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Fairchild開(kāi)發(fā)出用于MOSFET器件的Dual Cool封裝

  • 　　為了滿足高電流能力、高效率和更小外形尺寸的需求，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開(kāi)發(fā)出用于MOSFET器件的Dual Cool封裝，Dual Cool封裝是采用嶄新封裝技術(shù)的頂部冷卻PQFN器件，可以通過(guò)封裝的頂部實(shí)現(xiàn)額外的功率耗散。 　　Dual Cool封裝具有外露的散熱塊，能夠顯著減小從結(jié)點(diǎn)到外殼頂部的熱阻。與標(biāo)準(zhǔn)PQFN封裝相比，Dual Cool封裝在配合散熱片使用時(shí)，可將功率耗散能力提高60%以上。此外，采用Dual Cool封裝的MOSFET通過(guò)使用飛兆
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Vishay發(fā)布40V和60V N溝道TrenchFET功率MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封裝，具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，以及最低的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即優(yōu)值系數(shù)。 　　40 V SiR640DP在10V和4.5V下的導(dǎo)通電阻為1.7m?和2.2m?，在10V和4.5V下的FOM分別為128m?-nC和76m?-nC。器件在4.5V下的導(dǎo)通電阻比最
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saber下MOSFET驅(qū)動(dòng)仿真實(shí)例

  • saber下MOSFET驅(qū)動(dòng)仿真實(shí)例,設(shè)計(jì)中，根據(jù)IXYS公司IXFN50N80Q2芯片手冊(cè)中提供的ID-VDS，ID-VGS和Cap-VDS等特性曲線及相關(guān)參數(shù)，利用saber提供的Model Architect菜單下Power MOSFET Tool建立IXFN50N80Q2仿真模型，圖5-1所示MOSFET DC Characteris
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Vishay新款N溝道功率MOSFET刷新最低導(dǎo)通電阻記錄

  • 　　賓夕法尼亞、MALVERN—2011年3月31日—日前，Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代號(hào)：VSH)宣布，發(fā)布新款40V和60VN溝道Trench FET?功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK?SO-8封裝，具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，以及最低的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即優(yōu)值系數(shù)。
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設(shè)計(jì)高效高可靠LED燈具的五個(gè)忠告

  • 　　進(jìn)入2011年，澳大利亞已經(jīng)率先禁止使用白熾燈，這為L(zhǎng)ED燈具的大規(guī)模普及揭開(kāi)了序幕，另外，隨著歐盟各國(guó)、日本、加拿大等國(guó)家將在2012年禁止使用白熾燈，LED燈具的照明普及率會(huì)進(jìn)一步提升，這讓掘金綠色照明革命的中國(guó)數(shù)千家LED燈具廠商歡欣鼓舞――因?yàn)橐粋€(gè)巨大的市場(chǎng)就要開(kāi)啟，而這次唱主角的是中國(guó)廠商。不過(guò)，應(yīng)當(dāng)看到，LED燈具要普及，不但需要大幅度降低成本，更需要解決能效和可靠性的難題，如何解決這些難題，Power Integrations市場(chǎng)營(yíng)銷副總裁Doug Bailey分享了高效高可靠LED燈具
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利用屏蔽柵極功率 MOSFET 技術(shù)降低傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗

大電流便攜式DC/DC變換中MOSFET功耗的計(jì)算

  • 0 引言 眾所周知，今天的便攜式電源設(shè)計(jì)者所面臨的最嚴(yán)峻挑戰(zhàn)就是為當(dāng)今的高性能CPU提供電源。近年來(lái)，內(nèi)核CPU所需的電源電流每?jī)赡昃头环幢銛y式內(nèi)核CPU電源電流需求會(huì)高達(dá)40A之大，而電壓在0.9V和1.75
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功率MOSFET雪崩擊穿問(wèn)題分析

  • 摘要：分析了功率MOSFET雪崩擊穿的原因，以及MOSFET故障時(shí)能量耗散與器件溫升的關(guān)系。和傳統(tǒng)的雙極性晶體管相比，反向偏置時(shí)MOSFET雪崩擊穿過(guò)程不存在“熱點(diǎn)”的作用，而電氣量變化卻十分復(fù)雜。寄生器件在
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Vishay推出第三代TrenchFET?功率MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET?功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK? SC-70封裝，具有8V柵源電壓和迄今為止雙芯片P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。 　　
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MOSFET基礎(chǔ)：理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數(shù)特性

  • 通常，許多資料和教材都認(rèn)為，MOSFET的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此可以并聯(lián)工作。當(dāng)其中一個(gè)并聯(lián)的MOSFET的溫...
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Vishay推出新的100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出兩款新的100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型ThunderFET?技術(shù)，在具有4.5V電壓等級(jí)的100V MOSFET中具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。
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DC/DC 控制器驅(qū)動(dòng)5V 邏輯電平 MOSFET 以實(shí)現(xiàn)高效率

  • 近日（2010年11月2日）凌力爾特公司(LinearTechnologyCorporation)推出窄/寬輸入電壓范圍(2.7V至5...
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IR新款高性能PQFN功率MOSFET系列

  • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商–國(guó)際整流器公司(InternationalRectifier，簡(jiǎn)稱IR)推出一系列25V及3...
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Linear 推出 LTC4444/-5 的 H 級(jí)版本

  • 　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC4444/-5 的 H 級(jí)版本，該器件是一款高速、高輸入電源電壓 (100V)、同步 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器，為在同步整流轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲序?qū)動(dòng)高端和低端 N 溝道功率 MOSFET 而設(shè)計(jì)。該驅(qū)動(dòng)器與功率 MOSFET 以及凌力爾特公司很多 DC/DC 控制器之一相結(jié)合，可構(gòu)成完整的高效率同步穩(wěn)壓器。LTC4444H/-5 在 -40°C 至 150°C 的節(jié)溫范圍內(nèi)工作，而 I 級(jí)版本的工作溫度范
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利用低門限電壓延長(zhǎng)電池壽命

  •         降低能量消耗、延長(zhǎng)電池壽命，這是每個(gè)工程師在設(shè)計(jì)便攜式電子產(chǎn)品時(shí)努力的目標(biāo)。電池技術(shù)的進(jìn)步非常緩慢，所以便攜式產(chǎn)品的設(shè)計(jì)者把延長(zhǎng)電池壽命的重點(diǎn)放在電源管理上。多年以來(lái)，從事電源管理業(yè)務(wù)的半導(dǎo)體制造商盡力跟上終端系統(tǒng)用戶的需求。越來(lái)越多的便攜式電子產(chǎn)品在功能上花樣翻新，這些產(chǎn)品需要峰值性能，要求設(shè)計(jì)者在設(shè)備的物理尺度內(nèi)實(shí)現(xiàn)盡可能高的效率。雖然電池行業(yè)努力開(kāi)發(fā)具有比傳統(tǒng)鎳鎘(NiCd)電池電量更高的替代電池技術(shù)，但還遠(yuǎn)不能滿
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sic mosfet介紹

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