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UltraSoC獲晶心科技選用于RISC-V開發(fā)的追蹤及調試

  • 　　UltraSoC日前宣布：亞洲領先且成熟的中央處理器半導體知識產權(CPU IP)供應商晶心科技(Andes Technology)已采用UltraSoC先進的嵌入式分析技術，來支持其AndesCore系列RISC-V處理器。晶心科技將利用UltraSoC包括業(yè)界唯一商用RISC-V處理器追蹤解決方案在內的獨一無二的IP產品系列，來實現(xiàn)其復雜應用嵌入式產品的開發(fā)加速和調試增強，這些應用包括人工智能(AI)、計算機視覺、網(wǎng)絡控制器和存儲等?！　杉夜緦y手在即將舉行的RISC-V大
  • 關鍵字： UltraSoC  RISC-V  

晶心科技AndeStar? V5發(fā)布，采用RISC-V技術提升新一代CPU性能

  • 近年來，RISC-V作為一種新興的開源處理器基礎架構技術/標準，一度吸引眾多業(yè)內人士關注，而由于其指令集精簡、模塊化，且易于允許擴充，其生態(tài)環(huán)境也迅速成長，包括谷歌、華為、微軟、高通等許多業(yè)內知名公司都陸續(xù)加入RISC-V基金會。晶心科技早在2016年就作為創(chuàng)始會員之一加入了RISC-V基金會，并于近日，在京發(fā)布了其第一代基于RISC-V架構——AndeStar? V5，并成為第一個采用 RISC-V的主流CPU IP公司。
  • 關鍵字： RISC-V，CPU IP，AndeStar?  

CEVA通過RISC-V擴展藍牙和Wi-Fi IP平臺

  • 　　CEVA，全球領先的智能和互聯(lián)設備的信號處理IP授權許可廠商宣布通過其市場領先的RivieraWaves藍牙和Wi-Fi知識產權(IP)平臺集成了可選的開源RISC-V?MCU?！　》菭I利性RISC-V基金會執(zhí)行董事Rick?O'Connor評論道：“RISC-V在IoT領域的發(fā)展勢頭十分強勁，其代碼密度、性能和功耗特性非常合適這個領域。CEVA這樣的領先IP供應商為RISC-V提供藍牙和Wi-Fi連接解決方案，將會進一步推動我們的生態(tài)系統(tǒng)蓬勃發(fā)展。”　　CEVA的Rivi
  • 關鍵字： CEVA  RISC-V  

UltraSoC宣布提供業(yè)界首款RISC-V處理器跟蹤IP產品

  • 　　領先的嵌入式分析技術開發(fā)商UltraSoC日前宣布：其RISC-V處理器跟蹤解決方案開始全面供貨，這是業(yè)界首款商用RISC-V處理器跟蹤IP產品，也是RISC-V生態(tài)系統(tǒng)中關鍵的推動性技術。該跟蹤功能的加入意味著UltraSoC可以提供最全面的RISC-V商業(yè)化調試解決方案?！　∪ツ?月，UltraSoC公司已宣布計劃開發(fā)處理器跟蹤技術，當時還詳細公布了一種跟蹤技術規(guī)范，并考慮將其作為RISC-V開放標準的一部分?！　ltraSoC的解決方案得到了包括晶心科技(Andes Technolo
  • 關鍵字： UltraSoC  RISC-V  

空氣產品公司將為三星電子西安第二座3D V-NAND芯片廠供氣

  • 　　全球領先的工業(yè)氣體供應商——空氣產品公司 (Air Products，紐約證券交易所代碼：APD) 今天宣布將為三星電子位于西安市的第二座半導體工廠供應工業(yè)氣體。　　位于西安高新技術開發(fā)區(qū)的芯片廠是三星電子最大的海外投資項目之一，也是中國最先進的半導體工廠之一。其生產的3D V-NAND閃存芯片廣泛應用于嵌入式NAND存儲、固態(tài)硬盤、移動設備和其它消費電子產品?！　】諝猱a品公司西安工廠自2014年起開始服務于這一項目，目前運作兩座大型空氣分離裝置、一座氫氣生產裝
  • 關鍵字： 三星  V-NAND  

處理器漏洞英特爾/Arm/AMD/高通/蘋果全躺槍：RISC-V能幸免于難？

  • 在英特爾處理器被曝出存在安全漏洞以來，事件不斷發(fā)酵，Arm、AMD相繼淪陷，如今蘋果、高通風、IBM均承認其處理器有被攻擊的危險。
  • 關鍵字： 處理器  RISC-V  

高云半導體宣布加入RISC-V基金會

  • 　　廣東佛山，2017年10月18日訊，作為國內領先的可編程邏輯器件供應商，廣東高云半導體科技股份有限公司(以下簡稱“高云半導體”)今天宣布加入RISC-V基金會，成為該組織成員中第一家中國FPGA供應商。此舉是繼2016年加入MIPI聯(lián)盟后高云半導體又一次加入國際性行業(yè)聯(lián)盟組織，進一步向業(yè)界表達其致力于發(fā)展成為全球FPGA供應商的愿景。　　RISC-V是一種新型的指令集架構(ISA)，其初衷是支持計算機體系結構研究與教育，目前在RISC-V基金會的領導下已經(jīng)成為行業(yè)通用的標準開放架構。RISC-V&nb
  • 關鍵字： 高云  RISC-V  

如何設計防反接保護電路？

  • 如何設計防反接保護電路？-利用MOS管的開關特性，控制電路的導通和斷開來設計防反接保護電路，由于功率MOS管的內阻很小，解決了現(xiàn)有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過大的問題。
  • 關鍵字： mos  

揭秘高效電源如何選擇合適的MOS管

  • 揭秘高效電源如何選擇合適的MOS管-在當今的開關電源設備中，MOS管的特性、寄生參數(shù)和散熱條件都會對MOS管的工作性能產生重大影響。因此深入了解功率MOS管的工作原理和關鍵參數(shù)對電源設計工程師至關重要。
  • 關鍵字： MOS  電源  

1Tb V-NAND內存即將面世

  • 　　三星計劃在明年推出容量達1-Tbit的V-NAND芯片，以及采用其現(xiàn)有芯片的高密度固態(tài)硬盤。 　　三星(Samsung)計劃明年推出容量達1-Tbit的3D-NAND芯片——V-NAND，以及采用其現(xiàn)有芯片的高密度固態(tài)硬盤(SSD)。 該公司并表示，去年發(fā)表的Z-NAND產品也開始出樣，據(jù)稱這款產品能夠達到媲美或超越英特爾(Intel) 3DXP內存的低延遲能力。 　　三星的Tbit NAND可支持高達每秒1.2Gbits的數(shù)據(jù)速率，并在一個堆棧32顆裸晶的封裝中支持高達4
  • 關鍵字： V-NAND  NVMe  

三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒 容量高達1Tb

  • 　　相較于2.5寸SATA，M.2的SSD有著非常明顯的體積優(yōu)勢，如果總線走PCIe，速度上更是完爆。 　　在舊金山的閃存峰會上，三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒，容量高達1Tb，用于消費級產品。 　　三星表示，今后的2TB 3D閃存SSD產品將使用上這一新品，即一整顆芯片封裝16Tb Die，繼續(xù)減小體積。 　　如此精巧之后，連傳統(tǒng)M.2 2242(NGFF)的電路板型都用不到了，三星據(jù)此提出了Next Generation Small Form Factor (NGSFF) 標準。 　　其
  • 關鍵字： 三星  V-NAND  

MOS器件的發(fā)展與面臨的挑戰(zhàn)

  • 隨著集成電路工藝制程技術的不斷發(fā)展，為了提高集成電路的集成度，同時提升器件的工作速度和降低它的功耗，MOS器件的特征尺寸不斷縮小，MOS器件面臨一系列的挑戰(zhàn)。
  • 關鍵字： MOS  FinFET  

三星電子全球最大規(guī)模半導體生產線投產

  • 　　據(jù)韓聯(lián)社報道，三星電子平澤工廠全球最大規(guī)模半導體生產線近日正式投產。三星電子將在該工廠生產第四代64位V-NAND，月產能可達20萬片，并計劃持續(xù)擴充生產設備，解決近年來全球半導體市場上供不應求的局面。 　　據(jù)了解，位于韓國京畿道平澤市的三星電子平澤工廠于2015年5月動工建設，日均投入1.2萬名施工人員，耗時兩年多建成全球最大的單一產品生產線。 　　三星宣布，至2021年為止，要對位于平澤市的NAND型快閃存儲器廠房投入14.4萬億韓圜(約合125.4億美元)，并對華城市新建的半導體生產線投入6
  • 關鍵字： 三星  V-NAND  

UltraSoC宣布推出業(yè)界首款支持RISC-V的處理器跟蹤技術

  • 　　領先的嵌入式分析技術開發(fā)商UltraSoC日前宣布：公司已經(jīng)開發(fā)出處理器跟蹤技術，可支持基于開源RISC-V架構的產品。UltraSoC公司已經(jīng)為處理器跟蹤技術開發(fā)了一套規(guī)范，將提供給RISC-V基金會(RISC-V Foundation)作為整個開源規(guī)范的一部分。此外，UltraSoC如今成為了首家可提供此項功能的生態(tài)系統(tǒng)參與者?！　?家內核(core)供應商也已經(jīng)宣布他們支持新的跟蹤規(guī)范，使該規(guī)范成為軟件開發(fā)人員的一項關鍵功能，而不必擔心其使用的是何種處理器;該規(guī)范的交付是RISC-V生
  • 關鍵字： UltraSoC  RISC-V  

拯救EMI輻射超標，開關電源能做點啥？

  • 作為工作于開關狀態(tài)的能量轉換裝置，開關電源的電壓、電流變化率很高，產生的干擾強度較大；干擾源主要集中在功率開關期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器，相對于數(shù)字電路干擾源的位置較為清楚；開關頻率不高（從幾十千赫和數(shù)兆赫茲），主要的干擾形式是傳導干擾和近場干擾；而印刷線路板（PCB）走線通常采用手工布線，具有更大的隨意性，這增加了PCB分布
  • 關鍵字： EMI  開關電源  MOS  
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