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EEPW首頁 >> 主題列表 >> sas 存儲

江波龍嵌入式存儲選型指南

  • FORESEE嵌入式存儲產(chǎn)品線于2011年創(chuàng)立，同年推出國內(nèi)首款量產(chǎn)eMMC。經(jīng)過十余年與行業(yè)客戶的共同成長，目前 FORESEE嵌入式存儲涵蓋了Flash、DRAM、多芯片封裝三大 類系列產(chǎn)品，廣泛應用于汽車電子、工業(yè)控制、智能手機、平板電腦、智能電視、智能穿戴、網(wǎng)絡通信等諸多領域。同時，嵌入式存儲產(chǎn)品與高通（Qualcomm）、聯(lián)發(fā)科（MediaTek）、紫光展銳（UniSOC）等一眾芯片平臺廠商建 立了長期緊密的合作關系，全面滿足全球眾多消費領域、工業(yè)領域、汽車領域等企業(yè)穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品供應需求
  • 關鍵字： 江波龍  存儲  嵌入式  

全球兩大存儲廠新消息！

  • 近日，三星、鎧俠兩大存儲廠公布新消息：三星量產(chǎn)第9代V-NAND、鎧俠新一代UFS 4.0閃存芯片出樣。三星開始量產(chǎn)第9代V-NAND4月23日，三星電子宣布，其1Tb TLC第9代V-NAND已開始量產(chǎn)，鞏固了其在NAND閃存市場的地位。據(jù)三星介紹，第9代V-NAND配備了下一代NAND閃存接口“Toggle 5.1”，支持將數(shù)據(jù)輸入/輸出速度提高33%，達到3.2Gbps。除了這個新接口外，三星還計劃通過擴大對PCIe 5.0的支持來鞏固其在高性能SSD市場的地位。憑借業(yè)界最小的單元尺寸和最薄的模組，
  • 關鍵字： 三星  鎧俠  存儲  

業(yè)界首創(chuàng)512GB CXL AIC內(nèi)存擴展卡，江波龍革新AI與高性能計算領域內(nèi)存技術

  • 人工智能大模型計算、高性能計算（HPC）以及數(shù)據(jù)中心等行業(yè)的迅猛發(fā)展，對計算機系統(tǒng)內(nèi)存性能的需求日益提升，業(yè)界對具備高帶寬、低延遲性能且超大容量的內(nèi)存需求也愈發(fā)迫切，以支持CPU和GPU進行高速、大吞吐量的浮點運算。在此背景下，江波龍日前在CFMS2024展出了一款基于Compute Express Link (CXL)技術的創(chuàng)新內(nèi)存擴展設備——CXL 2.0 AIC內(nèi)存擴展卡，為計算機系統(tǒng)提供了強大的內(nèi)存支持。據(jù)悉，這款CXL 2.0 AIC內(nèi)存擴展卡采用了非DRAM on-board封裝設計，可兼容多
  • 關鍵字： 江波龍  存儲  元器件  

價格和需求同亮眼，HBM存儲及先進封裝將迎來擴產(chǎn)

  • 市場對人工智能的熱情還在持續(xù)升溫，隨著芯片庫存調(diào)整卓有成效，以及市場需求回暖推動，全球存儲芯片價格正從去年的暴跌中逐步回升，內(nèi)閃存產(chǎn)品價格均開始漲價。TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，由于AI需求高漲，目前英偉達（NVIDIA）以及其他品牌的GPU或ASIC供應緊俏，除了CoWoS是供應瓶頸，HBM亦同，主要是HBM生產(chǎn)周期較DDR5更長，投片到產(chǎn)出與封裝完成需要兩個季度以上所致。行業(yè)人士表示，在產(chǎn)能緊缺下目前DRAM以及綁定英偉達新款AI芯片的HBM存儲系統(tǒng)售價更高。在此帶動下，從今年
  • 關鍵字： HBM  存儲  先進封裝  

江波龍企業(yè)級SSD再度通過OpenCloudOS兼容性認證，產(chǎn)品力獲認可

  • 近日，江波龍旗下企業(yè)級存儲產(chǎn)品FORESEE UNCIA 3836系列企業(yè)級SATA SSD產(chǎn)品完成與OpenCloudOS/TencentOS相互兼容認證。測試認證期間整體運行穩(wěn)定，在功能、性能及兼容性方面表現(xiàn)良好。自研高能固件鍛造硬核產(chǎn)品力FORESEE UNCIA 3836系列SATA SSD由江波龍自主研發(fā)，產(chǎn)品經(jīng)過專業(yè)可靠性設備驗證，打造高可靠、高穩(wěn)定的企業(yè)級存儲方案。該款產(chǎn)品采用128層3D eTLC NAND Flash，支持SATA 6.0Gbps接口，容量覆蓋480GB至3.84TB，耐
  • 關鍵字： 江波龍  存儲  元器件  

首顆自研2D MLC NAND Flash 江波龍構(gòu)建完整的存儲芯片垂直整合能力

  • 江波龍研發(fā)布局突破藩籬進入到集成電路設計領域，產(chǎn)品及服務獲得客戶高度認可。繼自研SLC NAND Flash系列產(chǎn)品實現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)后，首顆自研32Gb 2D MLC NAND Flash也于近日問世。該產(chǎn)品采用BGA132封裝，支持Toggle DDR模式，數(shù)據(jù)訪問帶寬可達400MB/s，將有望應用于eMMC、SSD等產(chǎn)品上，為公司存儲產(chǎn)品組合帶來更多可能性。隨著自研2D MLC NAND Flash的推出，江波龍將在半導體存儲品牌企業(yè)的定位和布局上持續(xù)深耕，不斷提升核心競爭力。 越過高門檻NA
  • 關鍵字： 江波龍  存儲  

FORESEE全新工規(guī)級DDR4 SODIMM，高可靠性助力工業(yè)自動化數(shù)據(jù)存儲

  • 在智能制造與工業(yè)自動化日益精密的今天，數(shù)據(jù)處理的實時性、穩(wěn)定性和耐久性成為衡量系統(tǒng)性能的關鍵指標，內(nèi)存條作為存儲系統(tǒng)的核心部件，其性能與穩(wěn)定性直接影響到整個系統(tǒng)的運行效果，尤其是在工業(yè)控制、電力應用、電信設備等關鍵領域，對內(nèi)存條的穩(wěn)定性和耐用性要求更為嚴苛。近日，江波龍推出全新的FORESEE工規(guī)級DDR4 SODIMM，為嚴苛工業(yè)環(huán)境下的計算機系統(tǒng)提供強大而可靠的“穩(wěn)定內(nèi)核”。FORESEE工規(guī)級DDR4 SODIMM覆蓋4GB、8GB、16GB、32GB多種容量選擇，擁有1R×8、2R×8、1R×16
  • 關鍵字： 江波龍  存儲  元器件  

消息稱三星 Galaxy Watch 7 存儲空間增加到 32GB，共有三個版本

  • 3 月 25 日消息，據(jù)外媒 SamMobile 報道，Galaxy Unpacked 活動將于2024 年 7 月舉行，比以往要提前幾周?，F(xiàn)在，關于 Galaxy Watch 7 的更多消息被曝光?！鳪alaxy Watch 6根據(jù)爆料，三星 Galaxy Watch 7 系列有望推出三個版本，比以往多一個，但仍然不知道被命名為什么。三星還升級新品的存儲空間，將從Galaxy Watch 6的 16GB 增加到 Galaxy Watch 7 的 32GB，用來存儲戶外鍛煉的離線音樂、應用程序以及
  • 關鍵字： 三星  Galaxy Watch 7  存儲  32GB  

美光表示24年和25年大部分時間的高帶寬內(nèi)存已售罄

  • 美光目前在高帶寬內(nèi)存市場上處于劣勢，但看起來情況正在迅速變化，因為該公司表示其 HBM3E 內(nèi)存供應已售罄，并分配到 2025 年的大部分時間。目前，美光表示其HBM3E將出現(xiàn)在英偉達的H200 GPU中，用于人工智能和高性能計算，因此美光似乎準備搶占相當大的HBM市場份額。圖片來源：美光“我們的 HBM 在 2024 日歷上已經(jīng)售罄，我們 2025 年的絕大部分供應已經(jīng)分配完畢，”美光首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 在本周為公司財報電話會議準備的講話中表示?！拔覀兝^續(xù)預計 HBM
  • 關鍵字： 美光  存儲  AI  HBM  

CFMS2024 | 江波龍：突破存儲模組經(jīng)營魔咒

  • 3月20日，2024中國閃存市場峰會（以下簡稱“CFMS2024”）在深圳成功舉行，本屆CFMS2024以“存儲周期 激發(fā)潛能”為主題，匯聚了全球存儲產(chǎn)業(yè)鏈及終端應用企業(yè)，共同探討新的市場形勢下的機遇。在CFMS2024峰會上，江波龍董事長、總經(jīng)理蔡華波發(fā)表了題為《突破存儲模組經(jīng)營魔咒》的演講，分享公司從“存儲模組廠”向“半導體存儲品牌企業(yè)”全面轉(zhuǎn)型升級的戰(zhàn)略布局，以及如何實現(xiàn)從銷售模式到用芯服務的模式跨越。（江波龍董事長、總經(jīng)理 蔡華波）蔡華波深入剖析了存儲模組廠當前面臨的經(jīng)營痛點。隨著市場競
  • 關鍵字： 江波龍  存儲  元器件  

SK海力士超高性能AI存儲器‘HBM3E’，全球首次投入量產(chǎn)并開始向客戶供貨

  • · 繼HBM3，其擴展版HBM3E也率先進入量產(chǎn)階段· 研發(fā)完成后僅隔7個月開始向客戶供貨，期待能實現(xiàn)最高性能的AI· “將維持用于AI的存儲技術全球領先地位，并鞏固業(yè)務競爭力”2024年3月19日，SK海力士今日宣布，公司率先成功量產(chǎn)超高性能用于AI的存儲器新產(chǎn)品HBM3E*，將在3月末開始向客戶供貨。這是公司去年8月宣布開發(fā)完成HBM3E后，僅隔7個月取得的成果。SK海力士表示，“繼HBM3，公司實現(xiàn)了全球首次向客戶供應現(xiàn)有DRAM最高性能的HBM3E。將通過成功HBM3
  • 關鍵字： SK  海力士  存儲  AI  

集邦咨詢：存儲新技術DDR、HBM等大放異彩

  • 邁過2023年的經(jīng)濟逆風行業(yè)下行周期，2024年存儲市場起勢，存儲芯片價格上漲。為了適配近兩年人工智能熱浪需求，存儲新技術革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技術在2024年迎來放量周期；HBM加速邁進，HBM3/HBM3e持續(xù)突破，有望帶動存儲市場迸發(fā)新的活力。一2024是DRAM技術迸發(fā)活力的一年從1998年三星生產(chǎn)出最早的商用DDR SDRAM芯片，到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延續(xù)，再到今年躍升主流的DDR5，和即將到來的DDR6、DDR7，DRAM技術還在持續(xù)突破。按照不
  • 關鍵字： 存儲  DDR  HBM  

CFMS2024：江波龍解碼如何打破存儲模組廠的經(jīng)營魔咒

  • 備受矚目的2024中國閃存市場峰會（簡稱“CFMS2024”）將于3月20日在深圳盛大開幕。本屆峰會以“存儲周期 激發(fā)潛能”為主題，旨在探討存儲行業(yè)在新市場形勢下的機遇與挑戰(zhàn)，匯聚全球存儲產(chǎn)業(yè)鏈及終端應用企業(yè)的智慧與力量，共謀行業(yè)發(fā)展。 作為本次大會的重要參展企業(yè)之一，江波龍董事長、總經(jīng)理蔡華波將發(fā)表題為《突破存儲模組經(jīng)營魔咒》的演講，深入探討存儲模組領域的經(jīng)營挑戰(zhàn)與突破之道，分享江波龍的創(chuàng)新與發(fā)展動向。值得一提的是，江波龍在今年1月份公告中披露，2023年預估營業(yè)收入同比增長約20%~26%，
  • 關鍵字： 江波龍  存儲  元器件  

存儲大廠10億美元加碼HBM先進封裝

  • SK海力士負責封裝開發(fā)的李康旭副社長認為，半導體行業(yè)前50年都在專注芯片本身的設計和制造，但是，下一個 50 年，一切將圍繞芯片封裝展開。據(jù)彭博社報道，SK海力士（SK Hynix）今年將在韓國投資超過10億美元，用于擴大和改進其芯片制造的最后步驟，即先進封裝。前三星電子工程師、現(xiàn)任 SK Hynix 封裝開發(fā)主管的李康旭表示，推進封裝工藝創(chuàng)新是提高HBM性能、降低功耗的關鍵所在，也是SK海力士鞏固HBM市場領先地位的必由之路。高度聚焦先進封裝SK海力士HBM不斷擴產(chǎn)SK海力士在最近的財報中表示，
  • 關鍵字： 存儲  HBM  先進封裝  

HBM：屬于大廠的游戲，而非全部存儲廠商的狂歡？

  • 近期，存儲廠商南亞科總經(jīng)理李培瑛對外表示，HBM目前產(chǎn)品溢價較高，確實會對存儲器廠商營收有所貢獻，但其占全球DRAM位元數(shù)僅約2%。因此，以當前南亞科在DRAM市場的市占率而言，現(xiàn)階段不適合公司投入大量資源爭奪HBM市場。存儲市場正掀起AI狂歡熱潮，HBM技術也從幕后走向臺前，并成為推動存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展的強勁動能。不過，HBM技術含量高、在DRAM占比小，因此決定了該技術是屬于三星、SK海力士、美光等大廠的“游戲”，而非全部存儲廠商的“狂歡”。如今，存儲大廠的HBM戰(zhàn)局已然打響，并瞄準了最新的HBM3E技術
  • 關鍵字： HBM  存儲  
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