聯(lián)電強攻存儲器 泉州建廠
聯(lián)電擴大記憶體布局,規(guī)劃與大陸泉州市政府合作,在泉州興建12寸晶圓廠,切入利基型記憶體代工。據悉,聯(lián)電內部已成立專案小組,擴大招募記憶體研發(fā)工程師,將先在南科設立小型試產線,全力搶進大陸記憶體市場商機。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201604/289809.htm聯(lián)電發(fā)言體系昨(17)日證實,聯(lián)電已針對切入利基型記憶體代工成立專案小組,并由加入聯(lián)電擔任副總經理的前瑞晶總經理陳正坤領軍。至于技術授權、與對岸地方單位合資計畫,及建廠進度與投資金額等,將待雙方簽訂合約后才能公布。
聯(lián)電未透露大陸記憶體代工業(yè)務細節(jié),但已透過國內人力銀行網站,擴大對外招募記憶體研發(fā)工作師,透露這次擴大記憶體布局動作相當積極。
半導體設備商透露,聯(lián)電本周將召集記憶體制程設備廠商開會,并針對在南科設立小型試產線,進行相關設備初期報價,相關研發(fā)作業(yè)初期以臺灣為基地,待與對岸的合資計畫簽訂之后,將可銜接相關作業(yè)。
據了解,聯(lián)電本來就擁有嵌入式快閃記憶體技術,網羅陳正坤加入聯(lián)電集團,即規(guī)劃除了嵌入式快閃記憶體之外,切入利基型DRAM領域,主因記憶體產業(yè),包括儲存型快閃記憶體(NAND Flash)及DRAM,都列入大陸重點發(fā)展方針。
聯(lián)電看好大陸官方將記憶體產業(yè)列入重點發(fā)展帶來的龐大商機,該公司與廈門市政府合資的聯(lián)芯半導體,原本也打算爭取列入大陸國家級NAND Flash和DRAM指標企業(yè),但最后并未成局,而是由清華紫光旗下的同方國芯出線。
聯(lián) 電并未因此放棄在大陸設立記憶體代工廠,在泉州市政府積極爭取與聯(lián)電合資后,雙方將朝在泉州設立大陸南方首座記憶體代工業(yè)務,同時協(xié)助大陸相關利基型記憶 體IC設計公司成立,建構完整垂直生態(tài)供應鏈的方向邁進,迎合大陸發(fā)展各項3C產品和物聯(lián)網對記憶體需求成長帶來的商機。
圖/經濟日報提供
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