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長(zhǎng)電科技系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)

作者: 時(shí)間:2022-04-18 來(lái)源:長(zhǎng)電科技 收藏

系統(tǒng)級(jí)(SiP)

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/202204/433185.htm

半導(dǎo)體公司不斷面臨復(fù)雜的集成挑戰(zhàn),因?yàn)橄M(fèi)者希望他們的電子產(chǎn)品體積更小、速度更快、性能更高,并將更多功能集成到單部設(shè)備中。半導(dǎo)體對(duì)于解決這些挑戰(zhàn)具有重大影響。當(dāng)前和未來(lái)對(duì)于提高系統(tǒng)性能、增加功能、降低功耗、縮小外形尺寸的要求,需要一種被稱為系統(tǒng)集成的先進(jìn)方法。

系統(tǒng)集成可將多個(gè)集成電路 (IC) 和元器件組合到單個(gè)系統(tǒng)或模塊化子系統(tǒng)中,以實(shí)現(xiàn)更高的性能、功能和處理速度,同時(shí)大幅降低電子器件內(nèi)部的空間要求。

長(zhǎng)電技術(shù)優(yōu)勢(shì)

在SiP封裝的優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在3種先進(jìn)技術(shù):雙面塑形技術(shù)、EMI電磁屏蔽技術(shù)、激光輔助鍵合(LAB)技術(shù)

1.雙面成型有效地降低了封裝的外形尺寸,縮短了多個(gè)裸芯片和無(wú)源器件的連接,降低了電阻,并改善了系統(tǒng)電氣性能。

2.對(duì)于EMI屏蔽,JCET使用背面金屬化技術(shù)來(lái)有效地提高熱導(dǎo)率和EMI屏蔽。

3.JCET使用激光輔助鍵合來(lái)克服傳統(tǒng)的回流鍵合問(wèn)題,例如 CTE不匹配,高翹曲,高熱機(jī)械應(yīng)力等導(dǎo)致可靠性問(wèn)題。




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