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Power Integrations發(fā)布超薄表面貼裝型封裝電源IC

  • ???????用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日宣布其行業(yè)領(lǐng)先的TOPSwitch-JX電源轉(zhuǎn)換IC系列新增了創(chuàng)新的eSOP?超薄功率封裝形式。這款全新的超薄表面貼裝型封裝非常適合最大功率在65 W以下、不使用散熱片的緊湊敞開式設(shè)計，如超薄LCD電視輔助電源、機頂盒、PC待機和DVD播放器等產(chǎn)品的電源。
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使用TOPSwitch-JX器件設(shè)計的待機電源參考設(shè)計

  • 用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路的PowerIntegrations公司（納斯達克股票代號：POWI），今日宣布推出使用其新近發(fā)...
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PI新推出的TOPSwitch-JX系列電源轉(zhuǎn)換IC

  • 　　PI公司今日宣布推出TOPSwitch-JX系列器件，新產(chǎn)品系列共由16款高度集成的功率轉(zhuǎn)換IC組成，其內(nèi)部均集成有一個725 V功率MOSFET，適用于設(shè)計反激式電源。新型TOPSwitch-JX器件采用多模式控制算法，可提高整個負載范圍內(nèi)的功率效率。由于在滿功率下工作效率較高，因此可減少正常工作期間的功率消耗量，同時降低系統(tǒng)散熱管理的復(fù)雜性及費用支出。在低輸入功率水平下，高效率還可使適配器的空載功耗降至最低，增大待機模式下對系統(tǒng)的供電量，這一點特別適用于受到能效標準和規(guī)范約束的產(chǎn)品應(yīng)用。 　
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ARM發(fā)布45納米SOI測試結(jié)果，最高節(jié)能40%

  • 　　ARM公司近日在于加州福斯特市舉行的IEEE SOI大會上發(fā)布了一款絕緣硅(silicon-on-insulator，SOI)45納米測試芯片的測試結(jié)果。結(jié)果表明，相較于采用傳統(tǒng)的體效應(yīng)工藝(bulk process)進行芯片制造，該測試芯片顯示出最高可達40%的功耗節(jié)省的可能性。這一測試芯片是基于ARM1176™ 處理器，能夠在SOI和體效應(yīng)微處理器實施之間進行直接的比較。此次發(fā)布的結(jié)果證實了在為高性能消費設(shè)備和移動應(yīng)用設(shè)計低功耗處理器時，SOI是一項取代傳統(tǒng)體效應(yīng)工藝的可行技術(shù)。 　
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ARM制成45nm SOI測試芯片 功耗降低40%

  • 　　據(jù)ARM的研究人員的報道，公司制成的45nm SOI測試芯片和普通相同尺寸工藝相比，功耗可減少40%。該結(jié)果在近期的IEEE SOI Conference上發(fā)表。
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GlobalFoundries 32nm SOI制程良率突破兩位數(shù)

  • 　　在最近召開的GSA會議(GSA Expo conference)上，GlobalFoundries公司宣稱其使用32nm SOI制程工藝制作的24Mbit SRAM芯片的良率已經(jīng)達到兩位數(shù)水平，預(yù)計年底良率有望達到50%左右。GlobalFoundries同時會在這個會議上展示其最新的制造設(shè)備。 　　據(jù)稱目前Intel 32nm Bulk制程技術(shù)的良率應(yīng)已達到70-80%左右的水平，而且已經(jīng)進入正式量產(chǎn)階段，在32nm制程方面他們顯然又領(lǐng)先了一大步。不過按AMD原來的計劃，32nm SOI制程將在2
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Soitec第一季度銷售額環(huán)比增長22.3%

  • 　　法國SOI技術(shù)公司Soitec公布2009-2010財年第一季度銷售額為4390萬歐元(約合6190萬美元)，環(huán)比增長22.3%，同比減少27.2%。 　　6月，Soitec在收到了主要客戶的急單之后，大幅上調(diào)了第一財季的預(yù)期，預(yù)測第一季度銷售額環(huán)比增長20%。 　　第一季度，Soitec稱晶圓銷售收入為4110萬歐元(約合5790萬美元)，環(huán)比增長30.8%。其中300mm晶圓占了84%的份額，環(huán)比增長35%。
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Global Foundries挖角為新廠Fab2鋪路

  • 　　Global Foundries再度展開挖角，繼建置布局營銷業(yè)務(wù)、設(shè)計服務(wù)團隊之后，這次延攬建廠、廠務(wù)人才并將目標鎖定半導(dǎo)體設(shè)備商，Global Foundries預(yù)計2009年7月破土的Fab 2正在緊鑼密鼓策畫中，這次延攬的Norm Armour原屬設(shè)備龍頭應(yīng)用材料(Applied Materials)服務(wù)事業(yè)群高層，而Eric Choh則是原超微(AMD)晶圓廠營運干部，兩人都熟稔晶圓廠設(shè)備系統(tǒng)與IBM技術(shù)平臺。 　　Global Foundries宣布新一波人事布局，主要是為了積極籌備位于紐
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Global Foundries志在英特爾　臺廠不是主要對手

  • 　　Global Foundries制造系統(tǒng)與技術(shù)副總裁Tom Sonderman表示，Global Foundries位于紐約Fab 2將于7月破土，專攻28納米制程已以下制程技術(shù)，未來將持續(xù)延攬來自各界半導(dǎo)體好手加入壯大軍容，同時他也指出，目前45/40納米良率水平成熟并獲利可期，2009年底前Fab 1將全數(shù)轉(zhuǎn)進40/45納米制程。Global Foundries表示，在晶圓代工領(lǐng)域臺積電雖是對手之一，但真正的目標(Bench Mark)其實對準英特爾(Intel)。 　　競爭對手臺積電45/40
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英飛凌與LS合組新公司，聚焦白家電電源模塊

  • 　　新聞事件： 　　韓國LS與英飛凌科技共同成立LS Power Semitech Co., Ltd 　　事件影響： 　　將使英飛凌和LSI得以加速進入高效能家電、低功率消費與標準工業(yè)應(yīng)用等前景好的市場 　　LS預(yù)計于2010年1月在天安市的生產(chǎn)基地開始量產(chǎn)CIPOS模塊 　　韓國LS Industrial Systems與英飛凌科技(Infineon)共同成立了一家合資公司──LS Power Semitech Co., Ltd，將聚焦于白色家電壓模電源模塊的研發(fā)、生產(chǎn)與行銷。 　　合
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新型部分耗盡SOI器件體接觸結(jié)構(gòu)

  • 提出了一種部分耗盡SOI MOSFET體接觸結(jié)構(gòu)，該方法利用局部SIMOX技術(shù)在晶體管的源、漏下方形成薄氧化層，采用源漏淺結(jié)擴散，形成體接觸的側(cè)面引出，適當加大了Si膜厚度來減小體引出電阻。利用ISE一TCAD三維器件模擬結(jié)果表明，該結(jié)構(gòu)具有較小的體引出電阻和體寄生電容、體引出電阻隨器件寬度的增加而減小、沒有背柵效應(yīng)。而且，該結(jié)構(gòu)可以在不增加寄生電容為代價的前提下，通過適當?shù)脑黾觭i膜厚度的方法減小體引出電阻，從而更有效地抑制了浮體效應(yīng)。
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IMEC加入SOI聯(lián)盟

  •         據(jù)EE Times網(wǎng)站報道，旨在推進SOI晶圓應(yīng)用的產(chǎn)業(yè)組織SOI聯(lián)盟（SOI Consortium）宣布，比利時研究機構(gòu)IMEC已加入?yún)f(xié)會作為學(xué)術(shù)會員。         IMEC是一家獨立的納電子研究中心，已在SOI技術(shù)領(lǐng)域積極開展研究超過20年。IMEC開展的合作性CMOS微縮研究較商用制造水平超前2至3個節(jié)點。IMEC不僅研究SOI相關(guān)的器件原
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加快推進集成電路產(chǎn)業(yè)材料本土化合作

  •         由上海市集成電路行業(yè)協(xié)會舉辦的“集成電路產(chǎn)業(yè)材料本土化合作交流會”2月17日在張江休閑中心召開。來自上海新陽半導(dǎo)體材料有限公司、安集微電子（上海）有限公司、上海新傲科技有限公司、上海華誼微電子材料有限公司等集成電路材料企業(yè)就高純CU電鍍液、SOI外延片、CMP拋光液、清洗液及高純化學(xué)試劑等新材料、新工藝做了介紹。會上近60位長三角地區(qū)晶圓制造企業(yè)代表參與并就四個報告進行交流。  &nb
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SOI的CAN收發(fā)器實現(xiàn)EMC優(yōu)化重大突破

  • 網(wǎng)絡(luò)電子系統(tǒng)在汽車和工業(yè)應(yīng)用中日益得到廣泛部署，飛利浦采用獨特的新型絕緣體上硅芯片(SOI)技術(shù)推出的控制...
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用IC激發(fā)汽車電子的創(chuàng)新

  • 訪NXP 高級副總裁兼首席技術(shù)官 Rene Penning de Vires 當人們在逐步習(xí)慣使用車用遙控門鎖（Remote Keyless Entry）打開車門的時候，也在慢慢淡忘曾經(jīng)的手動金屬鑰匙。將來，被稱作“駛向未來的鑰匙”的智能鑰匙又會怎樣簡化汽車的駕乘？ 智能鑰匙其實是采用了NFC(近距離無線通信)、GPS無線技術(shù)和顯示技術(shù)的智能卡?？梢酝ㄟ^顯示屏直觀地顯示汽車停泊的位置、安全狀態(tài)等等信息，并且可以打造成一個非接觸式支付的多功能錢包。智能鑰匙通過無線網(wǎng)絡(luò)將駕
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