三星將取消EUV DRAM產(chǎn)線轉(zhuǎn)換計劃，或另有大動作！

據(jù)韓媒消息稱，原本三星計劃將華城專門用于極紫外光刻設(shè)備（EUV）的'V1'生產(chǎn)線中的某些DRAM生產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為晶圓代工，但是該計劃已經(jīng)取消，決定維持DRAM生產(chǎn)線。

據(jù)悉，三星華城工廠有3條生產(chǎn)線：V1、S3和S4，其中專用于EUV的V1產(chǎn)線大致分為上和下兩部分，上部和下部分東、西兩側(cè)，上東部和下東部為晶圓代工生產(chǎn)線，三星已于4月底完成華城V1生產(chǎn)線西側(cè)的建造工序，引入20多臺EUV設(shè)備，用于生產(chǎn)DRAM。

美國奧斯汀產(chǎn)能逐漸恢復(fù)，且擴大在美投資，或是三星改變策略的誘因

從2020下半年開始，晶圓代工產(chǎn)能緊缺，2021年第一季度持續(xù)，且漲價不斷。在此波全球芯片缺貨的浪潮中，三星LSI部門的產(chǎn)能供應(yīng)也短缺，尤其是三星奧斯汀工廠產(chǎn)能損失，一度使得產(chǎn)能供應(yīng)短缺進一步惡化。

因應(yīng)市場不斷持續(xù)增長的需求，原本三星計劃擴大晶圓代工產(chǎn)能，而之所以改變計劃，主要原因可能是隨著英特爾、臺積電紛紛在美國大手筆投資建廠，格羅方德也計劃在美國投資建設(shè)制造工廠，加入擴產(chǎn)隊列，三星也欲將美國作為主要的晶圓代工生產(chǎn)基地。

首先，三星美國奧斯汀工廠運轉(zhuǎn)逐漸正常，4月已經(jīng)恢復(fù)一些生產(chǎn)，5月份可全面恢復(fù)到正常供貨水平，恢復(fù)進展比預(yù)期要提前至少半個月。其次，三星目標(biāo)是計劃在2030年超越臺積電，成為全球最大晶圓代工龍頭企業(yè)，早就有消息稱三星將在美國投資170億美元，建造晶圓代工廠，最早在2023年投入運營。

此外，三星可能與其他企業(yè)合作擴充產(chǎn)能。之前有消息稱，三星與聯(lián)電將啟動全新合作模式，將由三星出資買設(shè)備置于在聯(lián)電為其打造的南科P6廠，由聯(lián)電為其代工生產(chǎn)ISP及相關(guān)面板驅(qū)動IC，為三星提供產(chǎn)能滿足市場需求。在不久之后，聯(lián)電就宣布與多家全球領(lǐng)先的客戶共同攜手，擴充位于臺南科學(xué)園區(qū) Fab 12A P6 廠區(qū)產(chǎn)能，將采 28nm制程，未來亦可延伸至14nm，月產(chǎn)能 2.75萬片，擴建產(chǎn)能預(yù)計2023 年第二季投產(chǎn)。

三星預(yù)估DRAM漲價到年底，美光、SK海力士加快技術(shù)升級，三星需確保DRAM市場地位

DRAM市場，三星一直處于龍頭地位，2021年第一季度 DRAM量價齊升，三星預(yù)估二季度服務(wù)器需求的強勁將推動存儲業(yè)務(wù)的增長，全球芯片短缺可能在下半年持續(xù)，基于全面的強勁需求，DRAM價格在下半年可望保持上升軌道。三星維持DRAM生產(chǎn)線，也是看好DRAM市場樂觀。

另一方面，三星、SK海力士、美光三大DRAM原廠開始進入EUV時代和第四代10nm級技術(shù)競爭階段。三星2020年在1Znm制程就導(dǎo)入了EUV設(shè)備，可謂搶占了先機，2021年將加快擴大15nm DRAM，以及加快導(dǎo)入EUV設(shè)備生產(chǎn)14nm DRAM。

美光和SK海力士也在加快腳步，美光1-alpha DRAM實現(xiàn)了量產(chǎn)，并未導(dǎo)入EUV設(shè)備，致力于在2022年成為主要生產(chǎn)力，計劃在2022下半年導(dǎo)入1-alpha技術(shù)生產(chǎn)DDR5產(chǎn)品。SK海力士新M16工廠已竣工，將首次引進EUV光刻設(shè)備，計劃2021年內(nèi)完成EUV設(shè)備導(dǎo)入1anm技術(shù)，實現(xiàn)批量生產(chǎn)。

三星稱霸晶圓代工市場的野心未變，但DRAM是其半導(dǎo)體核心業(yè)務(wù)，而其晶圓代工目前的貢獻(xiàn)和市場遠(yuǎn)不及DRAM，因此確保DRAM產(chǎn)能和技術(shù)競爭力自然是三星首要任務(wù)。