首頁(yè)　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會(huì)展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊(cè) 　 Datasheet　 100例 　 活動(dòng)中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請(qǐng)
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> sic mosfet

高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的新進(jìn)展

  • 從1957年第一只晶閘管的誕生開始，功率電子技術(shù)以相當(dāng)迅猛的速度發(fā)展。近年來(lái)又取得了長(zhǎng)足的進(jìn)展，產(chǎn)生極佳的經(jīng)濟(jì)及社會(huì)效益。從美國(guó)高能效經(jīng)濟(jì)委員會(huì)(ACEE)出版的一份報(bào)告可以看到，到2030年，受益于采用半導(dǎo)體技術(shù)而獲得的更高能效，可以使美國(guó)的經(jīng)濟(jì)規(guī)模擴(kuò)大70%以上，與此同時(shí)，使用的電能卻將減少11%。作為高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先廠商，安森美半導(dǎo)體一直專注于超低損耗MOSFET/IGBT、智能電源IC及集成功率模塊等方面的研發(fā)和創(chuàng)新，而且取得了長(zhǎng)足的進(jìn)展
  • 關(guān)鍵字： 安森美半導(dǎo)體  MOSFET  

IR推出微電子繼電器設(shè)計(jì)師手冊(cè)以簡(jiǎn)化選型和電路設(shè)計(jì)

  • 　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出光盤版微電子繼電器 (MER) 設(shè)計(jì)師手冊(cè)，內(nèi)容包括 IR 公司MER 產(chǎn)品系列的選型指南、應(yīng)用手冊(cè)、數(shù)據(jù)資料和設(shè)計(jì)技巧等。 　　IR 的 MER 產(chǎn)品系列包括以 MOSFET 和 IGBT 為基礎(chǔ)的光伏繼電器和光電隔離器。其中以 MOSFET 為基礎(chǔ)的器件是理想的固態(tài)繼電器，能把AC 和 DC 負(fù)載和感測(cè)信號(hào)從幾毫安轉(zhuǎn)換成幾百瓦，廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、測(cè)試設(shè)備、外圍電信設(shè)備、電腦外設(shè)
  • 關(guān)鍵字： IR  微電子繼電器  MOSFET  

完全自保護(hù)MOSFET功率器件分析

  • 為了提高系統(tǒng)可靠性并降低保修成本，設(shè)計(jì)人員在功率器件中加入故障保護(hù)電路，以免器件發(fā)生故障，避免對(duì)電子系統(tǒng)造成高代價(jià)的損害。這通常利用外部傳感器、分立電路和軟件來(lái)實(shí)現(xiàn)，但是在更多情況下，設(shè)計(jì)人員使用完全
  • 關(guān)鍵字： 器件  分析  功率  MOSFET  保護(hù)  完全  

IR推出雙PQFN2x2和雙PQFN3.3x3.3功率MOSFETs

  • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 擴(kuò)展其PQFN封裝系列，推出PQFN 2mm x 2mm和PQFN 3.3mm x 3.3mm封裝。新型封裝集成了兩個(gè)采用IR最新硅技術(shù)的HEXFET? MOSFET，為低功率應(yīng)用提供高密度、低成本的解決方案，這些應(yīng)用包括智能手機(jī)、平板電腦、攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、直流電動(dòng)機(jī)、無(wú)線感應(yīng)充電器、筆記本電腦、服務(wù)器、網(wǎng)通設(shè)備等
  • 關(guān)鍵字： IR  MOSFET  

IR日推出新車用MOSFET系列

  • 　　國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR)近日推出新的車用MOSFET系列，適合要求低導(dǎo)通電阻的一系列應(yīng)用，包括傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī) (ICE) 平臺(tái)以及微型和混合動(dòng)力汽車平臺(tái)上的重載應(yīng)用。
  • 關(guān)鍵字： IR  MOSFET  

IR推出堅(jiān)固的新系列40V至75V車用MOSFET

  • 　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR)近日推出新的車用MOSFET系列，適合要求低導(dǎo)通電阻的一系列應(yīng)用，包括傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī) (ICE) 平臺(tái)以及微型和混合動(dòng)力汽車平臺(tái)上的重載應(yīng)用。
  • 關(guān)鍵字： IR  柵級(jí)驅(qū)動(dòng)  MOSFET  

Diodes 全新MOSFET組合可減少直流電機(jī)損耗

  • Diodes 公司推出一對(duì)互補(bǔ)性雙 MOSFET 組合DMC4040SSD，可用于低壓?jiǎn)蜗?三相無(wú)刷直流（BLDC）電機(jī)控制應(yīng)用。該組合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道導(dǎo)通電阻（Rdson）性能，以確保平衡分配電機(jī)負(fù)載的直流損耗并將其減少到最小。
  • 關(guān)鍵字： Diodes  MOSFET  DMC4040SSD  

Diodes 全新MOSFET 組合可減少直流電機(jī)損耗

  • 　　Diodes 公司推出一對(duì)互補(bǔ)性雙 MOSFET 組合DMC4040SSD，可用于低壓?jiǎn)蜗?三相無(wú)刷直流(BLDC)電機(jī)控制應(yīng)用。該組合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道導(dǎo)通電阻(Rdson)性能，以確保平衡分配電機(jī)負(fù)載的直流損耗并將其減少到最小。　　
  • 關(guān)鍵字： Diodes  DMC4040SSD  MOSFET   

說出你的故事：中國(guó)IC設(shè)計(jì)及應(yīng)用創(chuàng)新案例

  • 　　現(xiàn)代創(chuàng)新理論的提出者約瑟夫·熊彼特認(rèn)為，企業(yè)家的職能就是實(shí)現(xiàn)“創(chuàng)新”，引進(jìn)生產(chǎn)要素或生產(chǎn)條件的“新組合”，目的是最大限度地獲取超額利潤(rùn)。創(chuàng)新催生利潤(rùn)，因此“創(chuàng)新”一詞得到狂熱追捧，幾乎所有企業(yè)都在打出各式各樣的創(chuàng)新口號(hào)。 　　不僅業(yè)內(nèi)企業(yè)在摸索和實(shí)踐著創(chuàng)新，作為“深圳(國(guó)際)集成電路技術(shù)創(chuàng)新與應(yīng)用展覽會(huì)”的組織機(jī)構(gòu)——深圳市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)也在積極行動(dòng)。他們?cè)谏钊胝{(diào)研了
  • 關(guān)鍵字： IC設(shè)計(jì)  MOSFET  音頻解碼器  

飛兆半導(dǎo)體功率級(jí)非對(duì)稱雙MOSFET器件

  • 電源工程師一直面對(duì)減小應(yīng)用空間和提高功率密度的兩個(gè)主要挑戰(zhàn)，而在筆記本電腦、負(fù)載點(diǎn)、服務(wù)器、游戲和電信應(yīng)用中，上述兩點(diǎn)尤為重要。為了幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)，全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)出FDMS36xxS系列功率級(jí)非對(duì)稱雙MOSFET模塊。
  • 關(guān)鍵字： 飛兆  MOSFET  FDMS36xxS  

IR推出新款PQFN 2mm x 2mm封裝

  • 　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 擴(kuò)展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術(shù)，為一系列的低功耗應(yīng)用，包括智能手機(jī)、平板電腦、攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、筆記本電腦、服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案。　
  • 關(guān)鍵字： IR  PQFN  MOSFET  

IR新款超小型PQFN2x2功率MOSFET登場(chǎng)

  • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 擴(kuò)展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術(shù)，為一系列的低功耗應(yīng)用，包括智能手機(jī)、平板電腦、攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、筆記本電腦、服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案。
  • 關(guān)鍵字： IR  HEXFET MOSFET  

2011年中國(guó)功率MOSFET市場(chǎng)放緩的兩個(gè)因素

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，2010年中國(guó)功率MOSFET市場(chǎng)快速增長(zhǎng)，銷售額達(dá)到23億美元，比2009年的16億美元增長(zhǎng)43%。 　　直到去年第三季度，功率MOSFET在2010年多數(shù)時(shí)間都處于供應(yīng)不足局面，難以滿足中國(guó)各行業(yè)的需求，包括本地?cái)?shù)據(jù)處理、消費(fèi)與通信領(lǐng)域。功率MOSFET是為處理較高的功率級(jí)而設(shè)計(jì)的功率半導(dǎo)體器件，主要用于電源與DC-DC轉(zhuǎn)換器中的低電壓開關(guān)?！?/li>
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  DC-DC轉(zhuǎn)換器  

同步降壓MOSFET電阻比的正確選擇

  • 在這篇《電源設(shè)計(jì)小貼士》中，我們將研究在同步降壓功率級(jí)中如何對(duì)傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)。進(jìn)行這種折中處理可得到一個(gè)用于 FET 選擇的非常有用的起始點(diǎn)。通常，作為設(shè)計(jì)過程的一個(gè)組
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  同步降壓  電阻比    

混合動(dòng)力電動(dòng)車應(yīng)用中大功率器件的五大要素

  • 盡管標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)燃機(jī)驅(qū)動(dòng)的汽車可以相對(duì)輕松地從12V電池供電和相應(yīng)的12V/14V交流發(fā)電機(jī)獲取車載系統(tǒng)的電氣需...
  • 關(guān)鍵字： 混合動(dòng)力  電動(dòng)車  大功率器件  IGBT  MOSFET  
共1604條 84/107 |‹ « 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 » ›|

sic mosfet介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條sic mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)sic mosfet的理解，并與今后在此搜索sic mosfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473