傳三星已與AMD簽訂30億美元HBM3E供貨協(xié)議！

4月24日消息，據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，三星已經(jīng)成功與處理器大廠AMD簽訂了價(jià)值30億美元的新供應(yīng)協(xié)議。三星將向AMD供應(yīng)HBM3E 12H DRAM，預(yù)計(jì)會(huì)用在AMD Instinct MI350系列AI芯片上。在此協(xié)議中，三星還同意購(gòu)買AMD的GPU以換取HBM產(chǎn)品的交易，但是具體的產(chǎn)品和數(shù)量暫時(shí)還不清楚。

早在2023年10月，三星舉辦了“Samsung Memory Tech Day 2023”活動(dòng)，宣布推出代號(hào)為Shinebolt的新一代HBM3E。到了2024年2月，三星正式宣布已開發(fā)出業(yè)界首款HBM3E 12H DRAM，擁有12層堆疊，帶寬高達(dá)1280GB/s，容量為36GB，是迄今為止帶寬和容量最高的HBM產(chǎn)品。

據(jù)介紹，HBM3E 12H采用先進(jìn)的熱壓非導(dǎo)電薄膜（TC NCF），使12層產(chǎn)品具有與8層產(chǎn)品相同的高度規(guī)格，以滿足當(dāng)前HBM封裝要求。該技術(shù)預(yù)計(jì)將具有更多優(yōu)勢(shì)，特別是對(duì)于更高的堆疊，因?yàn)闃I(yè)界尋求減輕更薄芯片帶來的芯片芯片翹曲。三星不斷降低其 NCF 材料的厚度，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最小的芯片間隙（7μm)），同時(shí)還消除了層間空隙。與 HBM3 8H 產(chǎn)品相比，這些努力使垂直密度提高了20% 以上。三星先進(jìn)的 TC NCF 還通過在芯片之間使用各種尺寸的凸塊來提高 HBM 的熱性能。在芯片接合過程中，較小的凸塊用于信號(hào)區(qū)域，而較大的凸塊則放置在需要散熱的位置。該方法還有助于提高產(chǎn)品產(chǎn)量。

三星表示，隨著人工智能應(yīng)用呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，HBM3E 12H 有望成為未來需要更多內(nèi)存的系統(tǒng)的最佳解決方案。其更高的性能和容量尤其使客戶能夠更靈活地管理其資源并降低數(shù)據(jù)中心的總擁有成本（TCO）。用于AI應(yīng)用時(shí)，預(yù)計(jì)相比采用HBM3 8H，AI訓(xùn)練的平均速度可提升34%，同時(shí)推理服務(wù)的用戶數(shù)可擴(kuò)展11.5倍以上。目前三星已開始向客戶提供 HBM3E 12H 樣品，預(yù)計(jì)于今年上半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

此前有市場(chǎng)消息指出，AMD計(jì)劃在2024年下半年推出Instinct MI350系列AI芯片，屬于Instinct MI300系列AI芯片的升級(jí)版本。其采用了晶圓代工龍頭臺(tái)積電的4nm制程技術(shù)生產(chǎn)，以提供更強(qiáng)大的運(yùn)算性能，并降低功耗。由于將采用12層堆疊的HBM3E，也在提高傳輸帶寬的同時(shí)，還加大了容量。

編輯：芯智訊-浪客劍