存儲器國產(chǎn)化？堅持下去才有希望

　　3DNAND閃存在全球競爭的態(tài)勢是工藝制程水平20-40納米，在成熟工藝范圍。除了三星己達256Gb，48層之外，其它對手們幾乎都在追趕。隨著CVD工藝淀積層數(shù)的增多，困難在于高深寬比的付蝕，目前看到在64層時，要達到60：1及70：1的付蝕已經(jīng)很難。所以這個球己踢給設備供應商，它們要獲得訂單必須要為客戶解決難關。而據(jù)來自半導體設備廠的消息，未來128層尚有希望。這樣在對手之間的差異性并不很大，因此我們尚有一線成功的希望。

　　不管如何，現(xiàn)階段的自行研發(fā)一定要加緊突破，32層及48層都是前進中的關鍵點，而且一定要把研發(fā)與量產(chǎn)結合在一起，改變之前兩者脫節(jié)的弊病。同時要充分利用好設備制造商，它們手中握有許多關鍵工藝技術，在提供設備的同時與我們分享。

　　未來它們對付中國的方法可能是首先打IP戰(zhàn)，控制技術與人材流失，以及最后一招是打價格戰(zhàn)，讓中國的企業(yè)在財務方面無法承受。因此現(xiàn)階段對手們是集體的“袖手旁觀”，等著看中國出錯，最好是讓我們知難而退。

　　對于中國存儲器芯片制造項目，一定是場艱難的仗。預計無論是3DNAND閃存，或者是利基型DRAM，首先中國要解決的是從無到有的問題，相信是完全可能的，然而由于采用技術的不同，以及制造成本方面的顯著差異，未來可能的痛點是在面臨巨額虧損下不動搖，不氣餒，只有堅持下去才有成功的希望。在此點上需要決策層面早有充分的預案與準備。

　　引用麥肯錫亞太區(qū)半導體咨詢業(yè)務負責人唐睿思說，“我一直在強調(diào)一個重點，就是要有長期的耐心資本，需等待很長時間才能見效，不是一夜之間就有大突破而更多的是逐年會有進步，執(zhí)行力更好、有更多業(yè)務……在半導體行業(yè)成功是沒有捷徑的!”