存儲器國產(chǎn)化？堅持下去才有希望

　　國家重點推進存儲器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展不僅是因為其處于集成電路產(chǎn)業(yè)的核心地位，更是基于信息安全的考量，唯有在存儲器、CPU等核心芯片領(lǐng)域具備自主可控能力，才能確保國防及信息安全。目前國內(nèi)的存儲器國產(chǎn)化具備一定的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)，國家存儲器戰(zhàn)略有望落地!

　　歸納起來，目前存儲器有三個方面的力量正在聚集，一個是政府主導(dǎo)的武漢新芯，它們與中科院微電子所等合作，據(jù)說己經(jīng)有9層3DNAND樣品。另一個是紫光，它的策略是先通過兼并，站在一定高度之后再自行研發(fā)。最后一個是兩個地方政府，福建與合肥，它們試圖尋找技術(shù)伙伴，或者挖技術(shù)團隊后再前進。其中如福建投資在泉州的晉華集成電路，它由聯(lián)電開發(fā)DRAM相關(guān)制程技術(shù)，產(chǎn)品將是32納米制程的利基型DRAM，未來技術(shù)將授權(quán)給晉華，同時聯(lián)電也可以保有研發(fā)成果。

　　依目前的態(tài)勢由于做的產(chǎn)品不同，有3DNAND，利基型DRAM，DRAM及NAND，采用的路徑不同，以及合作對象也不一樣，正如同“百花齊放”，因此都有一定的可能，但又都不太確定。然而依照中國的囯力與條件又不可能支持得起那么多條存儲器生產(chǎn)線，所以未來可能還要等2-3年時間的觀察，結(jié)果才會更加明朗。個人不成熟的看法由于武漢新芯是依靠自行研發(fā)為主，盡管這條道可能慢些，暫時技術(shù)方面落后，但是能有屬于自己的東西，它的未來至少國家一定會支持到底，相對有成功的可能與希望。

　　近期又傳來紫光可能與新芯合作的方案，對于雙方可能都是個理性的選擇。但是要與美光合作變成中國版的“華亞科”模式有些擔(dān)憂。因為此種跟隨型模式，盡管看似省心省事，但是中方缺乏自主能力，另外擔(dān)心美光會采取不同的技術(shù)轉(zhuǎn)移策略，讓中國處于最低端，因此要慎之又慎。如果未來由英特爾，三星，海力士，臺積電，聯(lián)電，GF及力晶等獨資以及“穿馬甲”的公司來主導(dǎo)中國的芯片制造業(yè)，對于如中芯國際，華力微等企業(yè)的成長并非有利。因此要全面正確的認(rèn)清當(dāng)前形勢，從道理上如中芯國際等企業(yè)應(yīng)該加快研發(fā)步伐，在逆境中迅速崛起。

　　分析3DNAND閃存芯片制造基本上要過兩道難關(guān)，一個是過技術(shù)關(guān)。不管是32層，48層要能做出來，這一步最為重要，而且性能與成本上的差距不能太懸殊：另一個是準(zhǔn)備迎接IP及價格戰(zhàn)，當(dāng)中國真正做出產(chǎn)品后是無法避免的。

　　由于存儲器投資巨大，在具體操作方面既要有足夠信心，同時要慎之又慎。據(jù)SEMI報道，3DNAND生產(chǎn)線，每1000片的投資需55-65M美元，如若月產(chǎn)能200000片，需要130億美元，而且要計及之后每3年左右要作技術(shù)升級的投資。

　　另據(jù)2010年12月資料，介紹3D閃存制作工藝(由于制造工藝各家都十分保密，因此本文中提到的方法也不可能完整);3DNAND技術(shù)在產(chǎn)品生產(chǎn)上都采用一體成形制造法。所謂一體成形制造法是在第一層NAND薄膜生長后，使用光罩及刻蝕，隨后連續(xù)成長8層薄膜及刻蝕之后，最后便只需一道光罩，總計需要27張光罩。該方法在2007年由東芝提出，其Bit Costscalable(BiCS)TFTSONOS便是采用這種技術(shù)。目前，三星(Samsung)的TACT、VSAT;東芝的P-BiCS和3DVG，都屬于一體成形3D內(nèi)存技術(shù)，可大幅降低生產(chǎn)成本。

　堅持下去才有成功希望

　　目前業(yè)界的心態(tài)是能迅速上馬，最希望的能有技術(shù)合作伙伴呈現(xiàn)，甚至更有人期望通過兼并，一下子躍升至該有的高度。實際上的結(jié)果是至此無人響應(yīng)，全球存儲器廠商集體的“袖手旁觀”。

　　其實這樣的結(jié)果是意料之中，并非是壞事，至少斷了想依賴有人能邦助我們的念想。因為即便有人能與中國進行技術(shù)合作，等于上了別人設(shè)計的軌道，誰也明白最先進的技術(shù)不可能給中國，而沿著別人軌道走會更難受，等于束縛了自已的手腳。