAND的平均生命周期也可能比大多數(shù)人所想象的更短許多...
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三星公司硬盤產(chǎn)業(yè)疲軟 試圖轉(zhuǎn)向QLC閃存生產(chǎn)

  • 　　三星方面宣布其將推出4層單元閃存，即QLC NAND芯片。目前容量最高的閃存單元是具有每單元容納3 bits的TLC(三層單元)。然而由于QLC芯片所用材料較TLC而言，其讀寫速度更慢且使用壽命也更低，所以QLC芯片的制備難度也隨之增大。 　　   　　SSD可并行訪問多塊晶片以提升訪問速度，同時還能夠憑借冗余配置以延長其耐用性。 　　迄今為止，東芝公司與西部數(shù)據(jù)公司，東芝方面的代工合作伙伴已經(jīng)開始運行配有768 Gbit容量的QLC芯片產(chǎn)品生產(chǎn)線。而如果該合資企業(yè)沒有因為東芝方
  • 關(guān)鍵字： 三星  QLC  

群聯(lián)潘健成：未來五年 NAND供不應(yīng)求

  • 　　內(nèi)存股王群聯(lián)電子昨(27)日舉行股東臨時會補選一席董事，由日商東芝內(nèi)存株式會社(TMC)當選。在市場供需方面，群聯(lián)董事長潘健成樂觀表示，未來五年，儲存型閃存(NANDFlash)將持續(xù)供不應(yīng)求。 　　臺灣東芝先進半導(dǎo)體因集團組織調(diào)整，今年8月1日辭去群聯(lián)董事，群聯(lián)昨日召開股東臨時會補選，并順利由東芝內(nèi)存株式會社當選。 　　潘健成表示，東芝內(nèi)存主導(dǎo)負責東芝的全球半導(dǎo)體事業(yè)，東芝已將群聯(lián)股權(quán)移轉(zhuǎn)給東芝內(nèi)存;而群聯(lián)與東芝間不僅相互投資，也透過合作互補，強化技術(shù)，雙方關(guān)系將比過去15年更加緊密，在產(chǎn)業(yè)的競
  • 關(guān)鍵字： NAND  

2018年NAND Flash供給年增42.9%，全年度供需由緊俏轉(zhuǎn)為平衡

  • 　　根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，2017年NAND Flash產(chǎn)業(yè)需求受到智能手機搭載容量與服務(wù)器需求的帶動，加上供給面受到制程轉(zhuǎn)進進度不如預(yù)期的影響下，供不應(yīng)求的狀況自2016年第三季起已持續(xù)六個季度;展望2018年，NAND Flash供給將增加42.9%，需求端將成長37.7%，明年整體供需狀況將轉(zhuǎn)為供需平衡。 　　DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出，從NAND Flash的供給面來看，因為NAND制程從2D轉(zhuǎn)進3D不如預(yù)期，導(dǎo)致2017年非三星陣營的新
  • 關(guān)鍵字： NAND  西數(shù)  

NAND閃存市場持續(xù)高漲，NAND閃存市場持續(xù)高漲，2020年將超DRAM

  • 9月6日，深圳市閃存市場資訊有限公司(ChinaFlashMarket)在深圳主辦了“中國存儲·全球格局”為主題的中國閃存市場峰會(China Flash Market Summit 2017)，本文根據(jù)部分會議內(nèi)容整理了國內(nèi)外NAND閃存及部分非易失存儲器市場信息。
  • 關(guān)鍵字： 閃存  NAND  3D Xpoint  201710  

2017年全球存儲市場規(guī)模將達950億美元

  • 　　日前，由深圳市閃存市場資訊有限公司主辦的、以“中國存儲 全球格局”為主題的中國閃存市場峰會在深圳圓滿落幕。本次峰會齊聚三星、英特爾、美光、Marvell、谷歌、英偉達、Marvell、江波龍、慧榮、硅格、漢德資本、海康存儲等企業(yè)重量級嘉賓，一起探討存儲產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展和企業(yè)市場發(fā)展機會。峰會吸引全球近700家企業(yè)參會，其中包括東芝、西部數(shù)據(jù)、SK海力士、長江存儲、華為、聯(lián)想、中興、網(wǎng)易、騰訊、阿里巴巴等企業(yè)參會，涵蓋領(lǐng)域包括存儲企業(yè)、手機、電腦、汽車、工業(yè)、大數(shù)據(jù)應(yīng)用等，參會觀眾超
  • 關(guān)鍵字： NAND  閃存  

東芝宣布出售予美日聯(lián)盟，加速提升3D NAND產(chǎn)能追趕三星

  • 　　集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，東芝公司已正式在9月20日決定將旗下半導(dǎo)體事業(yè)以2兆日圓出售給由美國私募股權(quán)業(yè)者貝恩資本(Bain Capital)代表的美日聯(lián)盟，，由于此出售案較預(yù)期延宕，對于NAND Flash市場的產(chǎn)能影響，預(yù)期要到明年上半年才會趨于明顯;中長期而言，在資金到位的情況下，將有助東芝在3D-NAND產(chǎn)能與技術(shù)上力拼三星。 　　DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出，此次出售案的收購對象日美韓聯(lián)盟成員中包括日本政府支持的產(chǎn)業(yè)革新機構(gòu)(INCJ)財團、
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東芝半導(dǎo)體如此多嬌，引無數(shù)科技大佬競折腰

  • 到底為什么東芝半導(dǎo)體可以引起如此大的波瀾?產(chǎn)品和技術(shù)有什么過人之處?鴻海為首的“不差錢”軍團又希望從東芝半導(dǎo)體得到什么?小編給你一一說明。
  • 關(guān)鍵字： 東芝  NAND  

CFM：原廠加碼投資擴產(chǎn)64層3D NAND，然部分市場仍缺貨到年底

  • 　　9月6日，由深圳市閃存市場資訊有限公司主辦以“中國存儲?全球格局”為主題的中國閃存市場峰會(China Flash Market Summit 2017)在深圳華僑城洲際酒店圓滿落幕。本次峰會除了齊聚國內(nèi)外產(chǎn)業(yè)鏈重要企業(yè)嘉賓演講，其中包括三星、英特爾、美光、Marvell、谷歌、英偉達、江波龍、慧榮、硅格、大基金、漢德資本等業(yè)界知名企業(yè)領(lǐng)導(dǎo)?！　‘斕煳蚪?00家企業(yè)參會，其中包括西部數(shù)據(jù)、SK海力士、長江存儲、金士頓、華為、聯(lián)想、中興、百度、阿里巴巴等企業(yè)參會，涵蓋領(lǐng)域包括存儲企業(yè)、手機、電腦、
  • 關(guān)鍵字： NAND  閃存  

莫大康：中國半導(dǎo)體業(yè)要奮力突圍

  • 　　與美國在半導(dǎo)體先進工藝制程等方面的差距，不僅表現(xiàn)在人材，技術(shù)等方面，可能更大的差距在于綜合的國力，以及產(chǎn)業(yè)大環(huán)境的改善，所以此次奮力突圍一定要取得更大的進步。 　　01引言 　　近期華爾街日報撰文“中國的下一個目標奪下美國的芯片霸主地位”。明眼人看得很清楚，它是站在美方的立場，歪曲事實。 　　此次中國半導(dǎo)體業(yè)的“奮力突圍”，有兩層意義： 　　一個是差距大，希望迅速的成長，至多是擴大芯片的自給率。 　　另一個是西方千方百計的阻礙中國半導(dǎo)體業(yè)的進步
  • 關(guān)鍵字： NAND  DRAM  

狂掃全球硅晶圓產(chǎn)能 三星3D NAND、DRAM、7納米制程大擴產(chǎn)

  • 　　2017年三星電子(SamsungElectronics)同步啟動DRAM、3DNAND及晶圓代工擴產(chǎn)計劃，預(yù)計資本支出上看150億~220億美元，遠超過臺積電100億美元和英特爾(Intel)120億美元規(guī)模，三星為確保新產(chǎn)能如期開出，近期傳出已與多家硅晶圓供應(yīng)商洽談簽長約，狂掃全球硅晶圓產(chǎn)能，并傳出環(huán)球晶已通知客戶自2018年起硅晶圓供應(yīng)量將減少30%，主要便是為支持三星產(chǎn)能需求做準備。 　　三星為因應(yīng)DRAM和3DNAND市場強勁需求，加上在邏輯事業(yè)全力投入7納米制程，企圖與臺積電一較長短，搶
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三星電子波瀾再起 NAND芯片市場風云變幻

  • 　　8月28日，三星電子宣布，未來將投資70億美元用于擴大西安三星電子NAND芯片的生產(chǎn)。不過，三星稱，“此筆投資意在滿足NAND芯片市場的需求。”可是，三星的投資真的只為滿足NAND芯片市場需求嗎? 　　波瀾的背后 　　據(jù)2017年第二季度財報顯示，三星電子營收額高達554.1億美元，同比增長19%，并且，三星電子以銷售額14億美元的成績拿下45.9%的NAND Flash市占有率。 　　有業(yè)者分析稱，三星第二季度如此強勁的主要原因是蘋果等其他電子類產(chǎn)品生產(chǎn)需求旺盛，同時其
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qlc nand介紹

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