紫光700億美元國(guó)內(nèi)建造三大存儲(chǔ)芯片廠(chǎng)

　　閃存、內(nèi)存市場(chǎng)這一年來(lái)遇到了好時(shí)機(jī)，來(lái)自中國(guó)廠(chǎng)商的需求使得存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)從降價(jià)變成了缺貨漲價(jià)，直到今年Q1季度都會(huì)持續(xù)上漲。閃存漲價(jià)也讓三星、SK Hynix、美光等公司過(guò)了好日子，三星去年Q3季度在Note 7上的損失在Q4季度就被閃存漲價(jià)彌補(bǔ)回來(lái)了。中國(guó)缺少NAND閃存自主生產(chǎn)能力是個(gè)大問(wèn)題，好在紫光集團(tuán)已經(jīng)在布局了，將在武漢、南京、成都三地建設(shè)存儲(chǔ)芯片廠(chǎng)，總投資700億美元，2018年將量產(chǎn)國(guó)產(chǎn)3D NAND閃存。

　　紫光集團(tuán)收購(gòu)新芯公司之后，在武漢投資240億美元建設(shè)國(guó)家存儲(chǔ)芯片基地已經(jīng)不是新聞了，這兩年來(lái)時(shí)常見(jiàn)諸媒體報(bào)道。Digitimes也報(bào)道稱(chēng)湖北武漢市(原文打錯(cuò)成了河北省)的工廠(chǎng)占地面積13公頃，近日已經(jīng)開(kāi)工，預(yù)計(jì)2018年正式量產(chǎn)3D NAND閃存。

　　不過(guò)武漢只是紫光存儲(chǔ)芯片布局的一部分，2017年在四川成都、江蘇南京還有兩個(gè)大計(jì)劃，投資超過(guò)460億美元，早前我們報(bào)道過(guò)前聯(lián)電CEO孫世偉加盟紫光擔(dān)任副總，他負(fù)責(zé)的就是成都晶圓廠(chǎng)，投資超過(guò)1200億人民幣。

　　武漢的240億美元加上成都、南京460億美元的投資，紫光建設(shè)三大存儲(chǔ)芯片基地的投資將超過(guò)700億美元，人民幣接近5000億元，放眼全球也是大手筆投資了，以致于美國(guó)都在政府顧問(wèn)報(bào)告中指出中國(guó)發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將降低美國(guó)企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力，甚至影響美國(guó)國(guó)家安全。

　　除了存儲(chǔ)芯片之外，紫光集團(tuán)還在尋求進(jìn)入邏輯IC芯片制造領(lǐng)域，也就是說(shuō)存儲(chǔ)芯片針對(duì)的是三星、美光、東芝這些公司，而邏輯芯片制造則是針對(duì)Intel、TSMC、三星LSI等公司了。