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存儲“芯”動態(tài):美光擴產廣島DRAM廠 三星擬擴充西安NAND Flash產能

作者: 時間:2017-06-26 來源:OFweek 電子工程網 收藏

  多數手機以不同存儲規(guī)格來區(qū)別高配版、標準版,而不同版本之間的差價可達到幾百元,這讓我們看到了作為四大通用芯片之一的存儲器的重要性。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201706/361002.htm
存儲“芯”動態(tài):美光擴產廣島DRAM廠 三星擴充西安NAND Flash產能

  半導體存儲器是一個高度壟斷的市場,其三大主流產品 ,NAND Flash,NOR Flash 更是如此,尤其是前兩者,全球市場基本被前三大公司占據,且近年來壟斷程度逐步加劇。以和NAND兩種主要存儲芯片為例,2016年第一季度,市場93%份額由韓國三星、海力士和美國科技三家占據,而NAND Flash市場幾乎全部被三星、海力士、東芝、閃迪、和英特爾等六家瓜分。

  計劃斥資20億美元 擴產廣島DRAM廠

  據日經新聞報導,美光科技計劃未兩至三年斥資20億美元,在位于日本廣島的工廠量產主要應用在智能手機、數據中心和自駕車的新世代動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)。

  報導指出,美光已在這座廠房內增設無塵室,并準備研發(fā)13納米芯片的制程技術。該公司已買下多臺訂價數十億日元的尖端芯片制造設備進行研發(fā),預料在DRAM芯片開始量產后,還會添購更多設備。這座工廠原屬于爾必達(Elpida),2013年隨著爾必達一起并入美光旗下。

  目前在全球DRAM制造商居第三的美光正加緊研發(fā),以趕上業(yè)界龍頭韓國三星電子的腳步。和美光目前采用的16納米制程技術相比,13納米芯片裝配在單一晶圓上的數量更多,生產效益預料可提升逾20%。

  90億美元!三星擬擴充西安NAND Flash產能

  三星電子5月29日表示,正考慮在中國西安的生產基地擴充存儲芯片產能。因應相關產業(yè)對存儲芯片的需求。

  三星電子發(fā)言人證實,三星電子考慮擴充西安廠的產能,但未提供其他細節(jié)。三星電子已對西安廠投資70億美元,生產3D NAND存儲芯片。這種芯片用于高端信息儲存產品,像是智能手機、個人電腦和服務器。

  韓國媒體早先報導,三星電子正和中國官方洽談,將擴充西安廠產能,投資額高達10萬億韓元(89.3億美元),預定今年底前動工。2019年開始營運。



關鍵詞: 美光 DRAM

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