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DC-DC電路當(dāng)中同步與非同步的差異講解

在開(kāi)關(guān)電源電路設(shè)計(jì)當(dāng)中，電流的轉(zhuǎn)換分為很多種。其中直流轉(zhuǎn)換是較常見(jiàn)的一種設(shè)計(jì)。通常稱為DC-DC轉(zhuǎn)換，是指將一個(gè)電壓值轉(zhuǎn)化為另一個(gè)電壓值電能的裝置。直流轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)在開(kāi)關(guān)電源當(dāng)中非常常見(jiàn)，也是新手接觸比較多一種電路設(shè)計(jì)，本篇文章將為大家介紹這種電路當(dāng)中非同步與同步的區(qū)別。
關(guān)鍵字： DC-DC MOS 同步開(kāi)關(guān)電源非同步

為IC設(shè)計(jì)減少天線效應(yīng)

如同摩爾定律所述，數(shù)十年來(lái)，芯片的密度和速度正呈指數(shù)級(jí)成長(zhǎng)。眾所周知，這種高速成長(zhǎng)的趨勢(shì)總有一天會(huì)結(jié)束，只是不知道當(dāng)這一刻來(lái)臨時(shí)，芯片的密度和性能到底能達(dá)到何種程度。隨著技術(shù)的發(fā)展，芯片密度不斷增加，而閘級(jí)氧化層寬度不斷減少，超大規(guī)模集成電路(VLSI)中常見(jiàn)的多種效應(yīng)變得原來(lái)越重要且難以控制，天線效應(yīng)便是其中之一。
關(guān)鍵字： IC設(shè)計(jì) 天線天線效應(yīng) 充電損害 MOS

中國(guó)全面布局基于5G的自主車車通信技術(shù)

　　從車載信息服務(wù)產(chǎn)業(yè)應(yīng)用聯(lián)盟獲悉，我國(guó)已啟動(dòng)車用77-81GHz毫米波雷達(dá)無(wú)線技術(shù)和頻率劃分研究試驗(yàn)工作。同時(shí)，工業(yè)和信息化部日前發(fā)文委托車載信息服務(wù)產(chǎn)業(yè)應(yīng)用聯(lián)盟(TIAA)和中國(guó)信息通信研究院開(kāi)展基于自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、用于智能交通車車通信的LTE-V無(wú)線技術(shù)和頻率劃分研究試驗(yàn)工作。　　此次，啟動(dòng)LTE-V無(wú)線技術(shù)和頻率劃分研究試驗(yàn)工作表明，中國(guó)已經(jīng)開(kāi)始全面布局基于5G的自主車車通信技術(shù)，并以此支持具有我國(guó)先進(jìn)通信技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化和商用化，提升中國(guó)智能汽車、車聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的核心競(jìng)爭(zhēng)能力，支撐中國(guó)自主技術(shù)成為20
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基于OP97A的V/I轉(zhuǎn)換電路

OP97運(yùn)放輸出量程為±3.3V的電壓，需加一級(jí)V/I轉(zhuǎn)換電路。V/I轉(zhuǎn)換電路如圖所示。通過(guò)設(shè)置固定的5個(gè)碼值：FFFF,BFFF,8000,4000,0,用安捷倫高精度6位半萬(wàn)用表的Agilent34401,上電后經(jīng)過(guò)8個(gè)小時(shí)測(cè)試，其分辨率和精度均能達(dá)到15...
關(guān)鍵字： OP97A V I轉(zhuǎn)換電路

由V-F F-V變換器組成的高精度數(shù)字型停延表電路圖

由V-F F-V變換器組成的高精度數(shù)字型停延表電路圖
關(guān)鍵字： V-F F-V 變換器高精度停延表

基于Altera cyclone V SOC的JPEG編碼分析

H.264等視頻壓縮算法在視頻會(huì)議中是核心的視頻處理算法，它要求在規(guī)定的短時(shí)間內(nèi)，編解碼大量的視頻數(shù)據(jù)，目前主要都是在DSP上運(yùn)行。未來(lái)在添加4k*2k、H.265編解碼等功能，并要求控制一定成本的情況下，面臨DSP性能瓶
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基于Hyper-V虛擬化技術(shù)實(shí)現(xiàn)故障轉(zhuǎn)移

航空氣象要素對(duì)飛行安全的影響越來(lái)越大，氣象探測(cè)設(shè)備的重要性也越來(lái)越高。成陽(yáng)國(guó)際機(jī)場(chǎng)配備了風(fēng)廓線雷達(dá)，能夠?yàn)楹娇诊w行提供機(jī)場(chǎng)上空的風(fēng)速風(fēng)向和溫度。基于保障風(fēng)廓線雷達(dá)正常運(yùn)行的目的，通過(guò)Hyper-V虛擬化技術(shù)和故障轉(zhuǎn)移集群的方法，結(jié)合人為干預(yù)設(shè)備的試驗(yàn)，實(shí)現(xiàn)了風(fēng)廓線雷達(dá)系統(tǒng)的故障轉(zhuǎn)移功能，平均故障修復(fù)時(shí)間提高了95%。
關(guān)鍵字：故障轉(zhuǎn)移集群 Hyper-V 風(fēng)廓線雷達(dá) 平均故障修復(fù)時(shí)間

讓汽車看懂紅綠燈奧迪新技術(shù)展示

如果說(shuō)無(wú)人駕駛離消費(fèi)者還很遙遠(yuǎn)，那么傳統(tǒng)車廠在汽車上植入的新功能對(duì)駕駛員來(lái)說(shuō)已經(jīng)在逐步解放駕駛員了。據(jù)外媒報(bào)道，奧迪將在其2017款的Q7和A4
關(guān)鍵字：奧迪 V-to-V V-to-I

三星3D垂直NAND閃存量產(chǎn) SSD容量可輕松提升

韓國(guó)三星公司剛剛宣布旗下的最新一代采用3D垂直閃存(V-NAND)的固態(tài)硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器已經(jīng)開(kāi)始進(jìn)行量產(chǎn)。最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲(chǔ)芯片相比，具有包
關(guān)鍵字： 3D垂直閃存 V-NAND 固態(tài)硬盤(pán)

三星3D V-NAND固態(tài)盤(pán)加速企業(yè)閃存進(jìn)化

三星最新的產(chǎn)品是一種面向企業(yè)級(jí)應(yīng)用、高可靠的固態(tài)盤(pán)存儲(chǔ)--V-NAND固態(tài)盤(pán)。最新用于固態(tài)盤(pán)V-NAND技術(shù)帶來(lái)性能上的提升，節(jié)省電力消耗，并提高了急需
關(guān)鍵字：三星 V-NAND 3D 固態(tài)盤(pán)

三星48層3D V-NAND快閃存儲(chǔ)器揭密

　　備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃記憶體已經(jīng)出現(xiàn)在市場(chǎng)上了，TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)總算等到了大好機(jī)會(huì)先睹為快。　　三星(Samsung)早在2015年8月就發(fā)布其256Gb的3位元多級(jí)單元(MLC) 3D V-NAND快閃記憶體K9AFGY8S0M，并強(qiáng)調(diào)將用于各種固態(tài)硬碟(SSD)，也預(yù)計(jì)會(huì)在2016年初正式上市。這些承諾如今真的實(shí)現(xiàn)了，我們得以在其2TB容量的T3系列mSATA可攜式SSD中發(fā)現(xiàn)其蹤影(如圖1)。　　　　圖1：三星T3 2TB S
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高手詳解，MOS及MOS驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)總結(jié)

　　在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS管的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也是不允許的。　　下面是我對(duì)MOS及MOS驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)，其中參考了一些資料。包括MOS管的介紹、特性、驅(qū)動(dòng)以及應(yīng)用電路。　　MOSFET管FET的一種(另一種是JEFT)，可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，
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三星3D V-NAND 32層對(duì)48層僅僅是垂直層面的擴(kuò)展？

　　三星公司已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)其48層(即單NAND內(nèi)48層單元，屬于第三代升級(jí)技術(shù))3D V-NAND芯片，預(yù)計(jì)其將被用于SSD T3(mSATA接口加850 EVO V2)、NVMe SSD(PM971-NVMe)以及企業(yè)級(jí)SSD(PM1633a)等SSD產(chǎn)品。在各設(shè)備當(dāng)中，將包含大量48層3D V-NAND存儲(chǔ)芯片且通過(guò)引線鍵合技術(shù)實(shí)現(xiàn)彼此堆疊。三星公司在48層3D V-NAND芯片中集成了512 GB存儲(chǔ)單元，意味著每個(gè)NAND晶片為32 GB容量(256 Gb)。三星的32層(第二代方案)3D V-N
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恩智浦將分立器件與功率MOS業(yè)務(wù)出售給中國(guó)公司

　　半導(dǎo)體行業(yè)的重組還在繼續(xù)。恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)將把經(jīng)營(yíng)分立器件、邏輯芯片、功率MOS半導(dǎo)體等產(chǎn)品的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品業(yè)務(wù)部門(mén)出售給中國(guó)的投資公司(英文發(fā)布資料)。　　標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品業(yè)務(wù)部門(mén)2015年財(cái)年的銷售額為12億美元，約占恩智浦總銷售額(61億美元)的2成。該部門(mén)約有員工1.1萬(wàn)名，約為恩智浦總員工數(shù)量(4.5萬(wàn))的2.5成。　　出售金額約為27.5億美元，購(gòu)買(mǎi)方是北京建廣資產(chǎn)管理有限公司(簡(jiǎn)稱“建廣資產(chǎn)”)與Wise Road Capital兩家
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【E問(wèn)E答】MOS管為什么會(huì)被靜電擊穿？

　　MOS管一個(gè)ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電(少量電荷就可能在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓(想想U(xiǎn)=Q/C)將管子損壞)，又因在靜電較強(qiáng)的場(chǎng)合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。靜電擊穿有兩種方式：一是電壓型，即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路;二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成柵極開(kāi)路或者是源極開(kāi)路。JFET管和MOS管一樣，有很高的輸入電阻，只是MOS管的輸入電阻更高。　　靜電放電形成
關(guān)鍵字： MOS 擊穿