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從4004到core i7——處理器的進(jìn)化史-CPU構(gòu)成零件-1

在下面的兩個(gè)帖子當(dāng)中，我將簡(jiǎn)短地介紹構(gòu)成CPU的零件，一種晶體管。我將展示如何完成最簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì)，這相當(dāng)于IC設(shè)計(jì)中的Hello world，并且略微提到Hello world的幾種變體。
關(guān)鍵字： CPU IC設(shè)計(jì) 單晶硅 MOS 硅

概述MAX34451是一個(gè)電源系統(tǒng)管理員能夠監(jiān)控多達(dá)16種不同的電壓軌或電流，也能多達(dá)12個(gè)電源排序和裕。系統(tǒng)管 ...
關(guān)鍵字： MAX34451 PMBus 16通道 V/I監(jiān)視器

　　三星電子在存儲(chǔ)技術(shù)上的領(lǐng)先的確無(wú)可匹敵，今天又宣布已經(jīng)批量投產(chǎn)全球第一個(gè)采用3D垂直設(shè)計(jì)的NAND閃存“V-NAND”。這年頭，3D堆疊已經(jīng)成了潮流，處理器、內(nèi)存什么的都要堆起來(lái)。　　三星的V-NAND單顆芯片容量128Gb(16GB)，內(nèi)部采用三星獨(dú)有的垂直單元結(jié)構(gòu)，通過(guò)3D CTF電荷捕型獲閃存技術(shù)、垂直互連工藝技術(shù)來(lái)連接3D單元陣列。　　三星稱，這種新閃存的拓展能力是普通2xnm平面型閃存的兩倍以上，可靠性提升最少2倍、最多10倍，而且寫入性能也可達(dá)到1xnm N
關(guān)鍵字：三星 V-NAND

Mouser Electronics正在備貨Altera公司業(yè)界領(lǐng)先的28-nm Cyclone? V FPGA。 Cyclone V FPGA結(jié)合了高性能、業(yè)界最低的操作功耗以及系統(tǒng)成本，是工業(yè)、無(wú)線、有線、廣播和汽車應(yīng)用的理想選擇。
關(guān)鍵字： Mouser FPGA Altera Cyclone V

　　V-by-One HS 是THine Electronics公司開發(fā)的下一代高速橋接芯片，為迎合電視市場(chǎng)客戶的要求，V-by-One? HS的新產(chǎn)品 THCV226已開始量產(chǎn)，并開始進(jìn)行擴(kuò)大生產(chǎn)。
關(guān)鍵字： THine Electronics V-by-One 超高清電視

V-by-One? HS 是我公司開發(fā)的下一代高速橋接芯片，又作為數(shù)字產(chǎn)品的下一代接口，已成為事實(shí)上的信息傳輸技術(shù)(現(xiàn)在的世界標(biāo)準(zhǔn))?，F(xiàn)在，為迎合電視市場(chǎng)客戶的要求，V-by-One? HS的新產(chǎn)品 THCV226已開始量產(chǎn)，并開始進(jìn)行擴(kuò)大生產(chǎn)。
關(guān)鍵字：芯片 V-by-One THCV226

V-by-One? HS 是我公司開發(fā)的次世代高速接口芯片。它作為數(shù)字產(chǎn)品的次世代內(nèi)部接口，實(shí)際上已經(jīng)是一種情報(bào)傳輸技術(shù)(現(xiàn)在的世界標(biāo)準(zhǔn))?，F(xiàn)在，按 TV 市場(chǎng)客戶的要求，追加新產(chǎn)品 V-by-One? HS THCV226 開始量產(chǎn)，并開始進(jìn)行生產(chǎn)擴(kuò)充。
關(guān)鍵字： V-by-One THCV216

為確保在重要的醫(yī)療和牙科應(yīng)用場(chǎng)合中病人的安全，SCHURTER對(duì)其標(biāo)準(zhǔn)V-Lock電源線系列進(jìn)行了擴(kuò)展，納入了兩種類型的設(shè)計(jì)：電源線的插頭端壓印有綠色斑點(diǎn)，表示其通過(guò)了嚴(yán)格的UL 817測(cè)試;通過(guò)插頭上的透明材料，實(shí)心插針結(jié)構(gòu)和超安全走線均清晰可見。
關(guān)鍵字： SCHURTER 連接器 V-Lock

文章設(shè)計(jì)了一種噪聲提醒器，一系統(tǒng)包括噪聲信號(hào)檢測(cè)、放大、直流轉(zhuǎn)換、V／E轉(zhuǎn)換、語(yǔ)音提示等電路的設(shè)計(jì)。噪聲信號(hào)通過(guò)傳聲器轉(zhuǎn)換成音頻信號(hào)，電信號(hào)經(jīng)過(guò)放大、直流轉(zhuǎn)換和V／F變換輸入單片機(jī)中進(jìn)行處理，并轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的噪聲dB值與設(shè)定值比較，并發(fā)出報(bào)警。該系統(tǒng)具有電路簡(jiǎn)單，精確度較高，可檢測(cè)實(shí)時(shí)噪聲等特點(diǎn)。
關(guān)鍵字：噪聲檢測(cè) 直流轉(zhuǎn)換 V／F轉(zhuǎn)換語(yǔ)音提醒

　　近年來(lái)，半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展迅速，依照摩爾定律每18個(gè)月就會(huì)出現(xiàn)新工藝節(jié)點(diǎn)，其晶體管密度更高，速率更快，而功耗更低。當(dāng)前，在28 nm，芯片容量足以實(shí)現(xiàn)整個(gè)系統(tǒng)，節(jié)省了功率元件和商用存儲(chǔ)器。但是，工藝工程師、電路設(shè)計(jì)人員、芯片設(shè)計(jì)人員和規(guī)劃人員必須一起協(xié)同工作，才能在越來(lái)越困難的技術(shù)環(huán)境中進(jìn)一步提高系統(tǒng)性能和能效。　　這種變化對(duì)整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)生了深遠(yuǎn)的影響，推高了工程成本，增加了風(fēng)險(xiǎn)，大部分系統(tǒng)開發(fā)人員很難使用專用芯片系統(tǒng)(SoC)。這同時(shí)也改變了FPGA企業(yè)的本質(zhì)及其與用戶的關(guān)系。　　在新的制程
關(guān)鍵字： Altera Stratix V

引言：為了打破傳統(tǒng)的VDMOS工藝MOS導(dǎo)通電阻與反向擊穿電壓之間制約，半導(dǎo)體物理學(xué)界提出的一種新型MOS結(jié)構(gòu)，稱為...
關(guān)鍵字： SJ-MOS VDMOS

X-FAB Silicon Foundries日前發(fā)表XT018，世界首創(chuàng)180奈米200V MOS的獨(dú)立溝槽電介質(zhì)(SOI)的工藝。這種完全隔離型的模塊化工藝讓不同電壓的區(qū)塊能夠整合在單一芯片上，大幅減少了印刷電路板的組件數(shù)量，也避免栓鎖效應(yīng)(latch-up)更提供對(duì)抗電磁干擾的卓越性。
關(guān)鍵字： X-FAB XT018 MOS

捷視飛通作為領(lǐng)先的多媒體通信融合解決方案提供商，一直專注于視訊領(lǐng)域新技術(shù)的研發(fā)。憑借創(chuàng)新的技術(shù)理念及優(yōu)質(zhì)的通信解決方案?jìng)涫芸蛻舻那嗖A。隨著時(shí)代的發(fā)展，用戶對(duì)于通信系統(tǒng)前后端的體驗(yàn)要求越來(lái)越高，雖然各種
關(guān)鍵字：擴(kuò)容技術(shù) 組網(wǎng) MCU 分層 V-CAS

以O(shè)DL牌QSA-2400專業(yè)功放為例(電路見中圖)。改裝后對(duì)應(yīng)電路見下圖。由于MOS管與三極管驅(qū)動(dòng)電壓差異。為了保證電壓推動(dòng)管靜態(tài)工作點(diǎn)基本保持不變，要重新選擇R26和R27的阻值。Q22三極管原發(fā)射極電阻上的電壓為3V.現(xiàn)改
關(guān)鍵字：介紹改裝 MOS 功放舞臺(tái)