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內置MOS全集成三相直流無刷電機BLDC驅動芯片方案

  • 引言全球高速無刷電機行業(yè)正在經歷持續(xù)的增長和發(fā)展。根據市場調研，亞洲市場占據了全球高速無刷電機行業(yè)的首位，市場規(guī)模占比達47%，并且預計未來增長將主要集中在亞洲地區(qū)。特別是在我國，無刷電機技術已逐漸成熟，電機和驅動器的價格均已下探到可以廣泛應用的程度，也就拓展了無刷電機的使用場景。而控制芯片作為無刷電機系統(tǒng)中的關鍵組件，通過接收轉子位置的反饋信號，精確控制電機的電流和電壓，實現電機的高效運轉和精確控制。目前直流無刷電機的控制主要分兩大類：方波控制（梯形波控制）與正弦波控制，這兩類控制方式的原理分別是什么呢
  • 關鍵字： MOS  三相直流無刷電機  BLDC  驅動芯片  

一文了解SiC MOS的應用

  • 作為第三代半導體產業(yè)發(fā)展的重要基礎材料，碳化硅MOSFET具有更高的開關頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統(tǒng)電力轉換效率，并且降低對熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統(tǒng)中，應用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件，可以實現更低的開關和導通損耗，同時具有更高的阻斷電壓和雪崩能力，顯著提升系統(tǒng)效率及功率密度，從而降低系統(tǒng)綜合成本。圖 SiC/Si器件效率對比一、行業(yè)典型應用碳化硅MOSFET的主要應用領域包括：充電樁電源模塊、光伏逆變器、光儲一體機、新能源汽車空調、新能
  • 關鍵字： SiC  MOS  碳化硅  MOSFET  

從內部結構到電路應用，這篇文章把MOS管講透了。

  • MOS管學名是場效應管，是金屬-氧化物-半導體型場效應管，屬于絕緣柵型，本文就結構構造、特點、實用電路等幾個方面用工程師的話詳細描述。其結構示意圖：解釋1：溝道上面圖中，下邊的p型中間一個窄長條就是溝道，使得左右兩塊P型極連在一起，因此mos管導通后是電阻特性，因此它的一個重要參數就是導通電阻，選用mos管必須清楚這個參數是否符合需求。解釋2：n型上圖表示的是p型mos管，讀者可以依據此圖理解n型的，都是反過來即可，因此，不難理解，n型的如圖在柵極加正壓會導致導通，而p型的相反。解釋3：增強型相對于耗盡型
  • 關鍵字： 模擬電路  MOS  

徹底弄清MOS管 （NMOS為例

  • 來自專欄芯片基礎課說來慚愧，大二學了一遍模電數電，考研專業(yè)課又學了一遍模電數電，但拿到如下這張mos管結構圖，讓我立馬說出：【這是什么型mos管，標準符號襯底的箭頭指向哪里，簡化符號柵極有沒有小圓圈，襯底該接高接低，柵極高電平導通還是低電平導通，導通電流方向是什么】的答案，時不時還真有點卡殼。這真的不能怪我們，是真的太繞了，比如PMOS管柵極居然是低電平有效，簡化圖上輸入帶圈，這真的太反人性了。今天就用一篇文章把這些關系徹底理順，開始吧！首先，你應該已經懂得：硅中參雜電子多的話，會在那里寫個N，參雜空穴多
  • 關鍵字： 模擬電路  MOS  

MOS 管的死區(qū)損耗計算

  • MOS 管在逆變電路，開光電源電路中經常是成對出現，習慣上稱之為上管和下管，如圖Figure 1中的同步Buck 變換器，High-side MOSFET　為上管， Low-side MOSFET為下管．如果上管和下管同時導通，就會導致電源短路，ＭOS 管會損壞，甚至時電源損壞，這種損壞是災難行動，必須避免．由于MOS 的開通和關斷都是有時沿的，為了避免上管和下管同時導通，造成短路現象，從而引入了死區(qū)的概念，也就是上下管同時關斷的區(qū)間，如圖Figure2 中的E 和 F.死區(qū)E---tDf: 上
  • 關鍵字： MOS 管  逆變電路  

超高壓MOS在變頻器上的應用

  • 一、變頻器的定義及應用領域 變頻器的定義變頻器是應用變頻技術與微電子技術，通過改變電機工作電源頻率方式來控制交流電動機的電力控制設備。變頻器主要由整流（交流變直流）、濾波、逆變（直流變交流）、制動單元、驅動單元、檢測單元、微處理單元等組成。變頻器的應用領域鋼鐵、軋鋼制線、電力、石油、造紙業(yè)等。變頻器的作用1、調整電機的功率，實現電機的變速運行，達到省電的目的。2、降低電力線路中電壓的波動，避免一旦電壓發(fā)生異常而導致設備的跳閘或者出現異常運行的現象。3、減少對電網的沖擊，從而有效地減少無功損耗，增
  • 關鍵字： RS瑞森半導體  MOS  變頻器  

高壓MOS/低壓MOS在單相離線式不間斷電源上的應用

  • 單相離線式不間斷電源只是備援性質的UPS，市電直接供電給用電設備再為電池充電，一旦市電供電品質不穩(wěn)或停電時，市電的回路會自動切斷，電池的直流電會被轉換成交流電接手供電的任務，直到市電恢復正常。UPS只有在市電停電了才會介入供電，不過從直流電轉換的交流電是方波，只限于供電給電容型負載，如電腦和監(jiān)視器等。一、前言 單相離線式不間斷電源只是備援性質的UPS，市電直接供電給用電設備再為電池充電，一旦市電供電品質不穩(wěn)或停電時，市電的回路會自動切斷，電池的直流電會被轉換成交流電接手供電的任務，直到市電恢復正
  • 關鍵字： MOS  

耗盡型功率MOSFET：被忽略的MOS產品

  • 功率MOSFET最常用于開關型應用中，發(fā)揮著開關的作用。然而，在諸如SMPS的啟動電路、浪涌和高壓保護、防反接保護或固態(tài)繼電器等應用中，當柵極到源極的電壓VGS為零時，功率MOSFET需要作為常“開”開關運行。在VGS=0V時作為常 "開 "開關的功率MOSFET，稱為耗盡型(depletion-mode ) MOSFET。功率MOSFET最常用于開關型應用中，發(fā)揮著開關的作用。然而，在諸如SMPS的啟動電路、浪涌和高壓保護、防反接保護或固態(tài)繼電器等應用中，當柵極到源極的電壓VGS為零
  • 關鍵字： MOSFET  MOS  

如何在電源上選擇MOS管

  • 在開關電源應用MOS管的時候，在很多電源設計人員的都將采用一套公式，質量因數(柵極電荷QG ×導通阻抗RDS(ON))。來對mos管來驗證。在開關電源應用MOS管的時候，在很多電源設計人員的都將采用一套公式，質量因數(柵極電荷QG ×導通阻抗RDS(ON))。來對mos管來驗證。那么柵極電荷和導通阻抗很重要，這都是對電源的效率有直接的影響，主要是傳導損耗和開關損耗。還有在電源中第二重要的是MOS管參數包括輸出電容、閾值電壓、柵極阻抗和雪崩能量。用于針對N+1冗余拓撲的并行電源控制的MOS管在ORing F
  • 關鍵字： MOS  

功率放大器電路中的三極管和MOS管，究竟有什么區(qū)別？

  • 學習模擬電子技術基礎，和電子技術相關領域的朋友，在學習構建功率放大器電路時最常見的電子元器件就是三極管和場效應管（MOS管）了。那么三極管和MOS管有哪些聯系和區(qū)別呢？在構建功率放大器電路時我們要怎么選擇呢？學習模擬電子技術基礎，和電子技術相關領域的朋友，在學習構建功率放大器電路時最常見的電子元器件就是三極管和場效應管（MOS管）了。那么三極管和MOS管有哪些聯系和區(qū)別呢？在構建功率放大器電路時我們要怎么選擇呢？首先我們明確一下二者的概念三極管：全稱應為半導體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控
  • 關鍵字： 功率放大器  MOS  

短溝道 MOS 晶體管中的漏電流成分

  • MOS 晶體管正在按比例縮小，以限度地提高集成電路內的封裝密度。這導致氧化物厚度的減少，進而降低了 MOS 器件的閾值電壓。在較低的閾值電壓下，漏電流變得很大并有助于功耗。這就是為什么了解 MOS 晶體管中各種類型的漏電流至關重要。MOS 晶體管正在按比例縮小，以限度地提高集成電路內的封裝密度。這導致氧化物厚度的減少，進而降低了 MOS 器件的閾值電壓。在較低的閾值電壓下，漏電流變得很大并有助于功耗。這就是為什么了解 MOS 晶體管中各種類型的漏電流至關重要。在我們嘗試了解各種漏電流成
  • 關鍵字： MOS  晶體管  

功率MOS管損壞的典型

  • 如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達到擊穿電壓V(BR)DSS （根據擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現象。第一種：雪崩破壞如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達到擊穿電壓V(BR)DSS （根據擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現象。在介質負載的開關運行斷開時產生的回掃電壓，或者由漏磁電感產生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進入擊穿區(qū)而導致破壞的模式會引起雪崩破壞。典型電路：第二種：器件發(fā)熱損壞由超出安全區(qū)域引
  • 關鍵字： MOS  

巧用MOS管的體二極管

  • 用過MOS管的小伙伴都知道，其內部有一個寄生二極管，有的也叫做體二極管。PMOS管做開關用，S極作電源輸入，D極作輸出，當Vsg大于閾值電壓，MOS管導通，一般MOS管的導通內阻都很小，毫歐級別，過幾安培的電流，壓降也才毫伏級別，此時體二極管是截至狀態(tài)的。用過MOS管的小伙伴都知道，其內部有一個寄生二極管，有的也叫做體二極管。1、PMOS管做開關用，S極作電源輸入，D極作輸出，當Vsg大于閾值電壓，MOS管導通，一般MOS管的導通內阻都很小，毫歐級別，過幾安培的電流，壓降也才毫伏級別，此時體二極管是截至狀
  • 關鍵字： MOS  二極管  

世平基于安森美半導體 NCP51820 650V Hi-Low Side GaN MOS Driver 應用于小型化工業(yè)電源供應器方案

  • 安森美GAN_Fet驅動方案(NCP51820)。 數十年來，硅來料一直統(tǒng)治著電晶體世界。但這個狀況在發(fā)現了砷化鎵（GaAs）和砷化鎵、磷（GaAsP）等不同特性的材料后,已經逐漸開始改變。由開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導體，它們具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性。但問題在于化合物半導體更難制造且更昂貴。雖然它們比硅具有明顯的優(yōu)勢。作為解決方案出現的兩個化合物半導體器件是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率電晶體。這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器
  • 關鍵字： NCP51820  安森美  半導體  電源供應器  GaN MOS Driver  

放大器設計：晶體管BJT的工作原理以及MOS和BJT晶體管的區(qū)別

  • 晶體管是一個簡單的組件，可以使用它來構建許多有趣的電路。在本文中，將帶你了解晶體管是如何工作的，以便你可以在后面的電路設計中使用它們。 一旦你了解了晶體管的基本知識，這其實是相當容易的。我們將集中討論兩個最常見的晶體管：BJT和MOSFET。 晶體管的工作原理就像電子開關，它可以打開和關閉電流。一個簡單的思考方法就是把晶體管看作沒有任何動作部件的開關，晶體管類似于繼電器，因為你可以用它來打開或關閉一些東西。當然了晶體管也可以部分打開，這對于放大器的設計很有用。晶體管是一個簡單的組件，可以使用它來構建許多有
  • 關鍵字： 放大器  晶體管  MOS  BJT  
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mos介紹

MOS 金屬氧化物半導體 MOS metal-oxide semiconductor 以襯底材料氧化物為絕緣層的金屬-絕緣層-半導體結構。對于硅襯底來說，絕緣層是二氧化硅(SiO2)。場效應晶體管、電容器、電阻器和其他半導體設備都是用這種結構制造。MOS工藝包括CMOS,DMDS，NMOS，PMOS。 [ 查看詳細 ]

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