臺積電已開始使用InFO_SoW技術(shù)量產(chǎn)特斯拉Dojo AI訓(xùn)練模塊

據(jù)報道，臺積電宣布已開始利用其InFO_SoW（晶圓上集成扇出硅）技術(shù)生產(chǎn)特斯拉Dojo AI訓(xùn)練模塊，旨在到2027年通過更復(fù)雜的晶圓級系統(tǒng)將計算能力提高40倍。

此前有消息顯示，特斯拉超級計算機(jī)自制芯片Dojo采用臺積電7nm制程，作為臺積電首款 InFO_SoW 產(chǎn)品，將提供高速運(yùn)算定制化需求，且不需要額外PCB載板，就能將相關(guān)芯片集成散熱模塊，加速生產(chǎn)流程。

根據(jù)臺積電公布的資料顯示，InFO_SoW相比于采用倒裝芯片（Flip Chip）技術(shù)的Multi-chip-module（MCM），在線密度、帶寬密度方面等多個方面都有明顯的優(yōu)勢。根據(jù)臺積電的說法，它可以將帶寬密度提高2倍，阻抗降低97％，同時將互連功耗降低15％。

至此，臺積電首款SoW產(chǎn)品采用以邏輯芯片為主的集成型扇出（InFO）技術(shù)，現(xiàn)已投入生產(chǎn)。另一款采用CoWoS技術(shù)的芯片堆疊版本，預(yù)計于2027年問世，可整合SoIC、HBM及其他零部件，打造一個強(qiáng)大且運(yùn)算能力媲美資料中心伺服器機(jī)架，或甚至整臺服務(wù)器的晶圓級系統(tǒng)。

InFO_SoW技術(shù)

InFO_SoW（整合型扇出晶圓級系統(tǒng)封裝）是“InFO”技術(shù)應(yīng)用于高性能計算機(jī)的一種改良模式，也是一種晶圓級（Wafer Scale）的超大型封裝技術(shù)，主要包括晶圓狀的放熱模組（Plate）、硅芯片（Silicon Die）群、InFO RDL、電源模組、連接器等部分。

InFO_SoW 本身作為載體，消除了基板和 PCB 的使用。緊湊系統(tǒng)內(nèi)緊密封裝的多個芯片陣列使該解決方案能夠獲得晶圓級優(yōu)勢，例如低延遲芯片間通信、高帶寬密度和低 PDN 阻抗，從而實(shí)現(xiàn)更高的計算性能和功效。除了異構(gòu)芯片集成之外，其晶圓現(xiàn)場處理能力還支持基于小芯片的設(shè)計，從而實(shí)現(xiàn)更大的成本節(jié)約和設(shè)計靈活性。

InFO_SoW 在模組（尺寸和晶圓大小相近）上橫向排列多個硅芯片（Silicon Die，或者 Chip），再通過“InFO”結(jié)構(gòu)使芯片和輸入 / 輸出端子相互連接，從而區(qū)別于堆疊了兩個“InFO”的“InFO_SoIS（System on Integrated Substrate）”技術(shù)。

一般來說，InFO_SoW 技術(shù)生產(chǎn)的芯片面積較大，它可以將大規(guī)模系統(tǒng)（由大量的硅芯片組成）集成于直徑為 300mm 左右的圓板狀模組（晶圓狀的模組）上；而通過采用 InFO 技術(shù)，它又可以獲得相比傳統(tǒng)的模組相更小型、更高密度的集成系統(tǒng)。

在臺積電之前公布的資料中，InFO_SoW 相比于采用倒裝芯片（Flip Chip）技術(shù)的 Multi-chip-module（MCM）和“InFO_SoW”更有優(yōu)勢。經(jīng)查詢發(fā)現(xiàn)，與 MCM 相比，其相互連接的排線寬度、間隔縮短了二分之一，排線密度提高了兩倍。此外，其單位面積的數(shù)據(jù)傳輸速度也提高了兩倍；電源供給網(wǎng)絡(luò)（PDN）的阻抗（Impedance）明顯低于 MCM，僅為 MCM 的 3%。