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EEPW首頁 >> 主題列表 >> sas 存儲

2023Q4 NAND 閃存行業(yè)產(chǎn)值環(huán)比增長 24.5%：三星增長 44.8% 居首位

  • IT之家 3 月 6 日消息，集邦咨詢近日發(fā)布市場研究報告，表示 2023 年第 4 季度 NAND 閃存產(chǎn)值 114.9 億美元，環(huán)比增長 24.5%，2024 年第 1 季度 NAND 產(chǎn)值將繼續(xù)保持上漲，預(yù)估環(huán)比會繼續(xù)增長兩成。三星第四季營收以三星（Samsung）增長幅度最高，主要是服務(wù)器、筆記本電腦與智能手機(jī)需求均大幅增長。三星該季度出貨量環(huán)比增加 35%，平均銷售價格環(huán)比增加 12%，帶動營收上升至 42 億美元，環(huán)比增加 44.8%。SK 集團(tuán)SK 集團(tuán)（SK Group）受惠于價
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戴爾2024財年營收884億美元，AI服務(wù)器訂單激增40%

  • 戴爾公布了2024財年第四財季及全年業(yè)績報告，第四財季營收為223億美元，全年營收為884億美元。并且透露在AI服務(wù)器領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了顯著增長，計劃在5月的戴爾科技世界大會上推出一系列新的AI產(chǎn)品和解決方案。在AI服務(wù)器領(lǐng)域，戴爾表示經(jīng)過AI優(yōu)化的產(chǎn)品訂單環(huán)比增長了40%，實現(xiàn)8億美元的銷售額，積壓訂單翻倍至29億美元。盡管供應(yīng)仍面臨挑戰(zhàn)，但H100交付周期有所改善，客戶對H200和MI300X產(chǎn)品表現(xiàn)出濃厚興趣。傳統(tǒng)服務(wù)器業(yè)務(wù)方面，報告稱Q4業(yè)務(wù)同比增長，連續(xù)三個季度實現(xiàn)環(huán)比增長，結(jié)束了歷史上最長的消化期。戴
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又一存儲大廠DRAM考慮采用MUF技術(shù)

  • 韓國媒體 TheElec報道，三星正在考慮在其下一代 DRAM 中應(yīng)用模壓填充（MUF）技術(shù)。三星最近測試了一種用于 3D 堆棧 (3DS) 存儲器的MUF 技術(shù)，與 TC NCF 相較其傳輸量有所提升。據(jù)悉，MUF 是一種在半導(dǎo)體上打上數(shù)千個微小的孔，然后將上下層半導(dǎo)體連接的硅穿孔 (TSV) 技術(shù)后，注入到半導(dǎo)體之間的材料，它的作用是將垂直堆棧的多個半導(dǎo)體牢固地固定并連接起來。而經(jīng)過測試后獲得的結(jié)論，MUF 不適用于高頻寬存儲器 (HBM)，但非常適合 3DS RDIMM，而目前 3DS RD
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美光開始量產(chǎn)行業(yè)領(lǐng)先的HBM3E解決方案，加速人工智能發(fā)展

  • 全球內(nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布已開始量產(chǎn)其 HBM3E 高帶寬內(nèi)存 解決方案。英偉達(dá) H200 Tensor Core GPU 將采用美光 8 層堆疊的 24GB 容量 HBM3E 內(nèi)存，并于 2024 年第二季度開始出貨。美光通過這一里程碑式進(jìn)展持續(xù)保持行業(yè)領(lǐng)先地位，并且憑借 HBM3E 的超凡性能和能效為人工智能（AI）解決方案賦能。HBM3E：推動人工智能革命隨著人工智能需求的持續(xù)激增，內(nèi)存解決方案對于滿足工作負(fù)載需求
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春日有禮，西部數(shù)據(jù)和“她”一起開啟存儲煥新計劃

  • 每一個女孩都是獨特而美麗的存在，享受生活的同時不忘記錄那些難忘的瞬間。3.8春季大促，西部數(shù)據(jù)帶來了令人怦然心動的存儲購物清單，助力每一位“她”記錄生活亮點，高效應(yīng)對職場與學(xué)習(xí)。還不快拿上小本本，選擇適合自己的存儲好物！廣闊世界“她”記錄自媒體盛行的時代下，女性憑借在內(nèi)容創(chuàng)作領(lǐng)域獨特的天賦與細(xì)膩，盡情展現(xiàn)著自由且多元的力量。西部數(shù)據(jù)的WD Blue? SN580 NVMe? SSD順序讀取速度高達(dá)4,150 MB/s[i] （1TB和2TB型號[ii]），提供高達(dá)2TBii容量規(guī)格，同時搭載的nCache
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美光科技宣布已開始提供升級版UFS4.0樣品

  • 2月28日，存儲大廠美光科技宣布已開始提供升級版UFS4.0樣品，采用232層3D NAND技術(shù)，可提供256GB、512GB和1TB三種容量。自去年6月推出11mm x 13mm封裝規(guī)格的UFS4.0解決方案后，美光進(jìn)一步縮小UFS4.0的外形規(guī)格以實現(xiàn)更緊湊的9mm x 13mm托管型NAND封裝。性能上，美光UFS4.0的順序讀取速度和順序?qū)懭胨俣确謩e高達(dá)4300MBps和4000MBps，較前代產(chǎn)品相比性能提升一倍，據(jù)悉，生成式AI應(yīng)用中的大語言模型加載速度可提高40%。此次增強(qiáng)版UFS4.0基于
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美光高性能內(nèi)存和存儲助力榮耀 Magic6 Pro 智能手機(jī)提升邊緣 AI 體驗

  • 2024 年 3 月 1 日，中國上海 —— Micron Technology，Inc. （美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布美光低功耗 LPDDR5X 內(nèi)存和 UFS 4.0 移動閃存助力榮耀最新款旗艦智能手機(jī)榮耀 Magic6 Pro 提供端側(cè)人工智能體驗。該手機(jī)支持 70 億參數(shù)的大語言模型（LLM）——“魔法大模型”（MagicLM），開創(chuàng)了端側(cè)生成式人工智能新時代。榮耀 Magic6 Pro 以MagicLM 大語言模型為核心，在美光內(nèi)存和存儲的加持下，實現(xiàn)了升級版預(yù)測性和
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美光發(fā)布最小尺寸 UFS 4.0 手機(jī)存儲芯片：容量最高 1TB，為電池留出空間

  • IT之家 2 月 27 日消息，美光科技在 MWC 2024 上宣布了其最新手機(jī)存儲解決方案。該公司推出了迄今為止最緊湊的 UFS 4.0 封裝，尺寸僅為 9 x 13 毫米，仍然提供最高 1 TB 的容量和 4300 MB/s 順序讀取速度、4000 MB/s 順序?qū)懭胨俣取Ｃ拦獗硎?，推出較小解決方案的主要原因是智能手機(jī)原始設(shè)備制造商的反饋。制造商們希望為更大的電池留出更多手機(jī)內(nèi)部空間。美光在其位于美國、中國和韓國的聯(lián)合客戶實驗室開發(fā)了該產(chǎn)品，并基于其 232 層
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兩家存儲大廠：今年HBM售罄

  • 近期，SK海力士副社長Kim Ki-tae表示，今年公司的HBM已經(jīng)售罄，已開始為2025年做準(zhǔn)備。稍早之前，美光科技CEO Sanjay Mehrotra也對外透露，美光2024年的HBM產(chǎn)能預(yù)計已全部售罄。生成式AI火熱發(fā)展，推動了云端高性能AI芯片對于高帶寬內(nèi)存（HBM）的旺盛需求，存儲大廠積極瞄準(zhǔn)HBM擴(kuò)產(chǎn)。其中，三星電子從2023年四季度開始擴(kuò)大HBM3的供應(yīng)。此前2023年四季度三星內(nèi)部消息顯示，已經(jīng)向客戶提供了下一代HBM3E的8層堆疊樣品，并計劃在今年上半年開始量產(chǎn)。到下半年，其占比預(yù)計將
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江波龍車規(guī)級存儲解決方案

  • 江波龍電子在設(shè)計、資源、測試、驗證全方位布局以保證汽車存儲產(chǎn)品在高低溫變化、復(fù)雜電磁環(huán)境、物理沖擊、振動等嚴(yán)苛環(huán)境下始終可靠穩(wěn)定運(yùn)行。SPI NAND Flash該存儲采用WSON8封裝，可節(jié)約PCB空間，除此之外，其優(yōu)勢還有支持通用SPI接口，包括雙I/O或四I/O，帶有內(nèi)部ECC，使其在滿足數(shù)據(jù)傳輸效率的同時，保證數(shù)據(jù)可靠性，并支持OTP，為客戶提供更多存儲安全信息的區(qū)域。該產(chǎn)品閃存介質(zhì)為SLC NAND，容量從512MB到4GB，工作溫度最大范圍為-40~85℃。該產(chǎn)品的應(yīng)用范圍較廣，可在Wifi
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千億美元蛋糕！3D DRAM分食之戰(zhàn)悄然開局

  • 從目前公開的DRAM（內(nèi)存）技術(shù)來看，業(yè)界認(rèn)為，3D DRAM是DRAM技術(shù)困局的破解方法之一，是未來內(nèi)存市場的重要發(fā)展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工？如何解決尺寸限制等行業(yè)技術(shù)痛點？大廠布局情況？如何理解3D DRAM？DRAM（內(nèi)存）單元電路是由一個晶體管和一個電容器組成，其中，晶體管負(fù)責(zé)傳輸電流，使信息（位）能夠被寫入或讀取，電容器則用于存儲位。DRAM廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代計算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)等需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備。DRAM開發(fā)主要通過減小電路線寬來提高集成度
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江波龍企業(yè)級存儲正式量產(chǎn)一周年，交出亮眼“成績單”

  • 自2023年1月江波龍首次發(fā)布企業(yè)級存儲產(chǎn)品FORESEE ORCA 4836系列NVMe SSD與FORESEE UNCIA 3836系列SATA 3.2 SSD以來，企業(yè)級存儲產(chǎn)品于過去的一年中，在技術(shù)研發(fā)和市場應(yīng)用中取得了顯著成果。拓疆企業(yè)級存儲 屢獲市場認(rèn)可江波龍企業(yè)級存儲產(chǎn)品憑借其卓越的技術(shù)實力和性能表現(xiàn)，為企業(yè)級存儲市場注入新鮮活力。截至2024年2月，F(xiàn)ORESEE ORCA 4836系列NVMe SSD與FORESEE UNCIA 3836系列SATA 3.2 SSD兩大產(chǎn)品已順利完成鯤鵬
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首顆自研2D MLC NAND Flash！江波龍構(gòu)建完整的存儲芯片垂直整合能力

  • 江波龍研發(fā)布局突破藩籬進(jìn)入到集成電路設(shè)計領(lǐng)域，產(chǎn)品及服務(wù)獲得客戶高度認(rèn)可。繼自研SLC NAND Flash系列產(chǎn)品實現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)后，首顆自研32Gb 2D MLC NAND Flash也于近日問世。該產(chǎn)品采用BGA132封裝，支持Toggle DDR模式，數(shù)據(jù)訪問帶寬可達(dá)400MB/s，將有望應(yīng)用于eMMC、SSD等產(chǎn)品上，為公司存儲產(chǎn)品組合帶來更多可能性。隨著自研2D MLC NAND Flash的推出，江波龍將在半導(dǎo)體存儲品牌企業(yè)的定位和布局上持續(xù)深耕，不斷提升核心競爭力。  越
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1年利潤暴跌84.9%！三星樂觀 今年業(yè)績回暖：存儲漲價是開始

  • 2月1日消息，存儲一哥三星2023年的日子不太好過，全年利潤暴跌84.9%，確實沒辦法，不過他們保持樂觀態(tài)度。2023年IT市場整體低迷，尤其是存儲芯片價格暴跌的背景下，三星全年營收為258.94萬億韓元，同比減少14.3%；營業(yè)利潤為6.57萬億韓元，同比下滑84.9%。按照三星的說法，2024年上半年業(yè)績會回暖，其中以存儲產(chǎn)品價格回暖最為明顯，相關(guān)SSD等產(chǎn)品漲價不會停止，只會更猛烈。NAND芯片價格止跌回升后，目前報價仍與三星、鎧俠、SK海力士、美光等供應(yīng)商達(dá)到損益兩平點有一段差距。國內(nèi)重量級NAN
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江波龍亮相CES2024，前沿存儲技術(shù)備受矚目

  • 近日，CES2024以其獨特的視角和前瞻性的技術(shù)，吸引了全球的目光。作為全球最大的消費電子展，CES一直是各大科技公司展示最新技術(shù)和產(chǎn)品的舞臺。作為國內(nèi)知名的半導(dǎo)體存儲品牌企業(yè)，江波龍在CES期間展示了其最新的存儲技術(shù)和產(chǎn)品。在本次CES展會期間，江波龍展出了其最新的嵌入式存儲、固態(tài)硬盤（SSD）、內(nèi)存條以及存儲卡等產(chǎn)品。這些產(chǎn)品采用了先進(jìn)的制程和存儲技術(shù)，具備更高的容量、更快的讀寫速度以及更可靠的數(shù)據(jù)保護(hù)等特點，得到了現(xiàn)場觀眾和媒體的一致好評。 （圖：FORESEE產(chǎn)品全家福）以ChatGPT
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