海力士發(fā)布72層256G 3D閃存芯片 適合未來iPhone

　　蘋果供應商海力士(SK Hynix)今天發(fā)布了72層，256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術多1.5倍，單個 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內部運行速度快兩倍，讀寫性能快 20%。

　　海力士自從2016年11月開始生產 48 層 256Gb 3D NAND 芯片。之前的 36 層 128Gb 3D NAND 芯片在2016年4月開始生產。因為層數更多，利用現有的生產線，產能可以提升 30%。海力士將在今年下半年開始量產。

　　iPhone 7 和 iPhone 7 Plus 配備的 NAND 閃存供應商來自東芝和海力士。一些 iPhone 7 采用東芝 48 層 3D BiCS NAND 芯片，這種芯片之前從未出現在其他商業(yè)產品中。其他 iPhone 7 型號采用海力士閃存芯片。

　　32GB iPhone 7 比 128 GB 型號更慢，前者的數據讀取速度為 656 Mbps，后者為 856Mbps。東芝和海力士的內存芯片采用 15納米工藝打造