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半導(dǎo)體制造的工藝過程由晶圓制造（Wafer Fabr ication）、晶圓測試（wafer Probe/Sorting)、芯片封裝（Assemble）、測試（Test）以及后期的成品（Finish Goods）入庫所組成。

半導(dǎo)體器件制作工藝分為前道和后道工序，晶圓制造和測試被稱為前道（Front End）工序，而芯片的封裝、測試及成品入庫則被稱為后道（Back End）工序，前道和后道一般在不同的工廠分開處理。

前道工序是從整塊硅圓片入手經(jīng)多次重復(fù)的制膜、氧化、擴(kuò)散，包括照相制版和光刻等工序，制成三極管、集成電路等半導(dǎo)體元件及電極等，開發(fā)材料的電子功能，以實現(xiàn)所要求的元器件特性。

后道工序是從由硅圓片分切好的一個一個的芯片入手，進(jìn)行裝片、固定、鍵合聯(lián)接、塑料灌封、引出接線端子、按印檢查等工序，完成作為器件、部件的封裝體，以確保元器件的可靠性，并便于與外電路聯(lián)接。

半導(dǎo)體制造工藝和流程

晶圓制造

晶圓制造主要是在晶圓上制作電路與鑲嵌電子元件（如電晶體、電容、邏輯閘等），是所需技術(shù)最復(fù)雜且資金投入最多的過程。以微處理器為例，其所需處理步驟可達(dá)數(shù)百道，而且所需加工機(jī)器先進(jìn)且昂貴。雖然詳細(xì)的處理程序是隨著產(chǎn)品種類和使用技術(shù)的變化而不斷變化，但其基本處理步驟通常是晶圓先經(jīng)過適當(dāng)?shù)那逑粗?，接著進(jìn)行氧化及沉積處理，最后進(jìn)行微影、蝕刻及離子植入等反復(fù)步驟，最終完成晶圓上電路的加工與制作。

晶圓測試

晶圓經(jīng)過劃片工藝后，表面上會形成一道一道小格，每個小格就是一個晶片或晶粒（Die），即一個獨立的集成電路。在一般情況下，一個晶圓上制作的晶片具有相同的規(guī)格，但是也有可能在同一個晶圓上制作規(guī)格等級不同的晶片。晶圓測試要完成兩個工作：一是對每一個晶片進(jìn)行驗收測試，通過針測儀器（Probe）檢測每個晶片是否合格，不合格的晶片會被標(biāo)上記號，以便在切割晶圓的時候?qū)⒉缓细窬Y選出來；二是對每個晶片進(jìn)行電氣特性（如功率等）檢測和分組，并作相應(yīng)的區(qū)分標(biāo)記。

芯片封裝

首先，將切割好的晶片用膠水貼裝到框架襯墊（Substrate）上；其次，利用超細(xì)的金屬導(dǎo)線或者導(dǎo)電性樹脂將晶片的接合焊盤連接到框架襯墊的引腳，使晶片與外部電路相連，構(gòu)成特定規(guī)格的集成電路芯片（Bin）；最后對獨立的芯片用塑料外殼加以封裝保護(hù)，以保護(hù)芯片元件免受外力損壞。塑封之后，還要進(jìn)行一系列操作，如后固化（Post Mold Cure）、切筋（Trim）、成型（Form）和電鍍（Plating）等工藝。

芯片測試

封裝好的芯片成功經(jīng)過烤機(jī)（Burn In）后需要進(jìn)行深度測試，測試包括初始測試（Initial Test）和最后測試（Final Test）。初始測試就是把封裝好的芯片放在各種環(huán)境下測試其電氣特性（如運行速度、功耗、頻率等），挑選出失效的芯片，把正常工作的芯片按照電氣特性分為不同的級別。最后測試是對初始測試后的芯片進(jìn)行級別之間的轉(zhuǎn)換等操作。

成品入庫

測試好的芯片經(jīng)過半成品倉庫后進(jìn)入最后的終加工，包括激光印字、出廠質(zhì)檢、成品封裝等，最后入庫。

封裝的基本定義和內(nèi)涵

封裝（packaging，PKG）：主要是在半導(dǎo)體制造的后道工程中完成的。即利用膜技術(shù)及微細(xì)連接技術(shù)，將半導(dǎo)體元器件及其他構(gòu)成要素在框架或基板上布置、固定及連接，引出接線端子，并通過塑性絕緣介質(zhì)灌封固定，構(gòu)成整體主體結(jié)構(gòu)的工藝。

封裝工程：是封裝與實裝工程及基板技術(shù)的總和。即將半導(dǎo)體、電子元器件所具有的電子的、物理的功能，轉(zhuǎn)變?yōu)檫m用于機(jī)器或系統(tǒng)的形式，并使之為人類社會服務(wù)的科學(xué)技術(shù)，統(tǒng)稱為電子封裝工程。

封裝一詞用于電子工程的歷史并不長。在真空電子管時代，將電子管等器件安裝在管座上構(gòu)成電路設(shè)備一般稱為組裝或裝配，當(dāng)時還沒有封裝這一概念。自從三極管、IC等半導(dǎo)體元件的出現(xiàn)，改變了電子工程的歷史。一方面，這些半導(dǎo)體元件細(xì)小柔嫩；另一方面，其性能又高，而且多功能、多規(guī)格。為了充分發(fā)揮其功能，需要補(bǔ)強(qiáng)、密封、擴(kuò)大，以便與外電路實現(xiàn)可靠地電氣聯(lián)接，并得到有效地機(jī)械支撐、絕緣、信號傳輸?shù)确矫娴谋Ｗo(hù)作用?！胺庋b”的概念正是在此基礎(chǔ)上出現(xiàn)的。

封裝的功能

封裝最基本的功能是保護(hù)電路芯片免受周圍環(huán)境的影響（包括物理、化學(xué)的影響）。所以，在最初的微電子封裝中，是用金屬罐（Metal Can）作為外殼，用與外界完全隔離的、氣密的方法，來保護(hù)脆弱的電子元件。但是，隨著集成電路技術(shù)的發(fā)展，尤其是芯片鈍化層技術(shù)的不斷改進(jìn)，封裝的功能也在慢慢異化。

一般來說顧客所需要的并不是芯片，而是由芯片和PKG構(gòu)成的半導(dǎo)體器件。PKG是半導(dǎo)體器件的外緣，是芯片與實裝基板間的界面。因此無論P(yáng)KG的形式如何，封裝最主要的功能應(yīng)是芯片電氣特性的保持功能。

通常認(rèn)為，半導(dǎo)體封裝主要有電氣特性的保持、芯片保護(hù)、應(yīng)力緩和及尺寸調(diào)整配合四大功能，它的作用是實現(xiàn)和保持從集成電路器件到系統(tǒng)之間的連接，包括電學(xué)連接和物理連接。目前，集成電路芯片的I/0線越來越多，它們的電源供應(yīng)和信號傳送都是要通過封裝來實現(xiàn)與系統(tǒng)的連接。芯片的速度越來越快，功率也越來越大，使得芯片的散熱問題日趨嚴(yán)重，由于芯片鈍化層質(zhì)量的提高，封裝用以保護(hù)電路功能的作用其重要性正在下降。

芯片電氣特性的保持功能

通過PKG的進(jìn)步，滿足不斷發(fā)展的高性能、小型化、高頻化等方面的要求，確保其功能性。

芯片保護(hù)功能

PKG的芯片保護(hù)功能很直觀，保護(hù)芯片表面以及連接引線等，使在電氣或物理等方面相當(dāng)柔嫩的芯片免受外力損害及外部環(huán)境的影響。保證可靠性。

應(yīng)力緩和功能

由于熱等外部環(huán)境的影響或者芯片自身發(fā)熱等都會產(chǎn)生應(yīng)力，PKG緩解應(yīng)力，防止發(fā)生損壞失效，保證可靠性。

尺寸調(diào)整配合（間距變化）功能

由芯片的微細(xì)引線間距調(diào)整到實裝基板的尺寸間距，從而便于實裝操作。例如，從亞微米（目前已小于 0.13μm）為特征尺寸的芯片到以10μm為單位的芯片電極凸點，再到以100μm為單位的外部引線端子，最后到以mm為單位的實裝基板，都是通過PKG來實現(xiàn)的。在這里PKG起著由小到大、由難到易、由復(fù)雜到簡單的變換作用。從而可使操作費用及資材費用降低，而且提高工作效率和可靠性。保證實用性或通用性。

封裝的范圍

微電子封裝的三個層次

通常，從FAB廠制造的晶圓開始，可以將電子封裝，按照制造的時間先后順序分為三個層次。

微電子封裝的三個層次

一級封裝

一級封裝是用封裝外殼將芯片封裝成單芯片組件（SCM）和多芯片組件（MCM）。半導(dǎo)體芯片和封裝體的電學(xué)互聯(lián)，通常有三種實現(xiàn)途徑，引線鍵合（WB）、載帶自動焊（TAB）和倒裝焊（Flip Chip），一級封裝的可以使用金屬、陶瓷，塑料（聚合物）等包封材料。封裝工藝設(shè)計需要考慮到單芯片或者多芯片之間的布線，與PCB節(jié)距的匹配，封裝體的散熱情況等。

二級封裝

二級封裝是印刷電路板的封裝和裝配，將一級封裝的元器件組裝到印刷電路板（PCB）上，包括板上封裝單元和器件的互連，包括阻抗的控制、連線的精細(xì)程度和低介電常數(shù)材料的應(yīng)用。除了特別要求外，這一級封裝一般不單獨加封裝體，具體產(chǎn)品如計算機(jī)的顯卡，PCI數(shù)據(jù)采集卡等都屬于這一級封裝。如果這一級封裝能實現(xiàn)某些完整的功能，需要將其安裝在同一的殼體中，例如Ni公司的USB數(shù)據(jù)采集卡，創(chuàng)新的外置USB聲卡等。

三級封裝

三級封裝是將二級封裝的組件查到同一塊母板上，也就是關(guān)于插件接口、主板及組件的互連。這一級封裝可以實現(xiàn)密度更高，功能更全組裝，通常是一種立體組裝技術(shù)。例如一臺PC的主機(jī)，一個NI公司的PXI數(shù)據(jù)采集系統(tǒng),汽車的GPS導(dǎo)航儀，這些都屬于三級微電子封裝的產(chǎn)品。

微電子封裝工程和電子基板

微電子封裝是一個復(fù)雜的系統(tǒng)工程，類型多、范圍廣，涉及各種各樣材料和工藝?？砂磶缀尉S數(shù)將電子封裝分解為簡單的“點、線、面、體、塊、板”等。

電子基板是半導(dǎo)體芯片封裝的載體，搭載電子元器件的支撐，構(gòu)成電子電路的基盤，按其結(jié)構(gòu)可分為普通基板、印制電路板、模塊基板等幾大類。其中PCB在原有雙面板、多層板的基礎(chǔ)上，近年來又出現(xiàn)積層（build-up）多層板。模塊基板是指新興發(fā)展起來的可以搭載在PCB之上，以BGA、CSP、TAB、MCM為代表的封裝基板（Package Substrate，簡稱PKG基板）。小到芯片、電子元器件，大到電路系統(tǒng)、電子設(shè)備整機(jī)，都離不開電子基板。近年來在電子基板中，高密度多層基板所占比例越來越大。

微電子封裝所涉及的各個方面幾乎都是在基板上進(jìn)行或與基板相關(guān)。在電子封裝工程所涉及的四大基礎(chǔ)技術(shù)，即薄厚膜技術(shù)、微互連技術(shù)、基板技術(shù)、封接與封裝技術(shù)中，基板技術(shù)處于關(guān)鍵與核心地位。隨著新型高密度封裝形式的出現(xiàn)，電子封裝的許多功能，如電氣連接，物理保護(hù)，應(yīng)力緩和，散熱防潮，尺寸過渡，規(guī)格化、標(biāo)準(zhǔn)化等，正逐漸部分或全部的由封裝基板來承擔(dān)。

微電子封裝的范圍涉及從半導(dǎo)體芯片到整機(jī)，在這些系統(tǒng)中，生產(chǎn)電子設(shè)備包括6個層次，也即裝配的6個階段。我們從電子封裝工程的角度，按習(xí)慣一般稱層次1為零級封裝；層次2為一級封裝；層次3為二級封裝；層次4、5、6為三級封裝。

電子封裝的工程的六個階段

層次1（裸芯片）

它是特指半導(dǎo)體集成電路元件（IC芯片）的封裝，芯片由半導(dǎo)體廠商生產(chǎn)，分為兩類，一類是系列標(biāo)準(zhǔn)芯片，另一類是針對系統(tǒng)用戶特殊要求的專用芯片，即未加封裝的裸芯片（電極的制作、引線的連接等均在硅片之上完成）。

層次2（封裝后的芯片即集成塊）

分為單芯片封裝和多芯片封裝兩大類。前者是對單個裸芯片進(jìn)行封裝，后者是將多個裸芯片裝載在多層基板（陶瓷或有機(jī)）上進(jìn)行氣密性封裝構(gòu)成MCM。

層次3（板或卡）

它是指構(gòu)成板或卡的裝配工序。將多個完成層次2的單芯片封裝和MCM，實裝在PCB板等多層基板上，基板周邊設(shè)有插接端子，用于與母板及其它板或卡的電氣連接。

層次4（單元組件）

將多個完成層次3的板或卡，通過其上的插接端子搭載在稱為母板的大型PCB板上，構(gòu)成單元組件。

層次5（框架件）

它是將多個單元構(gòu)成（框）架，單元與單元之間用布線或電纜相連接。

層次6（總裝、整機(jī)或系統(tǒng)）

它是將多個架并排，架與架之間由布線或電纜相連接，由此構(gòu)成大型電子設(shè)備或電子系統(tǒng)。

封裝基板和封裝分級

從硅圓片制作開始，微電子封裝可分為0、1、2、3四個等級，涉及上述六個層次，封裝基板（PKG基板或Substrate）技術(shù)現(xiàn)涉及1、2、3三個等級和2～5的四個層次。

封裝基板主要研究前3個級別的半導(dǎo)體封裝（1、2、3級封裝），0級封裝暫與封裝基板無關(guān)，因此封裝基板一般是指用于1級2級封裝的基板材料，母板（或載板）、剛撓結(jié)合板等用于三級封裝。

封裝基板和三級封裝

零級封裝

裸芯片電極的制作、引線的連接等均在硅片之上完成，暫與基板無關(guān)。

一級封裝

一級封裝經(jīng)0級封裝的單芯片或多芯片在封裝基板（普通基板、多層基板、HDI基板）上的封裝，構(gòu)成集成電路模塊（或元件）。即芯片在各類基板（或中介板）上的裝載方式。

二級封裝

二級封裝集成電路（IC元件或IC塊）片在封裝基板（普通基板、多層基板、HDI基板）上的封裝，構(gòu)成板或卡。即各種實裝方式（二級封裝或一級加二級封裝）。后續(xù)談到的的DIP、PGA屬于DIP封型，GFP、BGA、CSP等屬于SMT實裝型，這些都屬于二級封裝。

三級封裝

三級封裝包含4、5、6三個層次。即將多個完成層次3的板或卡，通過其上的插接端子搭載在稱為母板（或載板）的大型PCB板上，構(gòu)成單元組件（此層次也是實裝方式之一）；或是將多個單元構(gòu)成架，單元與單元之間用布線（剛撓PCB）或電纜相連接；或是將多個架并排，架與架之間由布線（剛撓PCB）或電纜相連接，由此構(gòu)成大型電子設(shè)備或系統(tǒng)（此兩個層次稱為裝聯(lián)）。

傳統(tǒng)集成電路（IC）封裝的主要生產(chǎn)過程

IC的封裝工藝流程可分為晶圓切割、晶圓粘貼、金線鍵合、塑封、激光打印、切筋打彎、檢驗檢測等步驟。

傳統(tǒng)半導(dǎo)體封裝的七道工序

晶圓切割

首先將晶片用薄膜固定在支架環(huán)上，這是為了確保晶片在切割時被固定住，然后把晶圓根據(jù)已有的單元格式被切割成一個一個很微小的顆粒，切割時需要用去離子水冷卻切割所產(chǎn)生的溫度，而本身是防靜電的。

晶圓粘貼

晶圓粘貼的目的將切割好的晶圓顆粒用銀膏粘貼在引線框架的晶圓上，用粘合劑將已切下來的芯片貼裝到引線框架的中間焊盤上。通常是環(huán)氧（或聚酰亞胺）用作為填充物以增加粘合劑的導(dǎo)熱性。

金線鍵合

金線鍵合的目的是將晶圓上的鍵合壓點用極細(xì)的金線連接到引線框架上的內(nèi)引腳上，使得晶圓的電路連接到引腳。通常使用的金線的一端燒成小球，再將小球鍵合在第一焊點。然后按照設(shè)置好的程序拉金線，將金線鍵合在第二焊點上。

塑封

將完成引線鍵合的芯片與引線框架置于模腔中，再注入塑封化合物環(huán)氧樹脂用于包裹住晶圓和引線框架上的金線。這是為了保護(hù)晶圓元件和金線。塑封的過程分為加熱注塑，成型二個階段。塑封的目的主要是：保護(hù)元件不受損壞；防止氣體氧化內(nèi)部芯片；保證產(chǎn)品使用安全和穩(wěn)定。

激光打印

激光打印是用激光射線的方式在塑封膠表面打印標(biāo)識和數(shù)碼。包括制造商的信息，器件代碼，封裝日期，可以作為識別和可追溯性。

切筋打彎

將原來連接在一起的引線框架外管腳切斷分離，并將其彎曲成設(shè)計的形狀，但不能破壞環(huán)氧樹脂密封狀態(tài)，并避免引腳扭曲變形，將切割好的產(chǎn)品裝入料管或托盤便于轉(zhuǎn)運。

檢驗

檢驗檢查產(chǎn)品的外觀是否能符合設(shè)計和標(biāo)準(zhǔn)。常見的的測試項目包括：打印字符是否清晰、正確，引腳平整性、共面行，引腳間的腳距，塑封體是否損傷、電性能及其它功能測試等。

半導(dǎo)體封裝技術(shù)

芯片封裝的實質(zhì)：

傳統(tǒng)意義的芯片封裝一般指安放集成電路芯片所用的封裝殼體，它同時可包含將晶圓切片與不同類型的芯片管腳架及封裝材料形成不同外形的封裝體的過程。從物理層面看，它的基本作用為：為集成電路芯片提供穩(wěn)定的安放環(huán)境，保護(hù)芯片不受外部惡劣條件（例如灰塵，水氣）的影響。從電性層面看，芯片封裝同時也是芯片與外界電路進(jìn)行信息交互的鏈路，它需要在芯片與外界電路間建立低噪聲、低延遲的信號回路。

然而不論封裝技術(shù)如何發(fā)展，歸根到底，芯片封裝技術(shù)都是采用某種連接方式把晶圓切片上的管腳與引線框架以及封裝殼或者封裝基板上的管腳相連構(gòu)成芯片。而封裝的本質(zhì)就是規(guī)避外界負(fù)面因素對芯片內(nèi)部電路的影響，同時將芯片與外部電路連接，當(dāng)然也同樣為了使芯片易于使用和運輸。

芯片封裝技術(shù)越來越先進(jìn)，管角間距越來越小，管腳密度卻越來越高，芯片封裝對溫度變化的耐受性越來越好，可靠性越來越高。另外一個重要的指標(biāo)就是看芯片與封裝面積的比例。

此外，封裝技術(shù)中的一個主要問題是芯片占用面積，即芯片占用的印刷電路板（PCB）的面積。從早期的DIP封裝，當(dāng)前主流的CSP封裝，芯片與封裝的面積比可達(dá)1:1.14，已經(jīng)十分接近1:1的理想值。而更先進(jìn)MCM到SiP封裝，從平面堆疊到垂直堆疊，芯片與封裝的面積相同的情況下進(jìn)一步提高性能。

各種常用封裝管殼

封裝管殼內(nèi)部

封裝技術(shù)工藝發(fā)展歷程：

半導(dǎo)體封裝技術(shù)的發(fā)展歷史可劃分為三個階段。

第一階段（20世紀(jì)70年代之前）

以通孔插裝型封裝為主；典型的封裝形式包括最初的金屬圓形(TO型)封裝，以及后來的陶瓷雙列直插封裝(CDIP)、陶瓷-玻璃雙列直插封裝(Cer DIP)和塑料雙列直插封裝(PDIP)等；其中的PDIP,由于其性能優(yōu)良、成本低廉，同時又適于大批量生產(chǎn)而成為這一階段的主流產(chǎn)品。

第二階段（20世紀(jì)80年代以后）

從通孔插裝型封裝向表面貼裝型封裝的轉(zhuǎn)變，從平面兩邊引線型封裝向平面四邊引線型封裝發(fā)展。表面貼裝技術(shù)被稱為電子封裝領(lǐng)域的一場革命，得到迅猛發(fā)展。與之相適應(yīng)，一些適應(yīng)表面貼裝技術(shù)的封裝形式，如塑料有引線片式裁體（PLCC）、塑料四邊引線扁平封裝（PQFP）、塑料小外形封裝（PSOP）以及無引線四邊扁平封裝（PQFN）等封裝形式應(yīng)運而生，迅速發(fā)展。其中的PQFP，由于密度高、引線節(jié)距小、成本低并適于表面安裝，成為這一時期的主導(dǎo)產(chǎn)品。

第三階段（20世紀(jì)90年代以后）

半導(dǎo)體發(fā)展進(jìn)入超大規(guī)模半導(dǎo)體時代，特征尺寸達(dá)到0.18-0.25μm，要求半導(dǎo)體封裝向更高密度和更高速度方向發(fā)展。因此，半導(dǎo)體封裝的引線方式從平面四邊引線型向平面球柵陣列型封裝發(fā)展，引線技術(shù)從金屬引線向微型焊球方向發(fā)展。

在此背景下，焊球陣列封裝（BGA）獲得迅猛發(fā)展，并成為主流產(chǎn)品。BGA按封裝基板不同可分為塑料焊球陣列封裝（PBGA），陶瓷焊球陣列封裝（CBGA），載帶焊球陣列封裝（TBGA），帶散熱器焊球陣列封裝(EBGA)，以及倒裝芯片焊球陣列封裝（FC-BGA）等。

為適應(yīng)手機(jī)、筆記本電腦等便攜式電子產(chǎn)品小、輕、薄、低成本等需求，在BGA的基礎(chǔ)上又發(fā)展了芯片級封裝（CSP）;CSP又包括引線框架型CSP、柔性插入板CSP、剛性插入板CSP、園片級CSP等各種形式，目前處于快速發(fā)展階段。

同時，多芯片組件（MCM）和系統(tǒng)封裝（SiP）也在蓬勃發(fā)展，這可能孕育著電子封裝的下一場革命性變革。MCM按照基板材料的不同分為多層陶瓷基板MCM（MCM-C）、多層薄膜基板MCM（MCM-D）、多層印制板MCM（MCM-L）和厚薄膜混合基板MCM（MCM-C/D）等多種形式。SiP是為整機(jī)系統(tǒng)小型化的需要，提高半導(dǎo)體功能和密度而發(fā)展起來的。SiP使用成熟的組裝和互連技術(shù)，把各種集成電路如CMOS電路、GaAs電路、SiGe電路或者光電子器件、MEMS器件以及各類無源元件如電阻、電容、電感等集成到一個封裝體內(nèi)，實現(xiàn)整機(jī)系統(tǒng)的功能。

目前，半導(dǎo)體封裝處于第三階段的成熟期與快速增長期，以BGA/CSP等主要封裝形式開始進(jìn)入規(guī)模化生產(chǎn)階段。同時，以SiP和MCM為主要發(fā)展方向的第四次技術(shù)變革處于孕育階段。

半導(dǎo)體封裝材料

半導(dǎo)體元件的封接或封裝方式分為氣密性封裝和樹脂封裝兩大類，氣密性封裝又可分為金屬封裝、陶瓷封裝和玻璃封裝。封接和封裝的目的是與外部溫度、濕度、氣氛等環(huán)境隔絕，除了起保護(hù)和電氣絕緣作用外，同時還起向外散熱及應(yīng)力緩和作用。一般來說，氣密性封裝可靠性高，但價格也高。目前由于封裝技術(shù)及材料的改進(jìn)，樹脂封裝已占絕對優(yōu)勢，但在有些特殊領(lǐng)域（軍工、航空、航天、航海等），氣密性封裝是必不可少的。

按封裝材料可劃分為：金屬封裝、陶瓷封裝（C）、塑料封裝（P）。采用前兩種封裝的半導(dǎo)體產(chǎn)品主要用于航天、航空及軍事領(lǐng)域，而塑料封裝的半導(dǎo)體產(chǎn)品在民用領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。目前樹脂封裝已占世界集成電路封裝市場的98%，97%以上的半導(dǎo)體器件的封裝都采用樹脂封裝，在消費類電路和器件領(lǐng)域基本上是樹脂封裝一統(tǒng)天下，而90%以上的塑封料是環(huán)氧樹脂塑封料和環(huán)氧液體灌封料。

芯片電學(xué)（零級封裝）互連：

在一級封裝中,有個很重要的步驟就是將芯片和封裝體（進(jìn)行電學(xué)互連的過程，通常稱為芯片互連技術(shù)或者芯片組裝。為了凸顯其重要性，有些教科書也將其列為零級封裝。也就是將芯片上的焊盤或凸點與封裝體通常是引線框架用金屬連接起來）。在微電子封裝中,半導(dǎo)體器件的失效約有一是由于芯片互連引起的,其中包括芯片互連處的引線的短路和開路等，所以芯片互連對器件的可靠性非常重要。

常見的芯片電學(xué)互連有三種方式,分別是引線鍵合，載帶自動焊和倒裝焊。

通常，TAB和FC雖然互連的電學(xué)性能要比好，但是都需要額外的設(shè)備。因此,對于I/O數(shù)目較少的芯片，TAB和FC成本很高，另外，在3D封裝中，由于芯片堆疊,堆疊的芯片不能都倒扣在封裝體上,只能通過WB與封裝體之間進(jìn)行互連?；谶@些原因,到目前為止,WB一直是芯片互連的主流技術(shù),在芯片電學(xué)互連中占據(jù)非常重要的地位。

芯片電學(xué)互連（零級封裝）的三種方式

引線鍵合（WB）

引線鍵合（WB）是將芯片焊盤和對應(yīng)的封裝體上焊盤用細(xì)金屬絲一一連接起來,每次連接一根,是最簡單的一種芯片電學(xué)互連技術(shù),按照電氣連接方式來看屬于有線鍵合。

載帶自動焊（TAB）

載帶自動焊（TAB）是一種將IC安裝和互連到柔性金屬化聚合物載帶上的IC組裝技術(shù)。載帶內(nèi)引線鍵合到IC上,外引線鍵合到常規(guī)封裝或者PCB上,整個過程均自動完成,因此,效率比要高。按照電氣連接方式來看屬于無線鍵合方法。

倒裝焊（FC）

倒裝焊（FC）是指集成電路芯片的有源面朝下與載體或基板進(jìn)行連接。芯片和基板之間的互連通過芯片上的凸點結(jié)構(gòu)和基板上的鍵合材料來實現(xiàn)。這樣可以同時實現(xiàn)機(jī)械互連和電學(xué)互連。同時為了提高互連的可靠性,在芯片和基板之間加上底部填料。對于高密度的芯片,倒裝焊不論在成本還是性能上都有很強(qiáng)的優(yōu)勢,是芯片電學(xué)互連的發(fā)展趨勢。按照電氣連接方式來看屬于無線鍵合方法。

半導(dǎo)體封裝的典型封裝工藝簡介

依據(jù)封裝管腳的排布方式、芯片與PCB板連接方式以及發(fā)展的時間先后順序，半導(dǎo)體封裝可劃分為PTH封裝(Pin-Through-Hole)和SMT封裝（Surface-Mount-Technology）二大類，即通常所稱的插孔式（或通孔式）和表面貼裝式。

針腳插裝技術(shù)（PTH）：

針腳插裝封裝，顧名思義即在芯片與目標(biāo)板的連接過程中使用插裝方式，古老而經(jīng)典DIP封裝即屬于該種封裝形式。在早期集成電路中由于芯片集成度不高，芯片工作所需的輸入/輸出管腳數(shù)較少，所以多采用該種封裝形式。DIP封裝有兩種衍生封裝形式，即為：SiP和ZIP，只是為適應(yīng)不同的應(yīng)用領(lǐng)域，對傳統(tǒng)DIP封裝在封裝殼管腳排布和形狀上略有改進(jìn)。

PTH封裝示意圖

表面貼裝封裝（SMT）：

PTH封裝在機(jī)械連接強(qiáng)度上的優(yōu)勢毋庸質(zhì)疑，但同時也帶來一些負(fù)面效應(yīng)。PTH封裝中使用的貫通孔將大量占用PCB板有效布線面積，因此目前主流的PCB板設(shè)計中多使用表面貼片封裝。

表面貼片封裝有很多種類，常用的封裝形式有：

• 小型塑封晶體管(Small Outline Transistor，SOT)

• 小引出線封裝(Smal lOutline Package，SOP)

• 四方扁平無引線封裝(Quad Flat No-lead Package，QFN)

• 薄小縮小外形封裝(Thin Small Shrink Outline Package，TSSOP)

• 方型扁平式封裝(Quad Flat Package，QFP)

• 方形扁平無引腳封裝（QFN）

從SOT到QFN，芯片封裝殼支持的管腳數(shù)越來越多，芯片封裝殼的管角間距越來越小。

表面貼片封裝方式的優(yōu)點在于芯片封裝的尺寸大大下降，芯片封裝的管腳密度大大提升，與PTH封裝具有相同管腳數(shù)量時，表面貼片封裝的封裝尺寸將遠(yuǎn)小于PTH封裝。表面貼片封裝只占用PCB板表層布線空間，在使用多層布線工藝時，封裝占用的有效布線面積大大下降，可以大大提高PCB板布線密度和利用率。

BGA：

封裝伴隨著芯片集成度不斷提高，為使芯片實現(xiàn)更復(fù)雜的功能，芯片所需的輸入/輸出管腳數(shù)量也進(jìn)一步提升，面對日趨增長的管腳數(shù)量和日趨下降的芯片封裝尺寸，微電子封裝提出了一種新的封裝形式BGA封裝。

BGA封裝的底部按照矩陣方式制作引腳，引腳的形狀為球形，在封裝殼的正面裝配芯片，有時也會將BGA芯片與球形管腳放在基板的同一側(cè)。BGA封裝是大規(guī)模集成電路的一種常用封裝形式。BGA封裝按照封裝殼基板材質(zhì)的不同，可分為三類：塑料BGA、陶瓷BGA、載帶BGA。

BGA封裝具有以下共同特點：

• 芯片封裝的失效率較低；

• 提升器件管腳數(shù)量與封裝殼尺寸的比率，減小了基板面積；

• 管腳共面較好，減少管腳共面損害帶來的焊接不良；

• BGA引腳為焊料值球，不存在引腳變形問題；

• BGA封裝引腳較短，輸入/輸出信號鏈路大大縮短，減少了因管腳長度引入的電阻/電容/電感效應(yīng)，改善了封裝殼的寄生參數(shù)；

• BGA球柵陣列與PCB板接觸點較多，接觸面積較大，有利于芯片散熱，BGA封裝有利提高封裝的封裝密度。

BGA封裝使用矩陣形式的管腳排列，相對于傳統(tǒng)的貼片封裝，在相同管腳數(shù)量下，BGA封裝的封裝尺寸可以做的更小，同時也更節(jié)省PCB板的布線面積。

芯片級（CSP）封裝技術(shù)

CSP定義

根據(jù)J-STD-012標(biāo)準(zhǔn)的定義，CSP是指封裝尺不超過裸芯片1.2倍的一種先進(jìn)的封裝形式。一般認(rèn)為CSP技術(shù)是在對現(xiàn)有的芯片封裝技術(shù)，尤其是對成熟的BGA封裝技術(shù)做進(jìn)一步技術(shù)提升的過程中，不斷將各種封裝尺寸進(jìn)一步小型化而產(chǎn)生的一種封裝技術(shù)。

CSP技術(shù)可以確保超大規(guī)模集成電路在高性能、高可靠性的前提下，以最低廉的成本實現(xiàn)封裝的尺寸最接近裸芯片尺寸。與QFP封裝相比，CSP封裝尺寸小于管腳間距為0.5mm的QFP封裝的1/10；與BGA封裝相比，CSP封裝尺寸約為BGA封裝的1/3。

當(dāng)封裝尺寸固定時，若想進(jìn)一步提升管腳數(shù)，則需縮小管腳間距。受制于現(xiàn)有工藝，不同封裝形式存在工藝極限值。如BGA封裝矩陣式值球最高可達(dá)1000個，但CSP封裝可支持超出2000的管腳。

CSP的主要結(jié)構(gòu)有內(nèi)芯芯片、互連層、焊球（或凸點、焊柱）、保護(hù)層等幾大部分，芯片與封裝殼是在互連層實現(xiàn)機(jī)械連接和電性連接。其中，互連層是通過載帶自動焊接或引線鍵合、倒裝芯片等方法，來實現(xiàn)芯片與焊球之間的內(nèi)部連接，是CSP關(guān)鍵組成部分。

目前有多種符合CSP定義的封裝結(jié)構(gòu)形式，其特點有：

• CSP的芯片面積與封裝面積之比與1：1的理想狀況非常接近，絕對尺寸為32mm2，相當(dāng)于BGA的三分之一和TSOP的六分之一，即CSP可將內(nèi)存容量提高3～6倍之多。

• 測試結(jié)果顯示，CSP可使芯片88.4%的工作熱量傳導(dǎo)至PCB，熱阻為35℃/W-1，而TSOP僅能傳導(dǎo)總熱量的71.3%，熱阻為40℃/W-1。

• CSP所采用的中心球形引腳形式能有效地縮短信號的傳導(dǎo)距離，信號衰減也隨之減少，芯片的抗干擾、抗噪性能更強(qiáng)，存取時間比BGA減少15%～20%，完全能適應(yīng)DDRⅡ，DRDRAM等超高頻率內(nèi)存芯片的實際需要。

• CSP可容易地制造出超過1000根信號引腳數(shù)，即使最復(fù)雜的內(nèi)存芯片都能封裝，在引腳數(shù)相同的情況下，CSP的組裝遠(yuǎn)比BGA容易。CSP還可進(jìn)行全面老化、篩選、測試，且操作、修整方便，能獲得真正的KGD（Known GoodDie已知合格芯片）芯片。

CSP封裝形式主要有如下分類

芯片級封裝的主要類型：

柔性基片CSP

顧名思義是采用柔性材料制成芯片載體基片，在塑料薄膜上制作金屬線路，然后將芯片與之連接。柔性基片CSP產(chǎn)品，芯片焊盤與基片焊盤間的連接方式可以是倒裝鍵合、TAB鍵合、引線鍵合等多種方式，不同連接方式封裝工藝略有差異。

硬質(zhì)基片CSP

其芯片封裝載體基材為多層線路板制成，基板材質(zhì)可為陶瓷或?qū)訅簶渲濉?/p>

引線框架CSP

技術(shù)是由日本的Fujitsu公司首先研發(fā)成功，使用與傳統(tǒng)封裝相類似的引線框架來完成CSP封裝。引線框架CSP技術(shù)使用的引線框架與傳統(tǒng)封裝引線框架的區(qū)別在于該技術(shù)使用的引線框架尺寸稍小，厚度稍薄。

微小模塑型CSP

是由日本三菱電機(jī)公司提出的一種CSP封裝形式。芯片管腳通過金屬導(dǎo)線與外部焊球連接，整個封裝過程中不需使用額外引線框架，封裝內(nèi)芯片與焊球連接線很短，信號品質(zhì)較好。

晶圓級CSP

由ChipScale公司開發(fā)。其技術(shù)特點在于直接使用晶圓制程完成芯片封裝。與其他各類CSP相比，晶圓級CSP所有工藝使用相同制程完成，工藝穩(wěn)定?；谏鲜鰞?yōu)點，晶圓級CSP封裝有望成為未來的CSP封裝的主流方式。

先進(jìn)封裝

堆疊封裝

堆疊封裝技術(shù)是一種對兩個以上芯片（片芯、籽芯）、封裝器件或電路卡進(jìn)行機(jī)械和電氣組裝的方法，在有限的空間內(nèi)成倍提高存儲器容量，或?qū)崿F(xiàn)電子設(shè)計功能，解決空間、互連受限問題。

堆疊封裝分為定制堆疊和標(biāo)準(zhǔn)商業(yè)堆疊兩大類型：前者是通過芯片層次工藝高密度化，其設(shè)計和制造成本相對較高；后者采用板卡堆疊、柔性電路連接器聯(lián)接、封裝后堆疊、芯片堆疊式封裝等方式，其成本比采用單芯片封裝器件的存儲器模塊高平均15%～20%。應(yīng)該看到，芯片堆疊式封裝的成本效率最高，在一個封裝體內(nèi)有2～5層芯片堆疊，從而能在封裝面積不變的前提下，有效利用立體空間提高存儲容量，主要用于DRAM、閃存和SRAM。另外，通過堆疊TSOP可分別節(jié)約50%或77%的板級面積。

芯片堆疊封裝主要強(qiáng)調(diào)用于堆疊的基本“元素”是晶圓切片。

多芯片封裝、堆疊芯片尺寸封裝、超薄堆疊芯片尺寸封裝等均屬于芯片堆疊封裝的范疇。芯片堆疊封裝技術(shù)優(yōu)勢在于采用減薄后的晶圓切片可使封裝的高度更低。

堆疊封裝有兩種不同的表現(xiàn)形式，即PoP堆疊(Package on Package，PoP)和PiP堆疊（Package in Package Stacking，PiP）。

PoP堆疊使用經(jīng)過完整測試且封裝完整的芯片，其制作方式是將完整的單芯片或堆疊芯片堆疊到另外一片完整單芯片或堆疊芯片的上部。其優(yōu)勢在于參與堆疊的基本“元素”為成品芯片，所以該技術(shù)理論上可將符合堆疊要求的任意芯片進(jìn)行堆疊。

PiP堆疊使用經(jīng)過簡單測試的內(nèi)部堆疊模塊和基本組裝封裝作為基本堆疊模塊，但受限于內(nèi)部堆疊模塊和基本組裝封裝的低良率，PiP堆疊成品良率較差。但PiP的優(yōu)勢也十分明顯，即在堆疊中可使用焊接工藝實現(xiàn)堆疊連接，成本較為低廉。

PoP封裝外形高度高于PiP封裝，但是裝配前各個器件可以單獨完整測試，封裝后的成品良率較好。

堆疊封裝技術(shù)中封裝后成品體積最小的應(yīng)屬3D封裝技術(shù)。

3D封裝可以在更小，更薄的封裝殼內(nèi)封裝更多的芯片。按照結(jié)構(gòu)3D封裝可分為芯片堆疊封裝和封裝堆疊封裝。

晶圓級封裝（WLP）

WLP的優(yōu)勢：

晶圓級封裝（WLP）就是在封裝過程中大部分工藝過程都是對晶圓（大圓片）進(jìn)行操作，對晶圓級封裝（WLP）的需求不僅受到更小封裝尺寸和高度的要求，還必須滿足簡化供應(yīng)鏈和降低總體成本，并提高整體性能的要求。

晶圓級封裝提供了倒裝芯片這一具有極大優(yōu)勢的技術(shù)，倒裝芯片中芯片面朝下對著印刷電路板（PCB），可以實現(xiàn)最短的電路徑，這也保證了更高的速度，降低成本是晶圓級封裝的另一個推動力量。

器件采用批量封裝，整個晶圓能夠?qū)崿F(xiàn)一次全部封裝。在給定晶片上封裝器件的成本不會隨著每片晶片的裸片數(shù)量而改變，因為所有工藝都是用掩模工藝進(jìn)行的加成和減法的步驟。

WLP技術(shù)的兩種類型：

總體來說，WLP技術(shù)有兩種類型：“扇入式”（fan-in）和“扇出式”（fan-out）晶圓級封裝。

傳統(tǒng)扇入WLP在晶圓未切割時就已經(jīng)形成。在裸片上，最終的封裝器件的二維平面尺寸與芯片本身尺寸相同。器件完全封裝后可以實現(xiàn)器件的單一化分離（singulation）。因此，扇入式WLP是一種獨特的封裝形式，并具有真正裸片尺寸的顯著特點。具有扇入設(shè)計的WLP通常用于低輸入/輸出（I/O）數(shù)量（一般小于400）和較小裸片尺寸的工藝當(dāng)中。

另一方面，隨著封裝技術(shù)的發(fā)展，逐漸出現(xiàn)了扇出式WLP。扇出WLP初始用于將獨立的裸片重新組裝或重新配置到晶圓工藝中，并以此為基礎(chǔ)，通過批量處理、構(gòu)建和金屬化結(jié)構(gòu)，如傳統(tǒng)的扇入式WLP后端處理，以形成最終封裝。

扇出式WLP可根據(jù)工藝過程分為芯片先上（Die First）和芯片后上（Die Last）,芯片先上工藝，簡單地說就是先把芯片放上，再做布線（RDL），芯片后上就是先做布線，測試合格的單元再把芯片放上去，芯片后上工藝的優(yōu)點就是可以提高合格芯片的利用率以提高成品率，但工藝相對復(fù)雜。eWLB就是典型的芯片先上的Fan out工藝，長電科技星科金朋的Fan-out,安靠（Amkor）的葡萄牙工廠均采用的芯片先上的工藝。TSMC的INFO也是芯片先上的Fan-out產(chǎn)品。安靠和ASE也都有自己成熟的芯片后上的Fan-out工藝。

在電子設(shè)備的發(fā)展歷史中，WLP封裝技術(shù)的推廣產(chǎn)生了很多全新的產(chǎn)品。

例如得益于WLP的使用，摩托羅拉能夠推出其RAZR手機(jī)，該手機(jī)也是其推出時最薄的手機(jī)。最新型號的iPhone采用了超過50顆WLP，智能手機(jī)是WLP發(fā)展的最大推動力。

隨著金線價格的上漲，一些公司也正在考慮采用WLP作為低成本替代方案，而不是采用引線鍵合封裝，尤其是針對更高引腳數(shù)的器件。最近幾年中，WLP也已經(jīng)被廣泛用于圖像傳感器的應(yīng)用中。目前，硅通孔（TSV）技術(shù)已被納入用于封裝圖像傳感器的WLP解決方案。其他更新的封裝技術(shù)也在逐漸發(fā)展，并與現(xiàn)有的WLP技術(shù)進(jìn)行整合，例如三維（3D）集成技術(shù)。

2.5D/3D先進(jìn)封裝集成工藝

新興的2.5D和3D技術(shù)有望擴(kuò)展到倒裝芯片和晶圓級封裝工藝中。通過使用硅中介層（Interposers）和硅通孔（TSV）技術(shù)，可以將多個芯片進(jìn)行垂直堆疊。TSV堆疊技術(shù)實現(xiàn)了在不增加IC平面尺寸的情況下，融合更多的功能到IC中，允許將更大量的功能封裝到IC中而不必增加其平面尺寸，并且硅中介層用于縮短通過集成電路中的一些關(guān)鍵電通路來實現(xiàn)更快的輸入和輸出。因此，使用先進(jìn)封裝技術(shù)封裝的應(yīng)用處理器和內(nèi)存芯片將比使用舊技術(shù)封裝的芯片小約30%或40%，比使用舊技術(shù)封裝的芯片快2～3倍，并且可以節(jié)省高達(dá)40%或者更多的功率。

2.5D和3D技術(shù)的復(fù)雜性以及生產(chǎn)這些芯片的IC制造商（Fab）和外包封裝/測試廠商的經(jīng)濟(jì)性意味著IDM和代工廠仍需要處理前端工作，而外包封裝/測試廠商仍然最適合處理后端過程，比如通過露出、凸點、堆疊和測試。外包封裝/測試廠商的工藝與生產(chǎn)主要依賴于內(nèi)插件的制造，這是一種對技術(shù)要求較低的成本敏感型工藝。

三維封裝可以更高效地利用硅片，達(dá)到更高的“硅片效率”。硅片效率是指堆疊中的總基板面積與占地面積的比率。因此，與其他2D封裝技術(shù)相比，3D技術(shù)的硅效率超過了100%。而在延遲方面，需要通過縮短互連長度來減少互連相關(guān)的寄生電容和電感，從而來減少信號傳播延遲。而在3D技術(shù)中，電子元件相互靠得很近，所以延遲會更少。相類似，3D技術(shù)在降低噪聲和降低功耗方面的作用在于減少互連長度，從而減少相關(guān)寄生效應(yīng)，從而轉(zhuǎn)化為性能改進(jìn)，并更大程度的降低成本。此外，采用3D技術(shù)在降低功耗的同時，可以使3D器件以更高的頻率運行，而3D器件的寄生效應(yīng)、尺寸和噪聲的降低可實現(xiàn)更高的每秒轉(zhuǎn)換速率，從而提高整體系統(tǒng)性能。

3D集成技術(shù)作為2010年以來得到重點關(guān)注和廣泛應(yīng)用的封裝技術(shù)，通過用3D設(shè)備取代單芯片封裝，可以實現(xiàn)相當(dāng)大的尺寸和重量降低。這些減少量的大小部分取決于垂直互連密度和可獲取性（accessibility）和熱特性等。據(jù)報道，與傳統(tǒng)封裝相比，使用3D技術(shù)可以實現(xiàn)40～50倍的尺寸和重量減少。

舉例來說，德州儀器（TI）的3D裸片封裝與離散和平面封裝（MCM）之間的體積和重量相比，可以減少5～6倍的體積，并且在分立封裝技術(shù)上可以減少10～20倍。此外，與MCM技術(shù)相比，重量減少2～13倍，與分立元件相比，重量減少3～19倍。此外，封裝技術(shù)中的一個主要問題是芯片占用面積，即芯片占用的印刷電路板（PCB）的面積。在采用MCM的情況下，芯片占用面積減少20%～90%，這主要是因為裸片的使用。

系統(tǒng)級封裝SiP技術(shù)

SiP是半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的最高端的一種新型封裝技術(shù)，將一個或多個IC芯片及被動元件整合在一個封裝中，綜合了現(xiàn)有的芯核資源和半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝的優(yōu)勢。SiP是為整機(jī)系統(tǒng)小型化的需要，提高半導(dǎo)體功能和密度而發(fā)展起來的。SiP使用成熟的組裝和互連技術(shù)，把各種集成電路如CMOS電路、GaAs電路、SiGe電路或者光電子器件、MEMS器件以及各類無源元件如電阻、電容、電感等集成到一個封裝體內(nèi)。

自從1960年代以來，集成電路的封裝形式經(jīng)歷了從雙列直插、四周扁平封裝、焊球陣列封裝和圓片級封裝、芯片尺寸封裝等階段。而小型化、輕量化、高性能、多功能、高可靠性和低成本的電子產(chǎn)品的總體發(fā)展趨勢使得單一芯片上的晶體管數(shù)目不再是面臨的主要挑戰(zhàn)，而是要發(fā)展更先進(jìn)的封裝及時來滿足產(chǎn)品輕、薄、短、小以及與系統(tǒng)整合的需求，這也使得在獨立的系統(tǒng)（芯片或者模塊）內(nèi)充分實現(xiàn)芯片的功能成為需要克服的障礙。這樣的背景是SiP逐漸成為近年來集成電路研發(fā)機(jī)構(gòu)和半導(dǎo)體廠商的重點研究對象。SiP作為一種全新的集成方法和封裝技術(shù)，具有一系列獨特的技術(shù)優(yōu)勢，滿足了當(dāng)今電子產(chǎn)品更輕、更小和更薄的發(fā)展需求，在微電子領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用市場和發(fā)展前景。

SiP/SoP

近年來，隨著消費類電子產(chǎn)品（尤其是移動通信電子產(chǎn)品）的飛速發(fā)展，使得三維高密度系統(tǒng)級封裝（3D SiP，System in Package/SoP，System on Package）成為了實現(xiàn)高性能、低功耗、小型化、異質(zhì)工藝集成、低成本的系統(tǒng)集成電子產(chǎn)品的重要技術(shù)方案，國際半導(dǎo)體技術(shù)路線（ITRS）已經(jīng)明確SiP/SoP將是未來超越摩爾（More than Moore）定律的主要技術(shù)。SiP從結(jié)構(gòu)方向上可以分為兩類基本的形式，一類是多塊芯片平面排布的二維封裝結(jié)構(gòu)（2D SiP），另一類是芯片垂直疊裝的三維封裝/集成結(jié)構(gòu)（3D SiP）。

在2DSiP結(jié)構(gòu)中，芯片并排水平貼裝在基板上的，貼裝不受芯片尺寸大小的限制,工藝相對簡單和成熟，但其封裝面積相應(yīng)地比較大，封裝效率比較低。3DSiP可實現(xiàn)較高的封裝效率，能最大限度地發(fā)揮SiP的技術(shù)優(yōu)勢，是實現(xiàn)系統(tǒng)集成的最為有效的技術(shù)途徑，實際上涉及多種先進(jìn)的封裝技術(shù)，包括封裝堆疊（PoP）、芯片堆疊（CoC）、硅通孔（TSV）、埋入式基板（Embedded Substrate）等，也涉及引線鍵合、倒裝芯片、微凸點等其他封裝工藝。3DSiP的基本概念正是將可能實現(xiàn)的多種功能集成于一個系統(tǒng)中，包括微處理器、存儲器、模擬電路、電源轉(zhuǎn)化模塊、光電器件等，還可能將散熱通道等部件也集成在封裝中，最大程度的體現(xiàn)SiP的技術(shù)優(yōu)勢。

系統(tǒng)級封裝技術(shù)可以解決目前我們遇到的很多問題，其優(yōu)勢也是越來越明顯，如產(chǎn)品設(shè)計的小型化、功能豐富化、產(chǎn)品可靠性等，產(chǎn)品制造也越來越極致，尤為重要的是，提高了生產(chǎn)效率，并大幅降低了生產(chǎn)成本。當(dāng)然，難點也是存在的，系統(tǒng)級封裝的實現(xiàn)，需要各節(jié)點所有技術(shù)，而不是某一技術(shù)所能實現(xiàn)的，這對封裝企業(yè)來說，就需要有足夠的封裝技術(shù)積累及可靠的封裝平臺支撐，如高密度模組技術(shù)、晶圓級封裝技術(shù)等。

多芯片組件（MCM）

多芯片組件(MCM)屬于系統(tǒng)級封裝，是電子封裝技術(shù)層面的大突破。MCM是指一個封裝體中包含通過基板互連起來，共同構(gòu)成整個系統(tǒng)的封裝形式的兩個或兩個以上的芯片。并為組件中的所有芯片提供信號互連、I/O管理、熱控制、機(jī)械支撐和環(huán)境保護(hù)等條件。根據(jù)所用多層布線基板的類型不同，MCM可分為疊層多芯片組件(MCM-L)、陶瓷多芯片組件(MCM-C)、淀積多芯片組件(MCM-D)以及混合多芯片組件(MCM–C/D)等。

多芯片封裝技術(shù)從某種程度上而言可以減少由芯片功能過于復(fù)雜帶來的研發(fā)壓力。由于多芯片方案可以使用完全獨立的成熟芯片搭建系統(tǒng)，無論從成本角度還是從技術(shù)角度考慮，單芯片方案的研發(fā)難度遠(yuǎn)大于多芯片方案?，F(xiàn)階段產(chǎn)品發(fā)展的趨勢為小型化便攜式產(chǎn)品，產(chǎn)品外部尺寸的縮小將壓縮芯片可用布線空間，這就迫使封裝技術(shù)改善封裝的尺寸來適應(yīng)更小型的產(chǎn)品。