海力士開發(fā)出全球最大容量的單芯片封裝DRAM內(nèi)存

　　全球第二大計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片廠商海力士半導(dǎo)體周三稱，它已經(jīng)開發(fā)出全球最大容量的單芯片封裝DRAM內(nèi)存芯片。

　　海力士在聲明中稱，通過使用一種名為TSV(硅通孔技術(shù))的新技術(shù)，海力士成功地在一個(gè)芯片封裝中堆疊了8個(gè)2GB DDR3 DRAM內(nèi)存芯片。TSV技術(shù)與以前的技術(shù)相比具有速度更快和耗電量更少的優(yōu)勢。

　　海力士稱，這個(gè)成就標(biāo)志著全球第一個(gè)在一個(gè)芯片封裝中集成16GB內(nèi)存。制作稱內(nèi)存模塊之后，一個(gè)內(nèi)存模塊的最大容量可達(dá)64GB，可廣泛應(yīng)用以滿足服務(wù)器和其它產(chǎn)品對大容量內(nèi)存的需求。

　　海力士副總裁Hong Sung-joo在聲明中稱，使用TSV技術(shù)的大容量內(nèi)存生產(chǎn)技術(shù)將在2、3年內(nèi)成為內(nèi)存行業(yè)的核心部分。