支持在CPU/GPU上堆疊HBM內(nèi)存，三星SAINT-D封裝技術(shù)今年商用

6月18日消息，據(jù)《韓國經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，三星將于今年推出高帶寬內(nèi)存 (HBM) 的 3D 封裝服務(wù)，該報(bào)道援引了三星日前在美國圣何塞舉行的 2024 年三星代工論壇上的聲明以及“業(yè)內(nèi)消息人士”的說法，三星 3D 封裝技術(shù)基本上將為2025 年底至 2026 年的HBM4集成鋪平道路。

對(duì)于 3D 封裝，三星此前就曾推出了一個(gè)名為 SAINT（三星先進(jìn)互連技術(shù)）的平臺(tái)，其中包括三種不同的 3D 堆疊技術(shù)：用于 SRAM 的 SAINT-S、用于邏輯的 SAINT-L 和用于在CPU或GPU等邏輯芯片之上堆疊 DRAM 的 SAINT-D 。

其中，三星在2022年正式宣布推出 SAINT-D 之后，已經(jīng)研發(fā)了數(shù)年，預(yù)計(jì)今年將正式商用，這將是全球最大內(nèi)存制造商和領(lǐng)先代工廠的一個(gè)重要里程碑。

三星的新型 3D 封裝方法涉及將 HBM 芯片垂直堆疊在處理器頂部，這與現(xiàn)有的通過硅中介層水平連接 HBM 芯片和 GPU 的2.5D 技術(shù)不同。這種垂直堆疊方法消除了對(duì)硅中介層的需要，但需要使用復(fù)雜的工藝技術(shù)制造的用于 HBM 內(nèi)存的新基片。

3D 封裝技術(shù)為 HBM 提供了顯著的優(yōu)勢(shì)，包括更快的數(shù)據(jù)傳輸、更清晰的信號(hào)、更低的功耗和更低的延遲，但封裝成本相對(duì)較高。三星計(jì)劃以交鑰匙服務(wù)的形式提供這種先進(jìn)的 3D HBM 封裝，其內(nèi)存業(yè)務(wù)部門生產(chǎn) HBM 芯片，代工部門為無晶圓廠公司組裝實(shí)際的處理器。

目前尚不清楚的是，三星今年計(jì)劃用 SAINT-D 提供什么產(chǎn)品。將 HBM 放在邏輯芯片上需要適當(dāng)?shù)男酒O(shè)計(jì)，目前尚不清楚還有其他公司將 HBM 放在其他芯片頂部，并計(jì)劃于 2024 年至 2025 年上半年推出。

展望未來，三星的目標(biāo)是到 2027 年推出一體化異構(gòu)集成技術(shù)。這項(xiàng)技術(shù)將實(shí)現(xiàn)兩層邏輯芯片、HBM 內(nèi)存（在中介層上）甚至共封裝光學(xué)器件 (CPO) 的集成。

編輯：芯智訊-林子