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芯科科技為新發(fā)布的Matter 1.2版本提供全面開發(fā)支持

  • Silicon Labs（亦稱“芯科科技”）接續(xù)著連接標(biāo)準(zhǔn)聯(lián)盟（CSA，Connectivity Standards Alliance）宣布其全面支持最新發(fā)布的Matter 1.2標(biāo)準(zhǔn)。Matter 1.2版本是該協(xié)議自2022年秋季發(fā)布以來的第二次更新?；谝荒赀M(jìn)行兩次更新的步調(diào)，可以幫助開發(fā)者引入新的設(shè)備類型，將Matter擴(kuò)展到新的市場，同時可帶來互操作性和用戶體驗提升方面的其他改進(jìn)。Matter協(xié)議旨在利用Wi-Fi和Thread等現(xiàn)有的IP網(wǎng)絡(luò)技術(shù)來實現(xiàn)智能家居設(shè)備的互聯(lián)互通，以建立一種新的開放
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使用半大馬士革工藝流程研究后段器件集成的工藝

  • ●? ?介紹隨著技術(shù)推進(jìn)到1.5nm及更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)，后段器件集成將會遇到新的難題，比如需要降低金屬間距和支持新的工藝流程。為了強(qiáng)化電阻電容性能、減小邊緣定位誤差，并實現(xiàn)具有挑戰(zhàn)性的制造工藝，需要進(jìn)行工藝調(diào)整。為應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，我們嘗試在1.5nm節(jié)點(diǎn)后段自對準(zhǔn)圖形化中使用半大馬士革方法。我們在imec生產(chǎn)了一組新的后段器件集成掩膜版，以對單大馬士革和雙大馬士革進(jìn)行電性評估。新掩膜版的金屬間距分別為14nm、16nm、18nm、20nm和22nm，前兩類是1.5nm節(jié)點(diǎn)后段的最小目標(biāo)金屬間距
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DDR5時代來臨,新挑戰(zhàn)不可忽視

  • 在人工智能（AI）、機(jī)器學(xué)習(xí)（ML）和數(shù)據(jù)挖掘的狂潮中，我們對數(shù)據(jù)處理的渴求呈現(xiàn)出前所未有的指數(shù)級增長。面對這種前景，內(nèi)存帶寬成了數(shù)字時代的關(guān)鍵“動脈”。其中，以雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率和更高的帶寬而聞名的 DDR（Double Data Rate）技術(shù)作為動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）的重要演進(jìn)，極大地推動了計算機(jī)性能的提升。從 2000 年第一代 DDR 技術(shù)誕生，到 2020 年 DDR5，每一代 DDR 技術(shù)在帶寬、性能和功耗等各個方面都實現(xiàn)了顯著的進(jìn)步。如今，無論是 PC、筆電還是人工智能，各行業(yè)正在加
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蘋果承認(rèn)部分 iPhone 15 機(jī)型存在燒屏問題，iOS 17.1 將修復(fù)

  • 10 月 18 日消息，蘋果公司今天發(fā)布了 iOS 17.1 RC 版本更新，特別針對蘋果 iPhone 15、iPhone 15 Pro 系列機(jī)型，修復(fù)了“可能導(dǎo)致圖像殘留”的問題。蘋果自推出 iPhone 15 手機(jī)以來，陸續(xù)有用戶反饋稱新款機(jī)型出現(xiàn)嚴(yán)重?zé)羻栴}。有人猜測這可能是 OLED 顯示屏的硬件問題，現(xiàn)在蘋果通過軟件方式修復(fù)了燒屏問題。雖然大多數(shù)顯示問題的報告來自“iPhone 15”用戶，但也有一些使用 iPhone 13 Pro 和 iPhone 12 Pro 設(shè)備的用戶看到了類似的問題，
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大聯(lián)大友尚集團(tuán)推出基于onsemi產(chǎn)品的PD3.1電源適配器方案

  • 致力于亞太地區(qū)市場的國際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股近日宣布，其旗下友尚推出基于安森美（onsemi）NCP1680、NCP13994、NCP4306和FAN65004芯片的PD3.1電源適配器方案。圖示1-大聯(lián)大友尚基于onsemi產(chǎn)品的PD3.1電源適配器方案的展示板圖隨著USB PD3.1協(xié)議的頒布，快充技術(shù)也迎來了新的時代。相比于之前主流的PD3.0標(biāo)準(zhǔn)，PD3.1標(biāo)準(zhǔn)不僅新增28V、36V、48V三種拓展輸出電壓，還將最大輸出功率由100W提升至240W，這突破了現(xiàn)有的大功率使用場景，
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全球首個，華為重磅發(fā)布！事關(guān)5G

  • 據(jù)華為官方微信號10月11日消息，2023全球移動寬帶論壇（Global MBB Forum 2022）期間，華為董事、ICT產(chǎn)品與解決方案總裁楊超斌重磅發(fā)布了全新一代5G室內(nèi)數(shù)字化產(chǎn)品解決方案LampSite X系列，助力運(yùn)營商打開商業(yè)新空間，加快邁向數(shù)智化新時代。楊超斌表示：“LampSite X將5G-A極致能力首次帶入室內(nèi)場景，實現(xiàn)室內(nèi)數(shù)字化全面升級：以最小體積、最輕重量、最簡部署、最低能耗實現(xiàn)萬兆體驗和多維能力升級，滿足消費(fèi)者更極致的室內(nèi)體驗需求，釋放千行百業(yè)更強(qiáng)大的數(shù)字生產(chǎn)力?！比A為無線網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)
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英特爾介紹酷睿 Ultra 第 1 代核顯：每瓦性能翻倍

  •  9 月 20 日消息，在今天舉辦的英特爾 ON 技術(shù)創(chuàng)新峰會上，英特爾介紹了酷睿 Ultra 第 1 代（代號：Meteor Lake）的核顯升級。據(jù)介紹，英特爾全新的核顯從 Xe LP 升級到 Xe LPG，相較于上一代的 Iris Xe 核顯每瓦性能翻倍。此外，新一代核顯有更高的頻率，同等電壓下的頻率直接可以沖擊到 2GHz 以上。新核顯還針對 DX12U 進(jìn)行了優(yōu)化，支持倍幀功能，支持新特性“Out of Order Sampling”。此外，英特爾還推出了全新的 Xe 媒體引擎，支持最
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X-FAB最新的無源器件集成技術(shù)擁有改變通信行業(yè)游戲規(guī)則的能力

  • 全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，新增集成無源器件（IPD）制造能力，進(jìn)一步增強(qiáng)其在射頻（RF）領(lǐng)域的廣泛實力。公司在歐洲微波展（9月17至22日，柏林）舉辦前夕推出XIPD工藝；參加此次活動的人員可與X-FAB技術(shù)人員（位于438C展位）就這一創(chuàng)新進(jìn)行交流。X-FAB XIPD晶圓上的電感器測試結(jié)構(gòu)XIPD源自廣受歡迎的X-FAB XR013 130nm RF SOI工藝——該技術(shù)利用工程基底和厚銅金屬化層，讓客戶能夠在其器
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貿(mào)澤開售適合LTE IoT 應(yīng)用的Digi XBee 3全球GNSS LTE CAT 1開發(fā)套件

  • 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起供貨Digi XBee? 3全球GNSS LTE CAT 1開發(fā)套件。該套件預(yù)裝了三個月的蜂窩數(shù)據(jù)服務(wù)，已提前激活并可隨時使用。利用Digi XBee? 3全球LTE Cat 1嵌入式調(diào)制解調(diào)器，設(shè)計師可以省去耗時、昂貴的FCC和運(yùn)營商終端設(shè)備認(rèn)證過程，將先進(jìn)的LTE蜂窩連接快速集成到其設(shè)備和應(yīng)用中。通過貿(mào)澤供應(yīng)的Digi XBee 3全球GNSS LTE CAT 1開發(fā)套件，用戶
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Bourns推出高壓二電極氣體放電管(GDT) 符合IEC 62368-1設(shè)備和電子線保護(hù)

  • 2023年8月14日 - 美國柏恩 Bourns 全球知名電源、保護(hù)和傳感解決方案電子組件領(lǐng)導(dǎo)制造供貨商，正式推出其新一代氣體放電管 (GDT) 產(chǎn)品線的最新成員，引入了高電壓雙極過壓保護(hù)器家族。Bourns? GDT28H 系列產(chǎn)品旨在滿足當(dāng)今通用工業(yè)用電力設(shè)備的保護(hù)需求，同時也應(yīng)對不斷增長的能源需求電氣化解決方案的迫切需求，完全滿足消費(fèi)者和商業(yè)用途。隨著市面上眾多的電氣和電子設(shè)備均要求符合 IEC 62368-1 等電氣安全標(biāo)準(zhǔn)，GDT28H 系列的顯著優(yōu)勢之一在于其適用于交流電隔離解決方案。這需要通
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如何將1-Wire主機(jī)復(fù)用到多個通道

  • 摘要具有許多1-Wire節(jié)點(diǎn)的1-Wire?網(wǎng)絡(luò)可能需要專用1-Wire通道。本文討論了一種在網(wǎng)絡(luò)中只使用一個1-Wire主機(jī)而擁有多個1-Wire通道的方法。?簡介1-Wire網(wǎng)絡(luò)最初設(shè)計用于與單條1-Wire總線上的單個1-Wire主機(jī)和多個1-Wire節(jié)點(diǎn)進(jìn)行通信。對于1-Wire網(wǎng)絡(luò)，理想的拓?fù)涫前恢匾种Ь€的線性拓?fù)?。然而，包含長分支線的星形拓?fù)涑３Ｊ遣豢杀苊獾模瑢?dǎo)致確定有效限制的難度加大。解決這些難題的一種方法是利用模擬多路復(fù)用器(mux)將星形拓?fù)浞纸獬稍S多通道。使用多個通道的
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基于FPGA的8K分屏器設(shè)計

  • 設(shè)計了一款8k分屏器，主控采用FPGA芯片，支持一路HDMI2.1、8k、60 Hz信號輸入；支持4路HDMI2.0、4k、60 Hz信號輸出；分屏器支持將輸入的8k信號進(jìn)行“田”字型切片處理，輸出4路4k信號，這4路4K信號的畫面拼接起來就是1幅完整的8k畫面。
  • 關(guān)鍵字： 202307  8K分屏器  1進(jìn)4出  HDMI2.1  

三星宣布開始量產(chǎn)其功耗最低的車載UFS 3.1存儲器解決方案

  • 今日，三星電子宣布，已開始量產(chǎn)為車載信息娛樂系統(tǒng)（IVI）優(yōu)化的全新車載UFS 3.1存儲器解決方案。該解決方案擁有三星車載存儲器最低的功耗，可助力汽車制造商為消費(fèi)者打造優(yōu)秀的出行體驗。為滿足客戶的不同需求，三星的UFS 3.1（通用閃存）將推出128、256和512千兆字節(jié)（GB）三種容量。在未來的汽車（電動汽車或自動駕駛汽車）應(yīng)用中，增強(qiáng)的產(chǎn)品陣容能夠更有效地管理電池壽命。其中，256GB容量的產(chǎn)品，功耗較上一代產(chǎn)品降低了約33%，還提供了每秒700兆字節(jié)(MB/s)的順序?qū)懭胨俣群?000MB/
  • 關(guān)鍵字： 三星  車載UFS 3.1  存儲器  

特斯拉季末沖擊銷量！Model S/X美國市場降價8000美元，外加3年免費(fèi)充電

  • 6月19日消息，作為季度末促銷活動的一部分，特斯拉再次對某些庫存車型提供折扣，以尋求在第二季度結(jié)束前提振銷量。隨著季度末的臨近，特斯拉希望通過減少庫存來實現(xiàn)更好的財務(wù)業(yè)績。為了實現(xiàn)這一目標(biāo)，特斯拉會定期實施特殊折扣或激勵措施，以便在季度末之前清空庫存車輛。據(jù)外媒報道，特斯拉近日將Model X和Model S的售價都下調(diào)了8000美元，并為6月30日之前購車的客戶提供三年免費(fèi)超級充電服務(wù)。特斯拉官網(wǎng)顯示，這些舉措意味著，客戶現(xiàn)在可以8.3萬美元左右的價格買到2023年款特斯拉Model S，折扣金額為75
  • 關(guān)鍵字： 特斯拉  Model S/X  充電  

凌陽與WiSA Technologies實現(xiàn)高達(dá)7.1.4的Atmos條形音箱應(yīng)用

  • 美國俄勒岡州比弗頓市 — 2023年6月15日 — 為智能設(shè)備和下一代家庭娛樂系統(tǒng)提供沉浸式無線聲效技術(shù)的領(lǐng)先供應(yīng)商WiSA Technologies股份有限公司（NASDAQ股票代碼：WISA），與領(lǐng)先的多媒體和汽車應(yīng)用芯片供應(yīng)商凌陽科技（Sunplus Technology Co., Ltd，TWSE股票代碼: 2401）聯(lián)合宣布，雙方將攜手面向Atmos條形音箱市場推出多聲道沉浸式音頻系統(tǒng)級芯片（SoC）?！拔覀兎浅８吲d與WiSA Technologies攜手
  • 關(guān)鍵字： 凌陽  WiSA Technologies  7.1.4  Atmos  條形音箱  
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