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xperia 1 v 文章 進(jìn)入xperia 1 v技術(shù)社區(qū)
與 AI 共舞,RISC-V 芯片加速落地生根
- 環(huán)顧當(dāng)下芯片產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵詞,RISC-V 一定位列其中。自計(jì)算機(jī)誕生以來(lái),指令集架構(gòu)一直是計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)中的核心概念之一。目前市場(chǎng)上主流的指令集架構(gòu)兩大巨頭是 x86 和 ARM,前者基本壟斷了 PC、筆記本電腦和服務(wù)器領(lǐng)域,后者則在智能手機(jī)和移動(dòng)終端市場(chǎng)占據(jù)主導(dǎo)地位。近年來(lái),隨著全球?qū)π酒灾骺煽匦枨蟮脑鲩L(zhǎng)以及物聯(lián)網(wǎng)、邊緣計(jì)算等領(lǐng)域的需求不斷擴(kuò)大,RISC-V 在學(xué)術(shù)界和工業(yè)界得到了廣泛關(guān)注和應(yīng)用,逐漸成為第三大指令集架構(gòu)。2023 年,RISC-V 架構(gòu)在更多實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景中得以落地生根,從物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、邊
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Intel 14A工藝至關(guān)重要!2025年之后穩(wěn)定領(lǐng)先
- 這幾年,Intel以空前的力度推進(jìn)先進(jìn)制程工藝,希望以最快的速度反超臺(tái)積電,重奪領(lǐng)先地位,現(xiàn)在又重申了這一路線,尤其是意欲通過(guò)未來(lái)的14A 1.4nm級(jí)工藝,在未來(lái)鞏固自己的領(lǐng)先地位。目前,Intel正在按計(jì)劃實(shí)現(xiàn)其“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”的目標(biāo),Intel 7工藝、采用EUV極紫外光刻技術(shù)的Intel 4和Intel 3均已實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。其中,Intel 3作為升級(jí)版,應(yīng)用于服務(wù)器端的Sierra Forest、Granite Rapids,將在今年陸續(xù)發(fā)布,其中前者首次采用純E核設(shè)計(jì),最多288個(gè)。In
- 關(guān)鍵字: 英特爾 晶圓 芯片 先進(jìn)制程 1.4nm
三星 AI 推理芯片 Mach-1 即將原型試產(chǎn),有望基于 4nm 工藝
- 5 月 10 日消息,韓媒 ZDNet Korea 援引業(yè)內(nèi)人士的話稱,三星電子的 AI 推理芯片 Mach-1 即將以 MPW(多項(xiàng)目晶圓)的方式進(jìn)行原型試產(chǎn),有望基于三星自家的 4nm 工藝。這位業(yè)內(nèi)人士還表示,不排除 Mach-1 采用 5nm 工藝的可能。三星已為 Mach-1 定下了時(shí)間表:今年下半年量產(chǎn)、今年底交付芯片、明年一季度交付基于該芯片的推理服務(wù)器。同時(shí)三星也已獲得了 Naver 至高 1 萬(wàn)億韓元(當(dāng)前約 52.8 億元人民幣)的預(yù)訂單。雖然三星電子目前能提供 3nm 代工,但在 M
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臺(tái)積電準(zhǔn)備迎接“Angstrom 14 時(shí)代”啟動(dòng)尖端1.4納米工藝研發(fā)
- 幾個(gè)月前,臺(tái)積電發(fā)布了 2023 年年報(bào),但顯然,文件中包含的關(guān)鍵信息被遺漏了。在深入探討之前,我們先來(lái)談?wù)勁_(tái)積電的 A14,或者說(shuō)被許多分析師稱為技術(shù)革命的 A14。臺(tái)積電宣布,該公司終于進(jìn)入了"Angstrom 14 時(shí)代",開始開發(fā)其最先進(jìn)的 A14 工藝。目前,臺(tái)積電的 3 納米工藝正處于開始廣泛采用的階段。因此,1.4 納米工藝在進(jìn)入市場(chǎng)之前還有很長(zhǎng)的路要走,很可能會(huì)在 2 納米和 1.8 納米節(jié)點(diǎn)之后出現(xiàn),這意味著你可以預(yù)期它至少會(huì)在未來(lái)五年甚至更長(zhǎng)的時(shí)間內(nèi)出現(xiàn)。著
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 Angstrom 14 1.4納米 工藝
2024中關(guān)村論壇年會(huì)亮相10項(xiàng)重大科技成果
- 據(jù)中國(guó)科協(xié)官微消息,4月25日,2024中關(guān)村論壇年會(huì)開幕式舉行,10項(xiàng)重大科技成果集體亮相。其中:北京量子信息科學(xué)研究院聯(lián)合中國(guó)科學(xué)院物理研究所、清華大學(xué)等團(tuán)隊(duì),宣布完成大規(guī)模量子云算力集群建設(shè),實(shí)現(xiàn)了5塊百比特規(guī)模量子芯片算力資源和經(jīng)典算力資源的深度融合,總物理比特?cái)?shù)達(dá)到590,綜合指標(biāo)進(jìn)入國(guó)際第一梯隊(duì)。清華大學(xué)戴瓊海團(tuán)隊(duì)突破傳統(tǒng)芯片架構(gòu)中的物理瓶頸,研制出國(guó)際首個(gè)全模擬光電智能計(jì)算芯片。據(jù)介紹,該芯片具有高速度、低功耗的特點(diǎn),在智能視覺(jué)目標(biāo)識(shí)別任務(wù)方面的算力是目前高性能商用芯片的3000余倍,能效提
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第三代“香山”RISC-V 開源高性能處理器核亮相,性能進(jìn)入全球第一梯隊(duì)
- IT之家 4 月 25 日消息,在今日的 2024 中關(guān)村論壇年會(huì)開幕式重大成果發(fā)布環(huán)節(jié),多項(xiàng)重大科技成果集體亮相。第三代“香山”RISC-V 開源高性能處理器核亮相,性能進(jìn)入全球第一梯隊(duì)。據(jù)介紹,第五代精簡(jiǎn)指令集(RISC-V)正在引領(lǐng)新一輪處理器芯片技術(shù)與產(chǎn)業(yè)的變革浪潮。中國(guó)科學(xué)院計(jì)算技術(shù)研究所、北京開源芯片研究院開發(fā)出第三代“香山”開源高性能 RISC-V 處理器核,是在國(guó)際上首次基于開源模式、使用敏捷開發(fā)方法、聯(lián)合開發(fā)的處理器核,性能水平進(jìn)入全球第一梯隊(duì),成為國(guó)際開源社區(qū)性能最強(qiáng)、最活躍
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RISC-V如何推動(dòng)邊緣機(jī)器學(xué)習(xí)的發(fā)展
- 圖源:ipopba/Stock.adobe.com當(dāng)你入了機(jī)器學(xué)習(xí) (ML) 領(lǐng)域的門之后,很快就會(huì)發(fā)現(xiàn),云端的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和處理成本竟然如此之高。為此,許多企業(yè)都上了內(nèi)部部署基礎(chǔ)設(shè)施的車,試圖通過(guò)這些設(shè)施來(lái)承載其ML工作負(fù)載,從而限制上述成本??杉幢闳绱?,這些內(nèi)部的數(shù)據(jù)中心還是會(huì)帶來(lái)諸如功耗增加等代價(jià),尤其是在規(guī)模較大的情況下。而功耗增加,就意味著電費(fèi)支出更高,還會(huì)給設(shè)備散熱制造麻煩,對(duì)可持續(xù)發(fā)展也會(huì)構(gòu)成不利影響。在云服務(wù)和內(nèi)部部署場(chǎng)景中,這些開銷與輸入到中心樞紐的數(shù)據(jù)量直接相關(guān)。而解決的辦法,就是在數(shù)據(jù)到
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大聯(lián)大詮鼎集團(tuán)推出基于立锜科技產(chǎn)品的240W PD3.1快充方案
- 致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的國(guó)際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商—大聯(lián)大控股近日宣布,其旗下詮鼎推出基于立锜科技(Richtek)RT7333、RT7795、RT7220E以及RT7209芯片的240W PD3.1快充方案。圖示1-大聯(lián)大詮鼎基于立锜科技產(chǎn)品的240W PD3.1快充方案的展示板圖隨著PD3.1快充協(xié)議的發(fā)布,USB充電技術(shù)迎來(lái)了重大突破。該協(xié)議將電源的輸出電壓提升至48V、充電功率同步提升至240W。在此背景下,傳統(tǒng)的反激方案以及適用于20V輸出的協(xié)議芯片已無(wú)法滿足當(dāng)前的市場(chǎng)需求。設(shè)備制造商需要更新他們的
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Achronix FPGA增加對(duì)Bluespec提供的基于Linux的RISC-V軟處理器的支持,以實(shí)現(xiàn)可擴(kuò)展數(shù)據(jù)處理
- 高性能FPGA芯片和嵌入式FPGA(eFPGA)硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)Achronix半導(dǎo)體公司,以及RISC-V工具和IP領(lǐng)域的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者Bluespec有限公司,日前聯(lián)合宣布推出一系列支持Linux的RISC-V軟處理器,這些處理器都可用于Achronix FPGA產(chǎn)品Speedster?7t系列中。這是業(yè)界首創(chuàng),Bluespec的RISC-V處理器現(xiàn)在無(wú)縫集成到Achronix的二維片上網(wǎng)絡(luò)(2D NoC)架構(gòu)中,簡(jiǎn)化了集成,使工程師能夠輕松地將可擴(kuò)展的處理器添加到他們的Achronix
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Meta 展示新款 MTIA 芯片:5nm 工藝、90W 功耗、1.35GHz
- 4 月 11 日消息,Meta 公司于 2023 年 5 月推出定制芯片 MTIA v1 芯片之后,近日發(fā)布新聞稿,介紹了新款 MTIA 芯片的細(xì)節(jié)。MTIA v1 芯片采用 7nm 工藝,而新款 MTIA 芯片采用 5nm 工藝,采用更大的物理設(shè)計(jì)(擁有更多的處理核心),功耗也從 25W 提升到了 90W,時(shí)鐘頻率也從 800MHz 提高到了 1.35GHz。Meta 公司表示目前已經(jīng)在 16 個(gè)數(shù)據(jù)中心使用新款 MTIA 芯片,與 MTIA v1 相比,整體性能提高了 3 倍。但 Meta 只主動(dòng)表示
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iPhone 17 Pro將首發(fā)!曝臺(tái)積電2nm/1.4nm工藝量產(chǎn)時(shí)間敲定
- 4月11日消息,根據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈消息,臺(tái)積電的2納米和1.4納米工藝已經(jīng)取得了新的進(jìn)展。據(jù)了解,臺(tái)積電的2納米和1.4納米芯片的量產(chǎn)時(shí)間已經(jīng)確定。2納米工藝的試產(chǎn)將于2024年下半年開始,而小規(guī)模量產(chǎn)將在2025年第二季度進(jìn)行。值得一提的是,臺(tái)積電在亞利桑那州的工廠也將參與2納米工藝的生產(chǎn)。到了2027年,臺(tái)積電將開始推進(jìn)1.4納米工藝節(jié)點(diǎn),這一工藝被正式命名為"A14"。按照目前的情況,臺(tái)積電最新的工藝制程很可能會(huì)由蘋果率先采用。按照臺(tái)積電的量產(chǎn)時(shí)間表,iPhone 17 Pro將成為首批
- 關(guān)鍵字: iPhone 17 Pro 臺(tái)積電 2nm 1.4nm 工藝
芯來(lái)科技、IAR和MachineWare攜手加速符合ASIL標(biāo)準(zhǔn)RISC-V汽車芯片創(chuàng)新
- 芯來(lái)科技(Nuclei)、IAR和MachineWare緊密合作,加速RISC-V ASIL合規(guī)汽車解決方案的創(chuàng)新。此次合作簡(jiǎn)化了汽車電子的固件和MCAL開發(fā),提供了虛擬和物理硬件平臺(tái)之間的無(wú)縫集成。通過(guò)這種合作努力,設(shè)計(jì)人員可以更早地開始軟件開發(fā),并輕松擴(kuò)展其測(cè)試環(huán)境。芯來(lái)科技、IAR和MachineWare之間的努力實(shí)現(xiàn)了在虛擬和物理SoC之間的無(wú)縫切換,促進(jìn)了早期軟件開發(fā)和錯(cuò)誤檢測(cè)。這種簡(jiǎn)化的方法加快了上市時(shí)間,特別是在汽車底層軟件解決方案開發(fā)和HIL(Hardware-in-the-Loop)測(cè)試
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Imagination推出全新Catapult CPU,加速RISC-V設(shè)備采用
- Imagination Technologies于近日推出Catapult CPU IP系列的最新產(chǎn)品 Imagination APXM-6200 CPU。這款RISC-V應(yīng)用處理器具有極高的性能密度、無(wú)縫安全性和人工智能(AI)功能,可滿足下一代消費(fèi)和工業(yè)設(shè)備對(duì)計(jì)算和智能用戶界面的需求。SHD Group首席分析師Rich Wawrzyniak表示:“采用RISC-V架構(gòu)的設(shè)備數(shù)量正在激增,預(yù)計(jì)到 2030年將超過(guò)160億,而消費(fèi)市場(chǎng)是推動(dòng)這一增長(zhǎng)的主要力量。到21世紀(jì)20年代末,每五臺(tái)消費(fèi)電子設(shè)備中就
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One UI 6.1 導(dǎo)致 Galaxy S23 系列手機(jī)指紋識(shí)別出問(wèn)題
- 4 月 8 日消息,近日,三星為 Galaxy S23 系列機(jī)型推送的 One UI 6.1 更新意外導(dǎo)致了手機(jī)的指紋識(shí)別功能出現(xiàn)故障。有用戶反映,使用指紋識(shí)別解鎖手機(jī)時(shí),會(huì)出現(xiàn)第一次識(shí)別失敗,手指離開后再重新識(shí)別才能解鎖的情況。還有用戶表示,每次使用指紋識(shí)別解鎖手機(jī)時(shí),系統(tǒng)都會(huì)崩潰,需要連續(xù)嘗試兩次才能成功。據(jù) AndroidAuthority 報(bào)道,三星韓國(guó)社區(qū)論壇的一位社區(qū)經(jīng)理已經(jīng)確認(rèn)了該問(wèn)題的存在。他表示:“對(duì)于設(shè)備使用過(guò)程中出現(xiàn)的不便,我們深表歉意。我們已經(jīng)確認(rèn),部分情況下鎖屏的指紋識(shí)別功能
- 關(guān)鍵字: One UI 6.1 Galaxy S23 手機(jī)指紋 識(shí)別
晶心科技將于4/9、4/11于上海、深圳舉辦ANDES RISC-V CON研討會(huì)
- 近年來(lái),RISC-V 在車用電子、資安技術(shù)和人工智能等先進(jìn)領(lǐng)域正經(jīng)歷快速擴(kuò)展,在高階應(yīng)用處理器的發(fā)展也備受期待。根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)SHD Group預(yù)測(cè),到2030年,基于 RISC-V 的 SoC 出貨量將急遽增加至162億顆,相應(yīng)營(yíng)收更預(yù)計(jì)達(dá)到920億美元,復(fù)合年增長(zhǎng)率分別高達(dá)44%和47%。由此可知, RISC-V 架構(gòu)的顯著增長(zhǎng)趨勢(shì),進(jìn)一步推動(dòng)了一場(chǎng)技術(shù)革命的引爆。隨著 RISC-V 成為市場(chǎng)主流解決方案,Andes晶心深耕 RISC-V 領(lǐng)域多年,透徹了解其開放、精簡(jiǎn)及可擴(kuò)充的彈性配置特性而深受眾
- 關(guān)鍵字: 晶心 ANDES RISC-V
xperia 1 v介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條xperia 1 v!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)xperia 1 v的理解,并與今后在此搜索xperia 1 v的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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