首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> v-mos

一種簡單的防短路的保護方法

  • 　　前段時間開發(fā)了一個產(chǎn)品，由單片機控制對負載供電，滿負載時基準電流為800毫安，程序提供不同的供電模式，具體是由單片機輸出一個PWM信號控制MOS管，從而按要求調(diào)整工作電流。我們知道MOS管導(dǎo)通時內(nèi)阻非常小，我們所用的型號約為0.1歐姆的樣子，這樣正常工作時上面最大壓降非常小，只有800毫安*0.1歐姆=0.08伏，上面的功率損耗為0.064瓦，對于電源控制來說是一種效果不錯的器件。　　雖然MOS管導(dǎo)通內(nèi)阻非常小，但所流過的電流也有最大限制，如果電流過大，比如外接負載短路，同樣會被燒毀。短路都是非正常工
  • 關(guān)鍵字： 防短路  MOS  

場效應(yīng)晶體管的幾點使用知識

  • 　　我們常接觸到晶體三級管，對它的使用也比較熟悉，相對來說對晶體場效應(yīng)管就陌生一點，但是，由于場效應(yīng)管有其獨特的優(yōu)點，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場效應(yīng)晶體管的種類很多，根據(jù)結(jié)構(gòu)不同分為結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵型場效應(yīng)管;絕緣柵型場效應(yīng)管又稱為金屬氧化物導(dǎo)體場效應(yīng)管，或簡稱MOS場效應(yīng)管.　　1、如何防止絕緣柵型場效應(yīng)管擊穿　　由于絕緣柵場效應(yīng)管的輸入阻抗非常高，這本來是它的優(yōu)點，但在使用上卻帶來新的問題.由于輸入阻抗高，當(dāng)帶電荷物體一旦靠近柵極時，在柵極感應(yīng)出來的
  • 關(guān)鍵字： 場效應(yīng)晶體管  MOS  

Imec結(jié)合III-V材料打造高性能Flash

  • 　　比利時奈米電子研究中心Imec的研究人員透過將快閃記憶體(Flash)與使用砷化銦鎵(InGaAs)的更高性能III-V材料通道垂直排放的方式，發(fā)現(xiàn)了一種能夠提高快閃記憶體速度與壽命的新方法。 　　目前大多數(shù)的快閃記憶體使用由浮閘所控制的平面多晶矽通道，并用控制閘讀取或編程高電壓的浮閘——其方式是迫使電子穿隧至浮閘(0)或由其流出(1)。藉由將通道移動至垂直的方向，3D快閃記憶體能夠更緊密地封裝，而不必遵循微縮規(guī)則。 　　此外，Imec最近發(fā)現(xiàn)，透過使用通道中的III-V材
  • 關(guān)鍵字： Imec  III-V  

深度分析MOS場效應(yīng)管在消費類電子中的電路設(shè)計

  • 　　當(dāng)我們還是學(xué)生的時候，不論從做題還是原理分析上,通常會重點學(xué)習(xí)NPN和PNP三極管的特性：靜態(tài)工作特性計算、動態(tài)信號分析等等。對于MOS管，老師一般都會草草帶過，沒有那么深入的分析和了解，一般都會說MOS管和三極管的不同就是一個是電壓控制，一個是電流控制，一個Ri大，一個Ri小等等。除了這些明顯的特性，下文就從工作實戰(zhàn)的角度進行MOS場效應(yīng)管的分析?！　∈紫任覀儊砜聪陆?jīng)常使用的增強型mos場效應(yīng)管：N溝道和P溝道m(xù)os場效應(yīng)管?！　≡谙M類電子設(shè)計中由于對功耗要求比較嚴格，通常使用N溝道和P溝道MOS
  • 關(guān)鍵字： MOS  場效應(yīng)管  

怎樣正確使用MOS 集成電路

  • 　　所有MOS集成電路(包括P溝道MOS，N溝道MOS，互補MOS—CMOS集成電路)都有一層絕緣柵，以防止電壓擊穿。一般器件的絕緣柵氧化層的厚度大約是25nm50nm80nm三種。在集成電路高阻抗柵前面還有電阻——二極管網(wǎng)絡(luò)進行保護，雖然如此，器件內(nèi)的保護網(wǎng)絡(luò)還不足以免除對器件的靜電損害(ESD)，實驗指出，在高電壓放電時器件會失效，器件也可能為多次較低電壓放電的累積而失效。按損傷的嚴重程度靜電損害有多種形式，最嚴重的也是最容易發(fā)生的是輸入端或輸出端的完全破壞以至于與
  • 關(guān)鍵字： MOS  集成電路  

電壓/電流與電壓/頻率轉(zhuǎn)換電路（V/I、V/F電路）

  • 　　1電壓/電流轉(zhuǎn)換電路 　　電壓/電流轉(zhuǎn)換即V/I轉(zhuǎn)換，是將輸入的電壓信號轉(zhuǎn)換成滿足一定關(guān)系的電流信號，轉(zhuǎn)換后的電流相當(dāng)一個輸出可調(diào)的恒流源，其輸出電流應(yīng)能夠保持穩(wěn)定而不會隨負載的變化而變化。V/I轉(zhuǎn)換原理如圖1。 　　   　　由圖1可見，電路中的主要元件為一運算放大器LM324和三極管BG9013及其他輔助元件構(gòu)成，V0為偏置電壓，Vin為輸入電壓即待轉(zhuǎn)換電壓，R為負載電阻。其中運算放大器起比較器作用，將正相端電壓輸入信號與反相端電壓V-進行比較，經(jīng)運算放大器放大后再經(jīng)三極管放
  • 關(guān)鍵字： V/I  V/F  

到底什么是fmax講解

  • 　　簡介： 今天一個剛剛?cè)胄械呐笥颜业轿艺f，他的老板給了他一個MOS管讓他測管子的fmax,幫他測完之后，他還問到怎么才能加大這個fmax~~想到自己也曾千辛萬苦的琢磨這個參數(shù)，就寫個短短的文章說一下fmax到底是什么和哪些參數(shù)有關(guān)。 　　這兩個頻率都是晶體管的重要參數(shù)，無論BJT還是MOS，也決定了將來電路能工作到的最大頻率(當(dāng)然這個最大頻率是絕對不可能到fmax和ft的)。這兩個頻率其實離得不遠，那他們有什么差別呢：ft是用電流增益來定義的，fmax是用最大功率增益來定義的，千萬別弄混了哦。下圖是一
  • 關(guān)鍵字： MOS  fmax  

一種簡單的防短路保護方法

  • 　　簡介：注釋：靜電損壞器件是擊穿，和燒毀是兩個概念，不要混淆在一起。 　　前段時間開發(fā)了一個產(chǎn)品，由單片機控制對負載供電，滿負載時基準電流為800毫安，程序提供不同的供電模式，具體是由單片機輸出一個PWM信號控制MOS管，從而按要求調(diào)整工作電流。我們知道MOS管導(dǎo)通時內(nèi)阻非常小，我們所用的型號約為0.1歐姆的樣子，這樣正常工作時上面最大壓降非常小，只有800毫安*0.1歐姆=0.08伏，上面的功率損耗為0.064瓦，對于電源控制來說是一種效果不錯的器件。 　　雖然MOS管導(dǎo)通內(nèi)阻非常小，但所流過的電
  • 關(guān)鍵字： 靜電損壞  MOS  

低待機功耗電源方案選擇

  • 　　歐盟EUP環(huán)保指令你知道嗎?你知道此指令對靜態(tài)能耗有什么要求嗎?我們產(chǎn)品上需要怎樣應(yīng)對呢?下面給你解決此問題的電源供電方案。 　　2009年1月6日，歐盟電子類產(chǎn)品待/關(guān)機模式之EuP能耗指令執(zhí)行措施已正式生效，其生態(tài)化設(shè)計要求與去年7月經(jīng)歐盟生態(tài)化設(shè)計管理委員會批準的工作草案相同。廠商需在2010年1月6日前達到第一階段的要求，2013年1月6日達到第二階段要求。 　　   　　圖1 Eup圖標 　　我們來了解一下EuP能耗指令第二階段的具體要求， 　　1、產(chǎn)品在關(guān)機或待機
  • 關(guān)鍵字： MOS  AC-DC  

三星電子以3D V-NAND主宰SSD版圖生態(tài)

  • 　　2015年固態(tài)硬碟(SSD)市場中的3D V-NAND占比達10%，為當(dāng)初預(yù)期的3倍以上，預(yù)料到了2016年，占比將進一步提升至40%，三星電子(Samsung Electronics)將成市場最大贏家。 　　據(jù)韓媒Money Today報導(dǎo)，逐漸取代傳統(tǒng)硬碟(HDD)的SSD，發(fā)展重心開始愈來愈偏向3D V-NAND。三星2013年領(lǐng)先全球率先推出3D V-NAND后，目前仍然是唯一量產(chǎn)3D V-NAND業(yè)者。 　　據(jù)市調(diào)業(yè)者IHS iSuppli統(tǒng)計資料，如果以數(shù)量而言，2015年企業(yè)用SSD
  • 關(guān)鍵字： 三星   V-NAND  

2016年3D V-NAND市場擴大10倍　三星拉大與后起業(yè)者差距

  • 　　在存儲器芯片市場上，垂直堆疊結(jié)構(gòu)的3D V-NAND Flash比重正迅速擴大，全球企業(yè)間的競爭也將漸趨激烈。 　　據(jù)韓國MT News報導(dǎo)，2016年前3D V-NAND市場規(guī)模預(yù)估將擴大10倍，而除目前獨占市場的三星電子(Samsung Electronics)外，也將有更多半導(dǎo)體廠加速生產(chǎn)V-NAND。三星獨大V-NAND市場，為拉大與后起業(yè)者的差距，生產(chǎn)產(chǎn)品將從目前的32層堆疊結(jié)構(gòu)，增加到48層。 　　外電引用市調(diào)機構(gòu)IHS iSuppli資料指出，以NAND Flash的技術(shù)分類，V-N
  • 關(guān)鍵字： 三星  V-NAND  

怎樣用最小的代價降低MOS的失效率？

  • 　　【前言】在高端MOS的柵極驅(qū)動電路中，自舉電路因技術(shù)簡單、成本低廉得到了廣泛的應(yīng)用。然而在實際應(yīng)用中，MOS常莫名其妙的失效，有時還伴隨著驅(qū)動IC的損壞。如何破?一個合適的電阻就可搞定問題。 　　【問題分析】 　　   　　上圖為典型的半橋自舉驅(qū)動電路，由于寄生電感的存在，在高端MOS關(guān)閉后，低端MOS的體二極管鉗位之前，寄生電感通過低端二極管進行續(xù)流，導(dǎo)致VS端產(chǎn)生負壓，且負壓的大小與寄生電感與成正比關(guān)系。該負壓會把驅(qū)動的電位拉到負電位，導(dǎo)致驅(qū)動電路異常，還可能讓自舉電容過充電
  • 關(guān)鍵字： MOS  SCR  

場效應(yīng)管工作原理- -場效應(yīng)管工作原理也瘋狂

  • 一、場效應(yīng)管的工作原理- -概念 　　場效應(yīng)管(FET)是場效應(yīng)晶體管(field-effect transistor)的簡稱，由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，也稱為單極性場效應(yīng)管，是一種常見的利用輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種電壓控制性半導(dǎo)體器件，場效應(yīng)管不但具有雙極性晶體管體積小、重量輕、壽命長等優(yōu)點，而且輸入回路的內(nèi)阻高達107~1012Ω，噪聲低，熱穩(wěn)定性好，抗輻射能力強，且比后者耗電省，這些優(yōu)點使之從20世紀60年代誕生起就廣泛地應(yīng)用于各種電子電路之中。 二、
  • 關(guān)鍵字： 場效應(yīng)管  MOS  JFET  場效應(yīng)管工作原理  

高增益高線性度CMOS偶次諧波混頻器設(shè)計

  • 　　混頻器是無線收發(fā)機中的核心模塊， 對整個系統(tǒng)的性能具有很大影響。線性度、轉(zhuǎn)換增益是衡量一個混頻器性能的重要指標。 　　在接收機中， 混頻器具有一定的轉(zhuǎn)換增益可以降低混頻器后面各級模塊設(shè)計的難度， 有利于提高系統(tǒng)噪聲性能和靈敏度。線性度決定了混頻器能處理的最大信號強度。隨著現(xiàn)代通訊系統(tǒng)對性能要求越來越高， 無論是應(yīng)用于接收機系統(tǒng)的下變頻器(本文指的混頻器) ， 還是應(yīng)用于發(fā)射機系統(tǒng)中的上變頻器都要求具有較高的線性度。因此設(shè)計具有高增益和高線性度的混頻器就成為業(yè)界一直研究的熱點。 　　在CMOS電路設(shè)
  • 關(guān)鍵字： MOS  諧波混頻器  

你造嗎？ 四大MOSFET實用技巧

  • 　　MOSFET是一個時代產(chǎn)物,隨著MOSFET技術(shù)的進展，特別是大電流、小封裝、低功耗的單芯片MOSFET出現(xiàn)，它的開關(guān)速度快/輸入阻抗大/熱穩(wěn)定性好等等優(yōu)點,已經(jīng)成為工程師們的首選。 　　在EEPW論壇呆久了，看了好多網(wǎng)友問起MOS管的事情，有很多童靴對MOS管的使用不是很熟悉，今天有空給大家說幾個關(guān)于MOSFET的技巧的幾個實用技巧的事情。 　　為了把問題說的明白些，還是有必要把MOS管的身世先介紹一下。 　　MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  MOS  
共475條 25/32 |‹ « 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 »

v-mos介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條v-mos!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對v-mos的理解，并與今后在此搜索v-mos的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473