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推動(dòng)更快、更安全、更高效EV充電器的技術(shù)
- 隨著電動(dòng)汽車(EV)數(shù)量的增加,對(duì)創(chuàng)建更加節(jié)能的充電基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)的需求也在日益增長(zhǎng),如此便可更快地為車輛充電。與先前的電動(dòng)汽車相比,新型電動(dòng)汽車具有更高的行駛里程和更大的電池容量,因此需要開發(fā)快速直流充電解決方案以滿足快速充電要求。150 kW或200 kW的充電站約需要30分鐘才能將電動(dòng)汽車充電至80%,行駛大約250 km。根據(jù)聯(lián)合充電系統(tǒng)和Charge de Move標(biāo)準(zhǔn), 快速DC充電站 可提供高達(dá)400 kW的功率。今天,我們將研究驅(qū)動(dòng)更快、更安全、更高效的充電器的半導(dǎo)體技術(shù)
- 關(guān)鍵字: EV SiC IGBT MOSEFT CMTI
UnitedSiC與益登科技簽署分銷協(xié)議
- 領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商 UnitedSiC 近日宣布與益登科技簽署代理協(xié)議,益登科技是總部位于臺(tái)灣的半導(dǎo)體產(chǎn)品主要分銷商和解決方案供應(yīng)商。益登科技將與UnitedSiC合作,助其將產(chǎn)品推向亞洲市場(chǎng),為包括電動(dòng)汽車、電池充電、IT基礎(chǔ)設(shè)施、可再生能源和電路保護(hù)等高增長(zhǎng)應(yīng)用領(lǐng)域的客戶提供產(chǎn)品方案。UnitedSiC全球銷售和營(yíng)銷副總裁Yalcin BulutUnitedSiC全球銷售和營(yíng)銷副總裁Yalcin Bulut 表示:“亞洲市場(chǎng)正在迅速崛起,急需采用能夠?qū)崿F(xiàn)新產(chǎn)品差異化的新技術(shù)。益登的
- 關(guān)鍵字: SiC 電動(dòng)汽車
安森美半導(dǎo)體的碳化硅(SiC)功率模塊 將支持臺(tái)達(dá)的太陽能光伏逆變器
- 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor),推出一款適用于?太陽能逆變器應(yīng)用?的?全SiC功率模塊?,該產(chǎn)品已被全球領(lǐng)先的電源和熱管理方案供應(yīng)商臺(tái)達(dá)選用,用于支持其M70A三相光伏組串逆變器。?NXH40B120MNQ系列全SiC功率模塊集成了一個(gè)1200 V、40 mΩ SiC MOSFET和具有雙升壓級(jí)的1200 V,40 A SiC升壓二極管。 SiC技術(shù)的使用提供了實(shí)現(xiàn)太陽能逆變器等應(yīng)用中所要求高能效水平所需的低反向恢復(fù)和快速
- 關(guān)鍵字: MOSFET SiC PIM 光伏逆變器
寬禁帶生態(tài)系統(tǒng):快速開關(guān)和顛覆性的仿真環(huán)境
- 寬禁帶?材料實(shí)現(xiàn)了較當(dāng)前硅基技術(shù)的飛躍。 它們的大帶隙導(dǎo)致較高的介電擊穿,從而降低了導(dǎo)通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設(shè)計(jì)和工作,降低的漏電流和更好的導(dǎo)熱性有助于高溫下的工作。安森美半導(dǎo)體提供圍繞寬禁帶方案的獨(dú)一無二的生態(tài)系統(tǒng),包含從旨在提高強(qiáng)固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門極驅(qū)動(dòng)器。 除了硬件以外,我們還提供spice物理模型,幫助設(shè)計(jì)人員在仿真中實(shí)現(xiàn)其應(yīng)用性能,縮短昂貴的測(cè)試周期。我們的預(yù)測(cè)性離散建??梢赃M(jìn)行系統(tǒng)級(jí)仿真
- 關(guān)鍵字: IC RDS(on) CAD MOSFET SiC MOS
臻驅(qū)科技與羅姆成立碳化硅技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室
- 中國(guó)新能源汽車電驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域高科技公司臻驅(qū)科技(上海)有限公司(以下簡(jiǎn)稱“臻驅(qū)科技”)與全球知名半導(dǎo)體廠商ROHM Co., Ltd.(以下簡(jiǎn)稱“羅姆”)宣布在中國(guó)(上海)自由貿(mào)易區(qū)試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)成立“碳化硅技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”,并于2020年6月9日舉行了揭牌儀式。與IGBT*1等硅(Si)功率元器件相比,碳化硅(SiC)功率元器件具有傳導(dǎo)損耗、開關(guān)損耗*2小、耐溫度變化等優(yōu)勢(shì),作為能夠顯著降低損耗的半導(dǎo)體,在電動(dòng)汽車車載充電器以及DC/DC轉(zhuǎn)換器等方面的應(yīng)用日益廣泛。自2017年合作以來,臻驅(qū)科技和羅姆就采
- 關(guān)鍵字: MOSEFT SiC
新基建驅(qū)動(dòng)電力電源變革,ST祭出一攬子解決方案
- 我國(guó)正在大力進(jìn)行新基建,工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、汽車充電樁、5G手機(jī)等對(duì)電力與電源提出了更高的能效要求。與此同時(shí),SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體材料風(fēng)生水起,奠定了堅(jiān)實(shí)的發(fā)展基礎(chǔ)。充電樁、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、手機(jī)需要哪些新電力與電源器件?近日,ST(意法半導(dǎo)體)亞太區(qū)功率分立器件和模擬產(chǎn)品部區(qū)域營(yíng)銷及應(yīng)用副總裁Francesco MUGGERI接受了電子產(chǎn)品世界記者的采訪,分享了對(duì)工業(yè)市場(chǎng)的預(yù)測(cè),并介紹了ST的新產(chǎn)品。ST亞太區(qū) 功率分立器件和模擬產(chǎn)品部 區(qū)域營(yíng)銷及應(yīng)用副總裁 Francesco MUGGERI1 工業(yè)電源市場(chǎng)
- 關(guān)鍵字: 電源 SiC IGBT GaN
Microchip推出3kW瞬態(tài)電壓抑制二極管陣列產(chǎn)品,實(shí)現(xiàn)嚴(yán)苛環(huán)境下出色的電路保護(hù)
- 航空航天系統(tǒng)依賴于引擎控制單元、環(huán)境控制、儀器和執(zhí)行器中的數(shù)字和邏輯功能與電路才能完成關(guān)鍵的工作。數(shù)據(jù)中心、5G基礎(chǔ)設(shè)施和通信系統(tǒng)同樣依賴于復(fù)雜的電路,而這些電路需要得到妥善保護(hù)。即便有閃電、太陽活動(dòng)和電磁事故引起的電壓浪涌和尖峰,系統(tǒng)仍必須保持連續(xù)運(yùn)行。Microchip Technology Inc.(美國(guó)微芯科技公司)今日宣布推出其最新瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)垂直陣列產(chǎn)品組合 — MDA3KP瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)。?該3kW二極管系列擁有超過25款產(chǎn)品,具有不同的篩選級(jí)別、極性和認(rèn)證標(biāo)
- 關(guān)鍵字: TVS SBD ESD EFT MSL RTCA
緯湃科技和羅姆攜手打造SiC電源解決方案
- 汽車電動(dòng)化領(lǐng)域的領(lǐng)先供應(yīng)商——緯湃科技(以下簡(jiǎn)稱“Vitesco”)近日宣布選擇SiC功率元器件的領(lǐng)軍企業(yè)——羅姆(以下簡(jiǎn)稱“ROHM”)作為其SiC技術(shù)的首選供應(yīng)商,并就電動(dòng)汽車領(lǐng)域電力電子技術(shù)簽署了開發(fā)合作協(xié)議(2020年6月起生效)。通過使用SiC功率元器件,大陸集團(tuán)旗下的Vitesco將能夠進(jìn)一步提高電動(dòng)汽車用電力電子器件的效率。由于SiC功率元器件具有高效率等特性,因而可以更有效地利用電動(dòng)汽車電池的電能。這將非常有助于延長(zhǎng)電動(dòng)汽車的續(xù)航里程并削減電池體積。Vitesco電氣化技術(shù)事業(yè)部執(zhí)行副總裁
- 關(guān)鍵字: SiC 電氣
碳化硅發(fā)展勢(shì)頭強(qiáng) 英飛凌650V CoolSiC MOSFET推高創(chuàng)新浪潮
- 近期,多家公司發(fā)布了碳化硅(SiC)方面的新產(chǎn)品。作為新興的第三代半導(dǎo)體材料之一,碳化硅具備哪些優(yōu)勢(shì),現(xiàn)在的發(fā)展程度如何?不久前,碳化硅的先驅(qū)英飛凌科技公司推出了650V的CoolSiC? MOSFET,值此機(jī)會(huì),電子產(chǎn)品世界訪問了英飛凌電源管理及多元化市場(chǎng)事業(yè)部大中華區(qū)開關(guān)電源應(yīng)用高級(jí)市場(chǎng)經(jīng)理陳清源先生。英飛凌,電源管理及多元化市場(chǎng)事業(yè)部,大中華區(qū),開關(guān)電源應(yīng)用,高級(jí)市場(chǎng)經(jīng)理,陳清源碳化硅與氮化鎵、硅材料的關(guān)系碳化硅MOSFET是一種新器件,它的出現(xiàn)使一些以前硅材料很難被應(yīng)用的電源轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu),例如電流連續(xù)
- 關(guān)鍵字: SiC UPS
ROHM的SiC功率元器件被應(yīng)用于UAES的電動(dòng)汽車車載充電器
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)的SiC功率元器件(SiC MOSFET*1)被應(yīng)用于中國(guó)汽車行業(yè)一級(jí)綜合性供應(yīng)商——聯(lián)合汽車電子有限公司(United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ,總部位于中國(guó)上海市,以下簡(jiǎn)稱“UAES公司”)的電動(dòng)汽車車載充電器(On Board Charger,以下簡(jiǎn)稱“OBC”)。UAES公司預(yù)計(jì)將于2020年10月起向汽車制造商供應(yīng)該款OBC。與IGBT*2等Si(硅)功率元器件相比,SiC功率元器件是一種能
- 關(guān)鍵字: OBC SiC MOSFET
安森美半導(dǎo)體推出新的900 V和 1200 V SiC MOSFET用于高要求的應(yīng)用
- 近日,推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON),推出另兩個(gè)碳化硅(SiC) MOSFET系列,擴(kuò)展了其寬禁帶(WBG)器件系列。?這些新器件適用于各種高要求的高增長(zhǎng)應(yīng)用,包括太陽能逆變器、電動(dòng)汽車(EV)車載充電、不間斷電源(UPS)、服務(wù)器電源和EV充電樁,提供的性能水平是硅(Si)?MOSFET根本無法實(shí)現(xiàn)的。安森美半導(dǎo)體的新的1200伏(V)和900 V N溝道SiC MOSFET提供比硅更快的開關(guān)性能和更高的可靠性??焖俦菊鞫?/li>
- 關(guān)鍵字: SiC WBG
CISSOID宣布推出用于電動(dòng)汽車的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模塊
- 各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID近日宣布,將繼續(xù)致力于應(yīng)對(duì)汽車和工業(yè)市場(chǎng)的挑戰(zhàn),并推出用于電動(dòng)汽車的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模塊(IPM)平臺(tái)。這項(xiàng)新的智能功率模塊技術(shù)提供了一種一體化解決方案,即整合了內(nèi)置柵極驅(qū)動(dòng)器的三相水冷式碳化硅MOSFET模塊。這個(gè)全新的可擴(kuò)展平臺(tái)同時(shí)優(yōu)化了功率開關(guān)的電氣、機(jī)械和散熱設(shè)計(jì)及其臨界控制,對(duì)于電動(dòng)汽車(EV)整車廠和愿意快速采用基于碳化硅的逆變器以實(shí)現(xiàn)更高效、更簡(jiǎn)潔電機(jī)驅(qū)動(dòng)的電動(dòng)機(jī)制造商而言,該平臺(tái)可以幫助他們加快產(chǎn)品上市時(shí)間。該可擴(kuò)展
- 關(guān)鍵字: SiC IPM
電機(jī)的應(yīng)用趨勢(shì)及控制解決方案
- 顧偉俊? (羅姆半導(dǎo)體(上海)有限公司?技術(shù)中心?現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師)摘? 要:介紹了電機(jī)的應(yīng)用趨勢(shì),以及MCU、功率器件的產(chǎn)品動(dòng)向。 關(guān)鍵詞:電機(jī);BLDC;MCU;SiC;IPM1? 電機(jī)的應(yīng)用趨勢(shì)?隨著智能家居、工業(yè)自動(dòng)化、物流自動(dòng)化等概念的 普及深化,在與每個(gè)人息息相關(guān)的家電領(lǐng)域、車載領(lǐng) 域以及工業(yè)領(lǐng)域,各類電機(jī)在技術(shù)方面都出現(xiàn)了新的 需求。?在家電領(lǐng)域,電器的 智能化需要電器對(duì)人機(jī)交 流產(chǎn)生相應(yīng)的反饋。例如 掃地機(jī)器人需要掃描計(jì)算 空間,規(guī)劃路線,然后執(zhí) 行移動(dòng)以及相應(yīng)
- 關(guān)鍵字: 202003 電機(jī) BLDC MCU SiC IPM
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