盤點2018年全球電子產(chǎn)業(yè)最具代表性的十大“黑科技”

　　三、邏輯器件上的突破性成果

　　邏輯器件作為電子電路的基礎(chǔ)單元，在很多的地方都能應(yīng)用得到，但是如今是以CMOS器件為主流。2018年12月，《自然》雜志發(fā)表了一篇關(guān)于一代邏輯器件的研究論文，作者包括英特爾、加州大學(xué)伯克利分校和勞倫斯伯克利國家實驗室的研究人員。這篇論文描述了一種由英特爾發(fā)明的磁電自旋軌道(MESO)邏輯器件，相較于目前的CMOS器件、MESO器件，有望把電壓降低5倍、能耗降低10-30倍。這項技術(shù)研究有望推動計算能效提升，跨越不同的計算架構(gòu)促進(jìn)性能增長。

　　二、首次在三維體系中發(fā)現(xiàn)量子霍爾效應(yīng)

　　量子霍爾效應(yīng)是量子力學(xué)版本的霍爾效應(yīng)，需要在低溫強磁場的極端條件下才可以被觀察到，此時霍爾電阻與磁場不再呈現(xiàn)線性關(guān)系，而出現(xiàn)量子化平臺。量子霍爾效應(yīng)是二十世紀(jì)最重要的發(fā)現(xiàn)之一，因為研究相關(guān)技術(shù)獲諾貝爾獎的科學(xué)家不少。2018年12月，復(fù)旦大學(xué)物理學(xué)系修發(fā)賢課題組在《自然》雜志上刊發(fā)了他們的研究成果，這也是中國科學(xué)家首次在三維空間中發(fā)現(xiàn)量子霍爾效應(yīng)。據(jù)悉，修發(fā)賢教授課題組在拓?fù)涞依税虢饘偕榛k材料里觀測到三維量子霍爾效應(yīng)，通過實驗證明電子的隧穿過程，邁出從二維到三維的關(guān)鍵一步，開拓了全新的研究維度，這表明這次新研究是人類向新的科學(xué)領(lǐng)域邁出了關(guān)鍵性的一大步。

　　一、打破3nm制程極限，科學(xué)家成功研發(fā)0.7nm二硒化鎢二極管

　　眾所周知，芯片制程與性能的關(guān)系密切，目前能量產(chǎn)7nm芯片的廠商并不多，而有些研究機構(gòu)已經(jīng)開始研究3nm科技了。就在前不久，某科研團(tuán)隊的科學(xué)家成功研發(fā)出0.7nm二硒化鎢二極管，這意味著這項技術(shù)可能打破半導(dǎo)體的3nm制程極限，芯片可以容納更多的二極管。這次0.7nm的二硒化鎢二極管研發(fā)成功，將為業(yè)界看衰半導(dǎo)體制程的人們一顆強心針，具有非常重要的意義。

　　總結(jié)：

　　電子產(chǎn)業(yè)起源于歐美等發(fā)達(dá)國家，它們在前沿的技術(shù)研究上領(lǐng)先于其它國家很多年，這也是它們的優(yōu)勢。隨著全球產(chǎn)業(yè)的融合，很多發(fā)展中國家也開始大量投入對相關(guān)技術(shù)的研究，其中也包括中國，科學(xué)家們不畏艱難、迎難而上，也取得了很多成績，包括材料、設(shè)備、制造等，它們是推動電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心，也是最重要的人才，值得我們?nèi)プ鹁春忘c贊。