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國產(chǎn)刻蝕機很棒,但造芯片只是“配角”

作者: 時間:2019-02-15 來源:科技日報 收藏
編者按:中微公司的刻蝕機的確水平一流,但夸大闡述其戰(zhàn)略意義,則被相關(guān)專家反對??涛g只是芯片制造多個環(huán)節(jié)之一??涛g機也不是對華禁售的設(shè)備,在這個意義上不算“卡脖子”。

  近來有網(wǎng)絡(luò)媒體稱,“中微半導(dǎo)體自主研制的5納米等離子體,性能優(yōu)良,將用于全球首條5納米芯片制程生產(chǎn)線”,并評論說“中國芯片生產(chǎn)技術(shù)終于突破歐美封鎖,第一次占領(lǐng)世界制高點”、“中國彎道超車”等等。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201902/397602.htm

  中微公司的的確水平一流,但夸大闡述其戰(zhàn)略意義,則被相關(guān)專家反對??涛g只是芯片制造多個環(huán)節(jié)之一。也不是對華禁售的設(shè)備,在這個意義上不算“卡脖子”。

  首先,外行容易混淆“”和“刻蝕機”。相當于畫匠,刻蝕機是雕工。前者投影在硅片上一張精細的電路圖(就像照相機讓膠卷感光),后者按這張圖去刻線(就像刻印章一樣,腐蝕和去除不需要的部分)。

  是芯片制造中用到的最金貴的機器,要達到5納米曝光精度難比登天,ASML公司一家通吃高端光刻機;而刻蝕機沒那么難,中微的競爭對手還有應(yīng)用材料、泛林、東京電子等等,國外巨頭體量優(yōu)勢明顯。

  “中微的等離子刻蝕機這幾年進步確實不小,”科技日報記者采訪的一位從事離子刻蝕的專家說,“但現(xiàn)在的刻蝕機精度已遠超光刻機的曝光精度;芯片制程上,刻蝕精度已不再是最大的難題,更難的是保證在大面積晶圓上的刻蝕一致性?!?/p>

  該專家解釋說,難在如何讓電場能量和刻蝕氣體都均勻地分布在被刻蝕基體表面上,以保證等離子中的有效基元,在晶片表面的每一個位置實現(xiàn)相同的刻蝕效果,為此需要綜合材料學、流體力學、電磁學和真空等離子體學的知識。

  該專家說:“刻蝕機更合理的結(jié)構(gòu)設(shè)計和材料選擇,可保證電場的均勻分布??涛g氣體的饋入方式也是關(guān)鍵之一。據(jù)我所知,中微尹志堯博士的團隊在氣體噴淋盤上下過不少的功夫。另外包括功率電源、真空系統(tǒng)、刻蝕溫度控制等,都影響刻蝕結(jié)果?!?/p>

  另外,該專家也指出,刻蝕機技術(shù)類型很多,中微和他們的技術(shù)原理就有很大區(qū)別,至于更詳細的技術(shù)細節(jié),是每個廠家的核心機密。

  順便一提:刻蝕分濕法(古代人就懂得用強酸去刻蝕金屬,現(xiàn)代工藝用氟化氫刻蝕二氧化硅)和干法(如用真空中的氬等離子體去加工硅片)?!皾穹ǔ霈F(xiàn)較早,一般用在低端產(chǎn)品上。干法一般是能量束刻蝕,離子束、電子束、激光束等等,精度高,無污染殘留,芯片制造用的就是等離子刻蝕?!痹搶<曳Q。

  上述專家稱贊說,尹博士以及中微的核心技術(shù)團隊,基本都是從國際知名半導(dǎo)體設(shè)備大廠出來的,尹博士原來就在國外獲得了諸多的技術(shù)成就。中微不斷提高改進,逐步在芯片刻蝕機領(lǐng)域保持了與國外幾乎同步的技術(shù)水平。

  在IC業(yè)界工作多年的電子工程師張光華告訴科技日報記者:“一兩年前網(wǎng)上就有中微研制5納米刻蝕機的報道。如果能在臺積電應(yīng)用,的確說明中微達到世界領(lǐng)先水平。但說中國芯片‘彎道超車’就是夸大其詞了。”

  “硅片從設(shè)計到制造到封測,流程復(fù)雜??涛g是制造環(huán)節(jié)的工序之一,還有造晶棒、切割晶圓、涂膜、光刻、摻雜、測試等等,都需要復(fù)雜的技術(shù)。中國在大部分工序上落后?!睆埞馊A說,“而且,中微只是給臺積電這樣的制造企業(yè)提供設(shè)備,產(chǎn)值比臺積電差幾個數(shù)量級。”

  據(jù)發(fā)現(xiàn),2017年開始網(wǎng)絡(luò)上經(jīng)常熱炒“5納米刻蝕機”,而中微公司一再抗議媒體給他們“戴高帽”。

  “不要老把產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提高到政治高度,更不要讓一些新聞人和媒體搞吸引眼球的不實報導(dǎo)?!币緢?018年表示,“對我和中微的夸大宣傳搞得我們很被動……過一些時候,又改頭換面登出來,實在讓我們頭痛?!?/p>



關(guān)鍵詞: 刻蝕機 光刻機

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