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全球移動(dòng)內(nèi)存營收排名 三星半導(dǎo)體穩(wěn)居龍頭

—— 海力士全力沖刺縮小差距
作者: 時(shí)間:2012-05-17 來源:華強(qiáng)電子網(wǎng) 收藏

  根據(jù)TrendForce旗下研究部門DRAMeXchange調(diào)查,DRAM廠積極研發(fā),并提高行動(dòng)式內(nèi)存產(chǎn)能,不僅可望拉抬整體獲利表現(xiàn),亦可降低因標(biāo)準(zhǔn)型DRAM生產(chǎn)造成的虧損。第一季行動(dòng)式內(nèi)存平均銷售單價(jià)滑落約10~15%,合約價(jià)降幅約10%,但由于出貨位元成長約達(dá)20%,整體行動(dòng)式內(nèi)存營收較去年第四季成長約37%。TrendForce表示,除電子市占大幅擴(kuò)大之外,其他廠家均受到降價(jià)影響而壓縮整體行動(dòng)式內(nèi)存營收表現(xiàn)。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/132552.htm

  半導(dǎo)體穩(wěn)居龍頭海力士全力沖刺縮小差距

  在產(chǎn)品組合多樣性、技術(shù)以及生產(chǎn)成本優(yōu)勢(shì)下,半導(dǎo)體第一季在行動(dòng)式內(nèi)存的銷售一舉拿下七成的市占率,自有品牌Galaxy貢獻(xiàn)良多,約占三星行動(dòng)式內(nèi)存總產(chǎn)出的3成;韓系廠商在行動(dòng)式內(nèi)存的市占率于第一季突破八成,足見韓系廠商長期在行動(dòng)式內(nèi)存市場(chǎng)的布局與努力成效卓著。三星今年開始在市場(chǎng)策略上,將更專注LPDDR2,以及高容量多芯片封裝(MCP)生產(chǎn),TrendForce認(rèn)為這是三星在行動(dòng)式內(nèi)存營收領(lǐng)先對(duì)手的主因,下階段三星將以深化客戶對(duì)高容量LPDDR2的接受度為發(fā)展重點(diǎn),做為下一波營收成長動(dòng)力。同時(shí),三星也積極在客戶端推廣應(yīng)用于UltraBook的LPDDR3*16,雖然至今仍未通過JEDEC的認(rèn)證規(guī)范,但若受到PCOEM廠商青睞,預(yù)計(jì)將更進(jìn)一步擴(kuò)大三星在行動(dòng)式內(nèi)存的市占率。

  SK海力士方面,本季行動(dòng)式內(nèi)存產(chǎn)品線營收與上季相當(dāng),隨著38nm制程良率逐步提升,不僅生產(chǎn)成本降低,生產(chǎn)比例也逐步提升,且LPDDR24Gb顆粒已受客戶驗(yàn)證完畢,后續(xù)在高容量LPDDR2的出貨量將穩(wěn)定增加,可望在第二季為獲利表現(xiàn)加溫。

  爾必達(dá)與美光連手抗敵可望發(fā)揮垂直整合之效

  雖然爾必達(dá)不斷向客戶承諾將持續(xù)出貨,然而在財(cái)務(wù)問題尚未明朗化前,多數(shù)客戶皆在備料計(jì)劃上采取避險(xiǎn)措施,以免其無預(yù)警減產(chǎn)或停產(chǎn)危及產(chǎn)線穩(wěn)定,因此第一季爾必達(dá)在行動(dòng)式內(nèi)存市占率以及營收上均受到不小沖擊,不過爾必達(dá)在LPDDR2產(chǎn)品的質(zhì)量相當(dāng)受到客戶肯定,隨著與美光合并后財(cái)務(wù)危機(jī)塵埃落定,后續(xù)表現(xiàn)可望逐步復(fù)蘇。

  美光方面,伴隨中國以及新興市場(chǎng)對(duì)中低階智能型手機(jī)需求強(qiáng)勁成長,低容量行動(dòng)內(nèi)存以及多芯片封裝的產(chǎn)品線需求也隨之提升。制程方面,美光積極轉(zhuǎn)進(jìn)30nm生產(chǎn)并提升良率,目前工程樣品積極送測(cè)中。由于美光擁有NANDFlash及NORFlash產(chǎn)品搭配,因此其行動(dòng)式內(nèi)存產(chǎn)品配置多元且具彈性,尤其是多芯片封裝MCP(4Gb+4GB),被廣泛應(yīng)用于中低階智能型手機(jī)以及功能型手機(jī),對(duì)于營收有相當(dāng)大的幫助。未來若與爾必達(dá)在高容量行動(dòng)式內(nèi)存有進(jìn)一步的合作,產(chǎn)品垂直整合優(yōu)勢(shì)將會(huì)更進(jìn)一步拓展其在行動(dòng)式內(nèi)存市占率。

  臺(tái)系廠市占僅2%南科押寶高容量行動(dòng)式內(nèi)存

  就南亞科技而言,在美光的技術(shù)支持下,南科在第二季已將30nm生產(chǎn)的行動(dòng)式內(nèi)存的工程樣品送與多家客戶測(cè)試,預(yù)估下半年將積極投入量產(chǎn),以單芯片封裝(Discrete)LPDDR2產(chǎn)品線切入行動(dòng)式內(nèi)存供貨商的行列。華邦電子將在今年以自行開發(fā)的46nm制程生產(chǎn)LPDDR1256/512Mb行動(dòng)式內(nèi)存開拓商機(jī),配合PseudoSRAM的產(chǎn)品線,可望擴(kuò)大在功能型手機(jī)市場(chǎng)的市占率,逐步提升華邦電子行動(dòng)式內(nèi)存營收比重。



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