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兆易創(chuàng)新融資43億研發(fā)國內(nèi)內(nèi)存 19/17nm工藝追平三星美光

作者:憲瑞 時(shí)間:2019-10-10 來源:快科技 收藏

2019年國產(chǎn)內(nèi)存實(shí)現(xiàn)了0的突破,合肥長鑫前不久宣布量產(chǎn)10nm級DDR4內(nèi)存,核心容量8Gb。除此之外,另外一家存儲芯片公司創(chuàng)新也宣布研發(fā)內(nèi)存,10.1日該公司宣布融資43億元,主要用于研發(fā)1Xnm工藝的內(nèi)存芯片。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201910/405572.htm

根據(jù)創(chuàng)新的公告,本次非公開發(fā)行A股股票的發(fā)行對象為不超過10名特定投資者,發(fā)行的股票數(shù)量不超過本次發(fā)行前公司股份總數(shù)的20%,即不超過64,224,315股(含本數(shù))。

預(yù)案顯示,創(chuàng)新本次發(fā)行募集資金總額(含發(fā)行費(fèi)用)不超過人民幣432,402.36萬元(含本數(shù)),扣除發(fā)行費(fèi)用后的募集資金凈額將用于DRAM芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目及補(bǔ)充流動資金。

募集的資金中有39.92億元都會投入到內(nèi)存研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化中,主要用于研發(fā)1Xnm(19、17nm)制程工藝下的內(nèi)存芯片,設(shè)計(jì)、研發(fā)DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4等多種規(guī)格的內(nèi)存。

早在2017年的時(shí)候,兆易創(chuàng)新宣布與合肥長鑫合作,雙方將投資180億元研發(fā)國產(chǎn)內(nèi)存,其中兆易創(chuàng)新方面負(fù)責(zé)籌集36億元的資金。不過合肥長鑫量產(chǎn)內(nèi)存時(shí)表示該項(xiàng)目是他們獨(dú)立運(yùn)營的,否認(rèn)與兆易創(chuàng)新有關(guān)。

目前情況來看,兆易創(chuàng)新融資43億元是準(zhǔn)備自行研發(fā)DDR內(nèi)存,而且制程工藝也是國際先進(jìn)水平,17nm工藝目前與、工藝基本持平,不過后者已經(jīng)開始量產(chǎn),兆易創(chuàng)新依然是研發(fā)階段。

兆易創(chuàng)新融資43億研發(fā)國內(nèi)內(nèi)存 19/17nm工藝追平三星美光



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