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研華發(fā)布RK3588 SMARC 2.1核心模塊ROM-6881助力機(jī)器視覺應(yīng)用智能升級

  • 研華發(fā)布核心模塊ROM-6881，采用SGeT協(xié)會SMARC2.1標(biāo)準(zhǔn)，集成瑞芯微全新一代AIOT旗艦處理器RK3588/RK3588J，具備強(qiáng)大的計算性能，高AI算力，滿足多媒體處理需求。憑借低功耗，豐富的IO接口設(shè)計，ROM-6881實現(xiàn)高性價比、工規(guī)可靠、10年生命周期支持，助力機(jī)器人，醫(yī)療，能源行業(yè)打造更快速，更高效的智能邊緣AI方案。
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EasyScope X應(yīng)用案例之檢索平均波形數(shù)據(jù)

  • 波形平均是一種降低特定信號噪聲的有效方法。SIGLENT SDS系列示波器可以使用EasyScope X軟件輕松采集平均波形數(shù)據(jù)。注意：此時，平均波形數(shù)據(jù)無法以CSV格式保存到通過前面板連接的U盤中。1、初始設(shè)置 - 如果您的計算機(jī)還沒有VISA庫，請下載與您的操作系統(tǒng)匹配的NI-VISA Runtime Engine。它可以從National Instruments下載：http：//bit.ly/2pw5gQW。- 安裝了VISA庫。這是EasyScope X軟件用于與儀器通信的通信庫。-
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三星電子重申 SF1.4 工藝有望于 2027 年量產(chǎn)，計劃進(jìn)軍共封裝光學(xué)領(lǐng)域

  • IT之家 6 月 13 日消息，三星電子在當(dāng)?shù)貢r間 6 月 12 日舉行的三星代工論壇 2024 北美場上重申，其 SF1.4 工藝有望于 2027 年量產(chǎn)，回?fù)袅舜饲暗拿襟w傳聞。三星表示其 1.4nm 級工藝準(zhǔn)備工作進(jìn)展順利，預(yù)計可于 2027 年在性能和良率兩方面達(dá)到量產(chǎn)里程碑。此外，三星電子正在通過材料和結(jié)構(gòu)方面的創(chuàng)新，積極研究后 1.4nm 時代的先進(jìn)邏輯制程技術(shù)，實現(xiàn)三星不斷超越摩爾定律的承諾。三星電子同步確認(rèn)，其仍計劃在 2024 下半年量產(chǎn)第二代 3nm 工藝 SF3。而在更傳統(tǒng)的
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X-Fab增強(qiáng)其180納米車規(guī)級高壓CMOS代工解決方案

  • Source:Yulia Shaihudinova/iStock/Getty Images Plus via Getty Images模擬/混合信號和專業(yè)晶圓代工廠X-Fab Silicon Foundries SE（X-Fab）日前推出了其XP018高壓互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）制造平臺的更新。5月16日發(fā)布的一篇新聞稿表示，該平臺現(xiàn)在包括全新的40 V和60 V高壓基礎(chǔ)器件，可提供可擴(kuò)展的安全工作區(qū)（安全工作區(qū)）以提高運(yùn)行穩(wěn)健性。這些第二代器件在RDSon數(shù)據(jù)上也有顯著降低，與此前版本相比降低
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X-FAB增強(qiáng)其180納米車規(guī)級高壓CMOS代工解決方案

  • 全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，更新其XP018高壓CMOS半導(dǎo)體制造平臺，增加全新40V和60V高壓基礎(chǔ)器件——這些器件具有可擴(kuò)展SOA，提高運(yùn)行穩(wěn)健性。與上一代平臺相比，此次更新的第二代高壓基礎(chǔ)器件的RDSon阻值降低高達(dá)50%，為某些關(guān)鍵應(yīng)用提供更好的選擇——特別適合應(yīng)用在需要縮小器件尺寸并降低單位成本的系統(tǒng)中。XP018平臺作為一款模塊化180納米高壓EPI技術(shù)解決方案，基于低掩模數(shù)5V單柵極核心模塊，支持-40°C
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Intel 14A工藝至關(guān)重要！2025年之后穩(wěn)定領(lǐng)先

  • 這幾年，Intel以空前的力度推進(jìn)先進(jìn)制程工藝，希望以最快的速度反超臺積電，重奪領(lǐng)先地位，現(xiàn)在又重申了這一路線，尤其是意欲通過未來的14A 1.4nm級工藝，在未來鞏固自己的領(lǐng)先地位。目前，Intel正在按計劃實現(xiàn)其“四年五個制程節(jié)點(diǎn)”的目標(biāo)，Intel 7工藝、采用EUV極紫外光刻技術(shù)的Intel 4和Intel 3均已實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。其中，Intel 3作為升級版，應(yīng)用于服務(wù)器端的Sierra Forest、Granite Rapids，將在今年陸續(xù)發(fā)布，其中前者首次采用純E核設(shè)計，最多288個。In
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三星 AI 推理芯片 Mach-1 即將原型試產(chǎn)，有望基于 4nm 工藝

  • 5 月 10 日消息，韓媒 ZDNet Korea 援引業(yè)內(nèi)人士的話稱，三星電子的 AI 推理芯片 Mach-1 即將以 MPW（多項目晶圓）的方式進(jìn)行原型試產(chǎn)，有望基于三星自家的 4nm 工藝。這位業(yè)內(nèi)人士還表示，不排除 Mach-1 采用 5nm 工藝的可能。三星已為 Mach-1 定下了時間表：今年下半年量產(chǎn)、今年底交付芯片、明年一季度交付基于該芯片的推理服務(wù)器。同時三星也已獲得了 Naver 至高 1 萬億韓元（當(dāng)前約 52.8 億元人民幣）的預(yù)訂單。雖然三星電子目前能提供 3nm 代工，但在 M
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美國周二表示，已經(jīng)撤銷了許可證，禁止公司向被制裁的華為等公司運(yùn)輸芯片

  • 據(jù)一名知情人士透露，一些公司在周二收到通知，稱他們的許可證立即被撤銷。此舉是在上個月華為發(fā)布了首款A(yù)I功能筆記本電腦MateBook X Pro之后采取的。該電腦由英特爾（INTC.O）新推出的Core Ultra 9處理器提供動力。筆記本電腦的推出引發(fā)了共和黨議員的抨擊，他們稱這表明美國商務(wù)部已經(jīng)向英特爾發(fā)出了向華為出售芯片的許可證。商務(wù)部在一份聲明中表示：“我們已經(jīng)撤銷了一些出口至華為的許可證。”該部門拒絕具體說明已撤銷了哪些許可證。此舉首次由路透社報道，此前，共和黨的中國鷹派議員一直在施加壓力，敦促
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臺積電準(zhǔn)備迎接“Angstrom 14 時代”啟動尖端1.4納米工藝研發(fā)

  • 幾個月前，臺積電發(fā)布了 2023 年年報，但顯然，文件中包含的關(guān)鍵信息被遺漏了。在深入探討之前，我們先來談?wù)勁_積電的 A14，或者說被許多分析師稱為技術(shù)革命的 A14。臺積電宣布，該公司終于進(jìn)入了"Angstrom 14 時代"，開始開發(fā)其最先進(jìn)的 A14 工藝。目前，臺積電的 3 納米工藝正處于開始廣泛采用的階段。因此，1.4 納米工藝在進(jìn)入市場之前還有很長的路要走，很可能會在 2 納米和 1.8 納米節(jié)點(diǎn)之后出現(xiàn)，這意味著你可以預(yù)期它至少會在未來五年甚至更長的時間內(nèi)出現(xiàn)。著
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大聯(lián)大詮鼎集團(tuán)推出基于立锜科技產(chǎn)品的240W PD3.1快充方案

  • 致力于亞太地區(qū)市場的國際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商—大聯(lián)大控股近日宣布，其旗下詮鼎推出基于立锜科技（Richtek）RT7333、RT7795、RT7220E以及RT7209芯片的240W PD3.1快充方案。圖示1-大聯(lián)大詮鼎基于立锜科技產(chǎn)品的240W PD3.1快充方案的展示板圖隨著PD3.1快充協(xié)議的發(fā)布，USB充電技術(shù)迎來了重大突破。該協(xié)議將電源的輸出電壓提升至48V、充電功率同步提升至240W。在此背景下，傳統(tǒng)的反激方案以及適用于20V輸出的協(xié)議芯片已無法滿足當(dāng)前的市場需求。設(shè)備制造商需要更新他們的
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Meta 展示新款 MTIA 芯片：5nm 工藝、90W 功耗、1.35GHz

  • 4 月 11 日消息，Meta 公司于 2023 年 5 月推出定制芯片 MTIA v1 芯片之后，近日發(fā)布新聞稿，介紹了新款 MTIA 芯片的細(xì)節(jié)。MTIA v1 芯片采用 7nm 工藝，而新款 MTIA 芯片采用 5nm 工藝，采用更大的物理設(shè)計（擁有更多的處理核心），功耗也從 25W 提升到了 90W，時鐘頻率也從 800MHz 提高到了 1.35GHz。Meta 公司表示目前已經(jīng)在 16 個數(shù)據(jù)中心使用新款 MTIA 芯片，與 MTIA v1 相比，整體性能提高了 3 倍。但 Meta 只主動表示
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iPhone 17 Pro將首發(fā)！曝臺積電2nm/1.4nm工藝量產(chǎn)時間敲定

  • 4月11日消息，根據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈消息，臺積電的2納米和1.4納米工藝已經(jīng)取得了新的進(jìn)展。據(jù)了解，臺積電的2納米和1.4納米芯片的量產(chǎn)時間已經(jīng)確定。2納米工藝的試產(chǎn)將于2024年下半年開始，而小規(guī)模量產(chǎn)將在2025年第二季度進(jìn)行。值得一提的是，臺積電在亞利桑那州的工廠也將參與2納米工藝的生產(chǎn)。到了2027年，臺積電將開始推進(jìn)1.4納米工藝節(jié)點(diǎn)，這一工藝被正式命名為"A14"。按照目前的情況，臺積電最新的工藝制程很可能會由蘋果率先采用。按照臺積電的量產(chǎn)時間表，iPhone 17 Pro將成為首批
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X-FAB引入圖像傳感器背照技術(shù)增強(qiáng)CMOS傳感器性能

  • 全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，其光學(xué)傳感器產(chǎn)品平臺再添新成員——為滿足新一代圖像傳感器性能的要求，X-FAB現(xiàn)已在其備受歡迎的CMOS傳感器工藝平臺XS018（180納米）上開放了背照（BSI）功能。BSI工藝截面示意圖通過BSI工藝，成像感光像素性能將得到大幅增強(qiáng)。這一技術(shù)使得每個像素點(diǎn)接收到的入射光不會再被后端工藝的金屬層所遮擋，從而大幅提升傳感器的填充比，最高可達(dá)100%。由于其能夠獲得更高的像素感光靈敏度，因而在暗
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One UI 6.1 導(dǎo)致 Galaxy S23 系列手機(jī)指紋識別出問題

  • 4 月 8 日消息，近日，三星為 Galaxy S23 系列機(jī)型推送的 One UI 6.1 更新意外導(dǎo)致了手機(jī)的指紋識別功能出現(xiàn)故障。有用戶反映，使用指紋識別解鎖手機(jī)時，會出現(xiàn)第一次識別失敗，手指離開后再重新識別才能解鎖的情況。還有用戶表示，每次使用指紋識別解鎖手機(jī)時，系統(tǒng)都會崩潰，需要連續(xù)嘗試兩次才能成功。據(jù) AndroidAuthority 報道，三星韓國社區(qū)論壇的一位社區(qū)經(jīng)理已經(jīng)確認(rèn)了該問題的存在。他表示：“對于設(shè)備使用過程中出現(xiàn)的不便，我們深表歉意。我們已經(jīng)確認(rèn)，部分情況下鎖屏的指紋識別功能
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高通驍龍 X Elite 芯片初上手：跑分亮眼、功耗優(yōu)異、AI 性能出色

  • 4 月 8 日消息，國外科技媒體 Windows Latest 幾周前受邀前往高通位于圣迭戈的總部，親身體驗了驍龍 X Elite 平臺產(chǎn)品，在最新博文中分享了跑分、游戲?qū)崪y和 NPU 性能等相關(guān)信息。跑分該媒體使用 3D Mark、Jetstream 等軟件進(jìn)行了相關(guān)測試，IT之家基于該媒體報道，附上 23W 驍龍 X Elite 處理器（系統(tǒng)瓦數(shù)，而非封裝瓦數(shù)）和英特爾酷睿 Ultra 7 155H 處理器的跑分對比：跑分 Snapdragon X Elite 23w Intel Core Ultra
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