DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)關(guān)鍵屬性大公開：電壓僅1.2V

　　JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)今天公布了DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)中的部分關(guān)鍵屬性，并宣布將在2012年年中正式發(fā)布新一代內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，相比于DDR3取得重大性能提升，同時(shí)繼續(xù)降低功耗。JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)宣稱，DDR4將具備一系列創(chuàng)新特性，可帶來更快的運(yùn)行速度和廣泛的實(shí)用性，包括服務(wù)器、筆記本、臺(tái)式機(jī)、消費(fèi)電子產(chǎn)品等等，其頻率、電壓和架構(gòu)也都在進(jìn)行重新定義，目標(biāo)是簡化新標(biāo)準(zhǔn)的遷移和部署。

　　提議中的路線圖顯示，DDR4內(nèi)存的VDDQ電壓將設(shè)定在僅僅1.2V，并在未來進(jìn)一步降低VDD電壓，此外還會(huì)保證I/O電壓的穩(wěn)定。相比之下，DDR3標(biāo)準(zhǔn)版電壓為1.5V，低壓版也有1.35V。

　　DDR4內(nèi)存每個(gè)針腳的數(shù)據(jù)傳輸率將達(dá)到1.6Gbps，最高會(huì)沖擊3.2Gbps?？紤]到DDR3就有望沖破 1.6GT/s的極限，DDR4在未來應(yīng)該還會(huì)具備更高的性能水準(zhǔn)。其它提議中的性能改進(jìn)還包括：DQ總線偽開漏接口(pesudo open drain interface)、2667MHz及更高數(shù)據(jù)率的低速檔模式(geardown mode)、bank分組架構(gòu)(bank group)、內(nèi)部生成VreDQ電壓、訓(xùn)練模式(training mode)改進(jìn)。

　　DDR4架構(gòu)上采用了8n預(yù)取的bank分組，包括使用兩個(gè)或者四個(gè)可選擇的bank分組，這將使得DDR4內(nèi)存的每個(gè)bank分組都有獨(dú)立的激 活、讀取、寫入和刷新操作，從而改進(jìn)內(nèi)存的整體效率和帶寬，尤其是在使用較小的內(nèi)存粒度(memory granularity)的時(shí)候。

　　在此之前，三星和海力士已經(jīng)分別造出了試驗(yàn)性的DDR4內(nèi)存條。預(yù)計(jì)DDR4內(nèi)存將于2014年投入商用，2015年即迅速普及。

　　DDR4其它正在開發(fā)中的特性：

　　- 三種數(shù)據(jù)帶寬選擇：x4、x8、x16

　　- 新的JEDEC POD12接口標(biāo)準(zhǔn)(1.2V)

　　- 時(shí)鐘與閘門的差分信號(hào)

　　- 新的終端機(jī)制：DQ總線負(fù)責(zé)控制VDDQ終端，即使VDD電壓衰減也能保持穩(wěn)定。

　　- 常規(guī)和動(dòng)態(tài)ODT：ODT協(xié)議的改進(jìn)和新的停放模式(Park Mode)可以實(shí)現(xiàn)常規(guī)終端和動(dòng)態(tài)寫入終端，而無需驚動(dòng)ODT針腳。

　　- 突發(fā)長度8，突發(fā)突變4。

　　- 數(shù)據(jù)屏蔽(data masking)

　　- DBI：幫助降低功耗、改進(jìn)數(shù)據(jù)型號(hào)完整性，通知DRAM應(yīng)該保存真正的還是倒置的數(shù)據(jù)。

　　- 新的數(shù)據(jù)總線CRC(錯(cuò)誤校驗(yàn))：支持?jǐn)?shù)據(jù)傳輸?shù)腻e(cuò)誤校驗(yàn)功能，尤其有利于寫入操作和非ECC內(nèi)存應(yīng)用。

　　- 新的指令/數(shù)據(jù)總線CA對(duì)等：一個(gè)新的低成本防范，用于指令和數(shù)據(jù)沿鏈接傳輸期間所有操作完整性的檢驗(yàn)。

　　- 支持DLL關(guān)閉模式(DLL of mode)