Intel暗中相助：國產自主內存即將騰飛

　　前段時間三星的閃存芯片工廠又出了一起事故,突發(fā)停電半個小時,導致正在生產中的晶圓受損,不同消息來源于損壞的晶圓數(shù)量不一,有說是6000片,有說是60000片,最夸張的是損失了60萬片晶圓,如果是后兩者,這對三星的NAND產能影響可不低,勢必會導致NAND閃存價格波動。

　　聯(lián)想到三星以及SK Hynix兩家公司之前出現(xiàn)的一些停電、火災等意外事故,很多網友又調侃這起事故又讓三星有了漲價的借口。

　　玩笑歸玩笑,三星作為生產廠商自然不樂意見到意外事故發(fā)生,但是這件事還是引起熱議,特別是在中國消費者群體中,人們關心的一個問題是未來誰能制衡三星、SK Hynix、東芝、美光等公司呢?我們都期待國內公司能逆襲,但如何逆襲呢?

　　對于國內內存及閃存的問題,我們最近做了很多文章探討國產芯片的文章,特別是對紫光DDR3、DDR4內存的報道及評測影響很廣泛,我注意了下很多站內、站外網友的評論,有的讀者對國產一事冷嘲熱諷,還有的讀者認為國產內存一路順風,DDR3內存已經來了,DDR4內存不遠了,似乎一兩年內就能把三星踩在腳下,讓內存市場迅速降價,甚至恢復之前的白菜價。

　　對于這兩種截然相反的評價,我們要理性看待,嘲諷是不對的,但是盲目樂觀更不可取,存儲芯片是高科技制造行業(yè),中國廠商在這個領域缺席了幾十年了,國產化可以說是一片空白,我們肯定要做到后來居上,但是這個過程可能需要很長時間,不是短短幾年就能扭轉的。

　全球內存產業(yè)格局:高度壟斷、三星獨大,門檻極高

　　按照中國制造2025的規(guī)劃,國產要突破的其實是整個半導體產業(yè)鏈,從半導體裝備再到芯片生產、測試及應用等環(huán)節(jié)全部涉獵,存儲芯片是現(xiàn)在的重點,不過它也只是半導體芯片中的一部分,而內存芯片又是存儲芯片中的一部分,不過它是其中重要的一部分。

　　2017年全球DRAM內存產值720億美元,主要原因就是DRAM芯片一年內漲價74%所致,而NAND產值約為498億美元,當然閃存市場價格過去一兩年也是大漲的,只是價格沒有內存這么夸張而已。

　　在全球720億美元的內存產業(yè)中,三星、SK Hynix、美光三家公司占據(jù)了大約95%的份額,其中三星一家就占了大約46%的份額,SK Hynix份額大約在29%。

　　美光兩年前收購了為它代工內存芯片的華亞科公司,市場份額大約在21%,剩下的份額被臺灣南亞、力晶等公司所獲得,不過他們對市場并沒有什么影響力,而兩家韓國公司就控制了全球75%的內存市場份額,呈現(xiàn)出高度壟斷的形勢,三星一家的規(guī)模差不多是其他兩家之和,產能遙遙領先,整個情況跟三國時期差不多,魏國三星一家獨大,吳國SK Hynix、蜀國美光實力無法與之相比。

　　這三家公司不僅壟斷了市場,也給市場的后來者制造了極大的準入門檻,其他國家或者地區(qū)因為沒有DRAM產業(yè)鏈,所以人才培養(yǎng)就無從談起,而內存工廠也跟處理器工廠一樣需要不斷升級工藝,所需的技術及資金投入也是個難題,SK Hynix、美光大大落后于三星就是因為在20nm節(jié)點升級上進度不順,而三星不僅是第一個量產20nm工藝的,還是第一個量產18nm工藝的,不出意外的話未來的17nm、16nm都將是三星首發(fā)、量產。

　　要想盤活內存產業(yè),技術、人才、資金一個不能少,中國現(xiàn)在不愁的是砸錢,但是人才、技術是沒法獨自解決的,而這也是國內發(fā)展內存產業(yè)的一個桎梏,為了快速進入這個產業(yè),不少國內公司紛紛從臺灣、韓國以及日本等地區(qū)的公司搶人才,甚至挖角現(xiàn)任員工,而這很容易陷入法律糾紛中。

　　前不久就有報道稱美光公司去年底選擇在美國加州提起訴訟,指控臺灣聯(lián)電及大陸的福建晉華侵犯他們的DRAM專利權,竊取商業(yè)機密,這就是國內公司從臺灣華亞科等公司搶人才所帶來的不利后果之一,很容易就惹出法律官司。

　　總之,內存市場龐大的產值雖然讓不少公司心動,但是現(xiàn)在的格局導致了內存市場的進入門檻極高,日本公司曾經是內存市場霸主級別的力量,但是爾必達、瑞薩等公司要么退出內存芯片市場,要么就破產倒閉,市場拱手讓給了美國、韓國公司。

　　日本公司早前進軍DRAM市場上還能輕松得到美國公司的技術授權,下場依然如此,更別提中國公司要在0的基礎上打造內存產業(yè)的難度了。

　　中國內存產業(yè)現(xiàn)狀:DDR3剛起步,工藝嚴重落后

　　那么中國自己的內存產業(yè)現(xiàn)狀如何呢?

　　如果說NAND閃存以及NOR閃存市場上,中國公司尚有一絲存在感的話,那么DRAM內存上真的是一窮二白。

　　最近我們測試DDR內存的文章引起了很多同行及玩家的追捧,紫光的DDR3顆粒整體表現(xiàn)還不錯,也有部分媒體寫的很夸張,似乎紫光DDR3內存要吊打金士頓、芝奇、三星了,不過實際情況是紫光的DDR3內存也是剛起步而已,我們現(xiàn)在網上買的紫光顆粒DDR3內存條主要是經銷商所為,數(shù)量并不多,店鋪顯示的庫存只不過是66多條而已。

　　即便是DDR3內存,也不是紫光自主研發(fā)的,生產單位西安紫光國芯其實是買來的,最初它是英飛凌2003年在西安成立的存儲芯片部門,2006年英飛凌半導體業(yè)務拆分成立了奇夢達科技,2009年他們被國內的浪潮公司收購,重組成了西安華芯半導體,2015年紫光從另一個清華系公司同方手中收購了同方國芯的36%的股權,成立了紫光國芯,而西安紫光國芯就是他們從浪潮手中買來的,現(xiàn)在是子公司,他們的DDR3內存實際也是奇夢達公司的遺產。

　　不僅是主流內存量產進度落后,國產內存現(xiàn)在還有技術落伍的風險,迄今為止紫光的DDR3顆粒制程工藝也沒有公布,考慮到奇夢達已經是10多年前的事了,西安紫光國芯的DRAM工藝至少也是30nm及以上級別的了,而現(xiàn)在主流的內存工藝早就是20nm級別了,三星2016年就量產18nm工藝了,下一步就是17nm工藝了。

　　國產內存確切的制程工藝一直是個謎,不過我們可以從別的信息佐證下,去年兆易創(chuàng)新公司宣布進軍DRAM內存,他們與合肥市政府控股投資公司簽署了合作協(xié)議,項目預算180億元,目的是在2018年底研發(fā)出19nm工藝的內存芯片——

　　如果成功了,他們的內存工藝其實還是挺先進的,雖然還是比不過三星,但至少也是主流級別的了,只不過兆易創(chuàng)新的目標是良率不低于10%,這個標準并不是量產水平的,10%的良率只可能是技術實驗,意味著離量產上市有很長的一段距離。

　　別說DRAM內存了,國內的NAND閃存工藝都要是挺落后的,紫光在武漢的長江存儲公司現(xiàn)在研發(fā)的只是32層堆棧的閃存,核心容量不過64Gb,這跟目前主流64層堆棧、核心容量256Gb甚至512Gb的3D NAND也要落后兩年時間。

　　而兆易創(chuàng)新的NAND閃存量產水平才是38nm工藝,24nm級別的還在研發(fā)中,注意他們的還是2D NAND閃存,三星、東芝早就量產15、16nm工藝的2D NAND閃存了,而且2D閃存是他們正在淘汰的技術。