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AI算力升級(jí)，存儲(chǔ)將扮演什么角色？

近期AI計(jì)算平臺(tái)已經(jīng)迎來(lái)新一輪升級(jí)。從NVIDIA發(fā)布Rubin GPU，到Intel發(fā)布至強(qiáng)6，再到AMD的銳龍和EPYC處理器，無(wú)一不在強(qiáng)調(diào)AI加速的重要性。特別是在PC領(lǐng)域，Windows on ARM產(chǎn)品蓄勢(shì)待發(fā)，基于x86的AI PC更是鎖定先進(jìn)制程，將AI TOPS和應(yīng)用范圍都拓寬到更廣大產(chǎn)品線中。AI時(shí)代的到來(lái)，勢(shì)必所有的AI PC、數(shù)據(jù)中心、邊緣計(jì)算、終端應(yīng)用所搭載的存儲(chǔ)器容量都呈現(xiàn)出倍數(shù)增長(zhǎng)模式，DRAM、NAND Flash需求量大增，甚至推動(dòng)新一輪的技術(shù)變革，HBM、CXL技術(shù)都是很
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阿美特克m-SAS系列小型衛(wèi)星太陽(yáng)能陣列模擬器

阿美特克程控電源事業(yè)部近日發(fā)布Elgar?品牌新款m-SAS系列太陽(yáng)能陣列模擬器。m-SAS系列太陽(yáng)能陣列模擬器提供低輸出電容和高閉環(huán)帶寬，適配當(dāng)今小型衛(wèi)星中使用的最大功率點(diǎn)跟蹤(MPPT)算法，速率可達(dá)250Hz。阿美特克m-SAS系列產(chǎn)品是專為測(cè)試小型衛(wèi)星而研發(fā)的太陽(yáng)能陣列模擬器，具有多種優(yōu)勢(shì)特性。■? ?產(chǎn)品配置滿足小型衛(wèi)星測(cè)試所需,單機(jī)1U高，單通道，840W,Voc范圍60V/80V/150V,Isc范圍5.6A/10.5A/14A■? ?m-SAS系列產(chǎn)
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群聯(lián)展出“全球首款”無(wú) DRAM PCIe 5.0 SSD 主控 E31T：速度超 10GB/s、臺(tái)積電 7nm 工藝

IT之家 6 月 17 日消息，群聯(lián)于 Computex 2024 臺(tái)北國(guó)際電腦展上展示了主流消費(fèi)級(jí) PCIe 5.0 SSD 主控 E31T。群聯(lián) PS5031-E31T 采用臺(tái)積電 7nm 制程工藝與 ARM Cortex-R5 CPU，支持 4 通道 3D TLC / QLC、最高 8TB 容量與 3600MT/s 速率。連續(xù)讀寫性能：10800 MB/s隨機(jī)讀寫性能：1500K IOPS據(jù)介紹，E31T 使用無(wú) DRAM 緩存方案，支持 HMB，可降低 15% 的電量
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西部數(shù)據(jù)實(shí)用貼心好禮滿足父親全面存儲(chǔ)需求

父親節(jié)即將到來(lái)，對(duì)于辛勞付出的父親，除了與他共享一頓豐盛大餐外，也可考慮送上電子產(chǎn)品，為他的日常生活帶來(lái)無(wú)盡便利，貼心實(shí)用。如果父親是不折不扣的忠實(shí)游戲玩家，WD_BLACK系列的高性能移動(dòng)固態(tài)硬盤WD_BLACK? P40 游戲移動(dòng)固態(tài)硬盤定可助父親一臂之力，輕松馳騁游戲世界。WD_BLACK? P40游戲移動(dòng)固態(tài)硬盤WD_BLACK P40 游戲移動(dòng)固態(tài)硬盤適用于存儲(chǔ)PlayStation? 5及Xbox? Series X|S游戲，兼容Windows以及macOS系統(tǒng)，并兼容iPhone 15系列智
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西部數(shù)據(jù)發(fā)布全新人工智能數(shù)據(jù)周期存儲(chǔ)框架，助力用戶發(fā)掘人工智能價(jià)值

西部數(shù)據(jù)公司于近日正式發(fā)布了人工智能數(shù)據(jù)周期（AI Data Cycle）框架，助力推動(dòng)下一代人工智能革新。該框架共分為六個(gè)階段，詳細(xì)闡明了如何通過(guò)優(yōu)化存儲(chǔ)組合來(lái)應(yīng)對(duì)大規(guī)模人工智能運(yùn)算負(fù)載。該框架旨在為用戶搭建先進(jìn)的存儲(chǔ)基礎(chǔ)架構(gòu)提供指導(dǎo)，幫助提高人工智能工作流的效率并降低總體擁有成本（Total Cost of Ownership，TCO），進(jìn)一步優(yōu)化人工智能領(lǐng)域的投資效益。人工智能模型運(yùn)行時(shí)會(huì)持續(xù)不斷地使用和生成數(shù)據(jù)——在處理文本、圖像、音頻、視頻以及其他形式數(shù)據(jù)的同時(shí)，生成全新的數(shù)據(jù)。隨著人工智能技術(shù)
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DDR6內(nèi)存新標(biāo)準(zhǔn)將上線

據(jù)JEDEC（固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)）消息，DDR6（包括LPDDR6）已明確會(huì)以CAMM2取代使用多年的SO-DIMM和DIMM內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。DDR6內(nèi)存最低頻率8800MHz，可提高至17.6GHz，理論最高可以推進(jìn)至21GHz，遠(yuǎn)超DDR4和DDR5內(nèi)存。CAMM2是一種全新內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，同樣支持DDR6標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存，也就是適用于臺(tái)式PC等大型PC設(shè)備。JEDEC預(yù)計(jì)，將在今年內(nèi)完成DDR6內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的初步草稿，1.0正式版最快也要到明年二季度，具體產(chǎn)品可能要到明年四季度或2026年才能看到了。從LPDDR6來(lái)看，該內(nèi)存產(chǎn)
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新型存儲(chǔ)技術(shù)迎制程突破

近日，三星電子對(duì)外表示，8nm版本的eMRAM開發(fā)已基本完成，正按計(jì)劃逐步推進(jìn)制程升級(jí)。資料顯示，eMRAM是一種基于磁性原理的、非易失性的新型存儲(chǔ)技術(shù)，屬于面向嵌入式領(lǐng)域的MRAM（磁阻存儲(chǔ)器）。與傳統(tǒng)DRAM相比，eMRAM具備更快存取速度與更高耐用性，不需要像DRAM一樣刷新數(shù)據(jù)，同時(shí)寫入速度是NAND的1000倍數(shù)?；谏鲜鎏匦?，業(yè)界看好eMRAM未來(lái)前景，尤其是在對(duì)性能、能效以及耐用性較高的場(chǎng)景中，eMRAM被寄予厚望。三星電子是eMRAM主要生產(chǎn)商之一，致力于推動(dòng)eMRAM在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用。三
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再添一家存儲(chǔ)廠商IPO過(guò)會(huì)！探究AI PC/手機(jī)存儲(chǔ)帶來(lái)的新變革

在AI加持下，存儲(chǔ)市場(chǎng)今年起勢(shì)明顯，存儲(chǔ)芯片價(jià)格上升、技術(shù)迭代步伐加速。近期，科創(chuàng)板再添一家存儲(chǔ)企業(yè)過(guò)會(huì)，近半年以來(lái)，我國(guó)已有三家存儲(chǔ)相關(guān)廠商成功上會(huì)，另有一家武漢新芯正啟動(dòng)上市輔導(dǎo)，四家廠商科創(chuàng)板IPO中止。從終端市場(chǎng)看，面對(duì)未來(lái)，AI技術(shù)對(duì)手機(jī)及PC應(yīng)用市場(chǎng)提出了新的存儲(chǔ)要求，以下將關(guān)注到AI給手機(jī)、PC端的最新變化。新“國(guó)九條”后聯(lián)蕓科技科創(chuàng)板IPO成功過(guò)會(huì)5月31日，上交所發(fā)布公告稱，通過(guò)了科創(chuàng)板擬IPO企業(yè)聯(lián)蕓科技（杭州）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“聯(lián)蕓科技”）的發(fā)行上市申請(qǐng)。公開資料顯示，聯(lián)蕓科技
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業(yè)內(nèi)首發(fā)單芯片 USB4 移動(dòng)固態(tài)硬盤，宇瞻宣布參加 2024 臺(tái)北國(guó)際電腦展

IT之家 5 月 31 日消息，存儲(chǔ)模組企業(yè)宇瞻昨日宣布將在 6 月 4 日開幕的 2024 臺(tái)北國(guó)際電腦展上以“智慧引領(lǐng) 前瞻未來(lái)”為主軸，帶來(lái)系列存儲(chǔ)新品。宇瞻將在展會(huì)上展出全球首款采用單芯片控制方案的 USB4 移動(dòng)固態(tài)硬盤。根據(jù)IT之家以往報(bào)道，群聯(lián)在 CES 2024 上就展示了符合宇瞻新聞稿中描述的單芯片主控 U21，該主控支持至大 8TB 容量，順序讀寫均可達(dá) USB4 滿速。宇瞻還將帶來(lái)原生 DDR5-6400 的 DDR5 U-DIMM / SO-DIMM
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江波龍DDR3L解決方案

DDR3L產(chǎn)品經(jīng)過(guò)40多項(xiàng)生產(chǎn)測(cè)試，滿足各種數(shù)據(jù)緩存需求。進(jìn)行了包括老化和高低溫壓力測(cè)試在內(nèi)的40多項(xiàng)生產(chǎn)測(cè)試，保證產(chǎn)品品質(zhì)可靠；采用25nm工藝，符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)；滿足網(wǎng)絡(luò)通信、消費(fèi)電子、智能終端各種數(shù)據(jù)緩存需求。該解決方案選型指南請(qǐng)下載：https://share.eepw.com.cn/share/download/id/392549
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江波龍F(tuán)ORESEE 儲(chǔ)存卡

該產(chǎn)品采用江波龍自研固件，擁有自主開發(fā)固件的能力；獲得多項(xiàng)核心技術(shù)專利；EPLUS系列與工規(guī)級(jí)microSD已通過(guò)樹莓派AVL兼容性認(rèn)證；廣泛應(yīng)用于安防監(jiān)控、工控、汽車電子、醫(yī)療等領(lǐng)域。更多相關(guān)資訊，請(qǐng)下載該方案白皮書：https://share.eepw.com.cn/share/download/id/392548
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三星計(jì)劃到2030年推出1000層3D NAND新材料

據(jù)外媒報(bào)道，三星電子正在積極探索“鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）”作為下一代NAND閃存材料，希望這種新材料可以堆疊1000層以上的3D NAND，并實(shí)現(xiàn)pb級(jí)ssd。如果上述材料研發(fā)順利，將能夠在特定條件下表現(xiàn)出鐵電性，有望取代目前在3D NAND堆疊技術(shù)中使用的氧化物薄膜，提升芯片耐用與穩(wěn)定度。據(jù)三星電子高管預(yù)測(cè)，到2030年左右，其3D NAND的堆疊層數(shù)將超過(guò)1000層。三星高管Giwook Kim將于今年6月發(fā)表技術(shù)演講，分析鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroel
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存儲(chǔ)龍頭計(jì)劃興建新工廠！

近期，日媒報(bào)道美光科技計(jì)劃在日本廣島縣興建新廠，用于生產(chǎn)DRAM芯片，美光計(jì)劃投入約51億美元。上述新廠有望于2026年動(dòng)工，并安裝EUV設(shè)備，最快2027年投入運(yùn)營(yíng)。據(jù)悉，美光曾計(jì)劃該工廠能在2024年投入使用，然而由于當(dāng)前市場(chǎng)環(huán)境的挑戰(zhàn)和不確定性，美光調(diào)整了原定的時(shí)間表。近年日本積極出臺(tái)補(bǔ)貼政策吸引半導(dǎo)體大廠赴日建廠，美光同樣可以獲得補(bǔ)貼。2023年10月，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省正式宣布，將為美光科技在廣島工廠的存儲(chǔ)芯片項(xiàng)目提供高達(dá)1920億日元的補(bǔ)貼，以支持在日研發(fā)下一代芯片。
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三星否認(rèn)自家 HBM 內(nèi)存芯片未通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試

5 月 27 日消息，此前有消息稱三星電子最新的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片尚未通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試，有“知情人士”表示，該公司的芯片因發(fā)熱和功耗問(wèn)題而受到影響。不過(guò)據(jù)韓媒Business Korea 報(bào)道，三星電子發(fā)布聲明否認(rèn)了相關(guān)報(bào)道，該公司聲稱他們正在與多家全球合作伙伴“順利進(jìn)行 HBM 芯片測(cè)試過(guò)程”，同時(shí)強(qiáng)調(diào)“他們正與其他商業(yè)伙伴持續(xù)合作，以確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性”。三星最近開始批量生產(chǎn)其第五代 HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 產(chǎn)品。在目前已量產(chǎn)的
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組臺(tái)電腦成本越來(lái)越高：除 CPU / GPU 之外，內(nèi)存和固態(tài)硬盤價(jià)格也瘋漲

IT之家 5 月 20 日消息，各位網(wǎng)友，你有發(fā)現(xiàn)現(xiàn)在組裝一臺(tái)電腦越來(lái)越貴了嗎？除了 CPU 和 GPU 兩個(gè)大件之外，內(nèi)存和固態(tài)硬盤的價(jià)格也水漲船高，基本上所有零件都處于漲價(jià)狀態(tài)。固態(tài)硬盤的價(jià)格到去年第 4 季度一直處于歷史最低點(diǎn)，甚至連 DDR5 內(nèi)存的價(jià)格似乎也已觸底。然而，這一切都將在 2024 年下半年發(fā)生改變。IT之家基于 XDA 媒體觀點(diǎn)，簡(jiǎn)要介紹如下：固態(tài)硬盤科技媒體 xda-developers 追蹤觀測(cè)過(guò)去 6-7 個(gè)月亞馬遜平臺(tái)固態(tài)硬盤價(jià)格，從 2023 年 10 月左右開
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