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Vishay推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，發(fā)布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導(dǎo)通的此類器件。
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恩智浦推出超緊湊型電源管理解決方案

  • 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ: NXPI) 今日宣布推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 無(wú)鉛塑料封裝的超緊湊型中等功率晶體管和N溝道Trench MOSFET產(chǎn)品PBSM5240PF。DFN2020-6 (SOT1118) 無(wú)鉛塑料封裝占位面積僅有2 x 2 mm，高度僅為0.65 mm，專門針對(duì)諸如移動(dòng)設(shè)備等高性能消費(fèi)產(chǎn)品的小型化發(fā)展趨勢(shì)而設(shè)計(jì)。
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Vishay將舉辦中國(guó)西部電源研討會(huì)

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布將于中國(guó)電子展同期舉辦中國(guó)西部電源研討會(huì)(West China Power Seminars)，時(shí)間和地點(diǎn)分別是8月23日上午9點(diǎn)30分至12點(diǎn)10分在成都明悅大酒店，8月25日在西安曲江國(guó)際會(huì)展中心。每場(chǎng)研討會(huì)將有4位專家做技術(shù)報(bào)告，探討電容器、MOSFET、電源模塊、二極管和光耦合器在新能源、軍工、通信、工業(yè)電源和其他行業(yè)中的應(yīng)用。研討會(huì)面向研發(fā)工程師，用中文講解，CEF的觀眾可以免費(fèi)參加。
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提供低損耗大功率的MOSFET

  • 硅功率二極管的PN結(jié)通常有大約1.2V的壓降。這個(gè)壓降使得功率二極管上消耗了相當(dāng)?shù)哪芰?，從而造成電源效?..
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根據(jù)應(yīng)用恰當(dāng)選擇MOSFET的技巧

  • 鑒于MOSFET技術(shù)的成熟，為設(shè)計(jì)選擇一款MOSFET表面上看是十分簡(jiǎn)單的事情。雖然工程師都熟諳MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)上的...
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  導(dǎo)通阻抗  開(kāi)關(guān)電源  

MOSFET應(yīng)用案例解析

  • 1.開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用從定義上而言，這種應(yīng)用需要MOSFET定期導(dǎo)通和關(guān)斷。同時(shí)，有數(shù)十種拓?fù)淇捎糜陂_(kāi)關(guān)電源，這...
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  應(yīng)用案例  

MOSFET的選型基礎(chǔ)

  • MOSFET廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路中，和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于：首先驅(qū)動(dòng)電路比較簡(jiǎn)單。MOSF...
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  選型  應(yīng)用概覽  

求解每個(gè)熱源功率損耗的新方法

  • 一引言DC-DC轉(zhuǎn)換器的效率和功率損耗是許多電子系統(tǒng)的一個(gè)重要特征參數(shù)?？梢詼y(cè)量出這些特征參數(shù)，...
  • 關(guān)鍵字： 熱源功率  損耗  MOSFET  

功率器件更加智能，高能效功率電子技術(shù)新進(jìn)展

  • 工藝與材料的創(chuàng)新隨著時(shí)間的推移，功率晶體管技術(shù)得到了持續(xù)的改善。器件的體積不斷縮小，功率密度越...
  • 關(guān)鍵字： 功率器件  工藝材料  MOSFET  

大功率開(kāi)關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)

大功率MOSFET驅(qū)動(dòng)技術(shù)詳解

  • 功率MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、負(fù)載電流大的優(yōu)點(diǎn)，因而非常適合用作開(kāi)關(guān)電源（switch-modepowersupplies，SMPS）的整...
  • 關(guān)鍵字： 功率  MOSFET  變換器  柵極驅(qū)動(dòng)  

汽車電子功率MOSFET解決方案

  • 過(guò)去15到20年間，汽車用功率MOSFET已從最初的技術(shù)話題發(fā)展成為蓬勃的商業(yè)領(lǐng)域。選用功率MOSFET是因?yàn)槠淠軌蚰?..
  • 關(guān)鍵字： 電子系統(tǒng)  MOSFET  瞬態(tài)高壓  

用非傳統(tǒng)MOSFET方案提高功率CMOS器件的功效

  • 我們發(fā)現(xiàn)日益改進(jìn)的靜電學(xué)及晶體管傳輸有助于形成一種成熟的方法，這種方法能夠降低有源和待機(jī)功耗。要做到這一點(diǎn)，新型晶體管結(jié)構(gòu)和材料拓展了性能?功耗設(shè)計(jì)空間，使之超躍了傳統(tǒng)的本體硅晶體管。最終，通過(guò)構(gòu)成一個(gè)由多層系統(tǒng)-電路-器件電源管理生態(tài)系統(tǒng)構(gòu)成的底層，晶體管的創(chuàng)新將會(huì)繼續(xù)在定義下一代提高功效的策略時(shí)發(fā)揮關(guān)鍵作用。

  • 關(guān)鍵字： CMOS  器件  功效  功率  提高  MOSFET  方案  非傳統(tǒng)  

瑞薩電子推出具有大電流和低功率的半導(dǎo)體器件

  • 高級(jí)半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商瑞薩電子公司（TSE：6723，以下簡(jiǎn)稱“瑞薩電子”）宣布開(kāi)發(fā)面向消費(fèi)類產(chǎn)品（如無(wú)線電動(dòng)工具和電動(dòng)自行車）中電機(jī)驅(qū)動(dòng)的100A大電流功率MOSFET，以便加強(qiáng)公司的整個(gè)功率半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線。新款功率MOSFET提供了較寬的電壓范圍，其中3款新產(chǎn)品（包括N0413N）具有40V的電壓容差，而另外3款新產(chǎn)品（包括N0601N）具有60V的電壓容差。新款功率MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低的功率損耗水平，是延長(zhǎng)電池壽命的理性之選。
  • 關(guān)鍵字： 瑞薩  MOSFET  N0413N  

高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的新進(jìn)展

  • 從1957年第一只晶閘管的誕生開(kāi)始，功率電子技術(shù)以相當(dāng)迅猛的速度發(fā)展。近年來(lái)又取得了長(zhǎng)足的進(jìn)展，產(chǎn)生極佳的經(jīng)濟(jì)及社會(huì)效益。從美國(guó)高能效經(jīng)濟(jì)委員會(huì)(ACEE)出版的一份報(bào)告可以看到，到2030年，受益于采用半導(dǎo)體技術(shù)而獲得的更高能效，可以使美國(guó)的經(jīng)濟(jì)規(guī)模擴(kuò)大70%以上，與此同時(shí)，使用的電能卻將減少11%。作為高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先廠商，安森美半導(dǎo)體一直專注于超低損耗MOSFET/IGBT、智能電源IC及集成功率模塊等方面的研發(fā)和創(chuàng)新，而且取得了長(zhǎng)足的進(jìn)展
  • 關(guān)鍵字： 安森美半導(dǎo)體  MOSFET  
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