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為了阻擊臺積電和日本半導(dǎo)體,韓國也是拼了

作者: 時間:2024-01-11 來源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫 收藏

12 月中旬,韓國總統(tǒng)尹錫悅與荷蘭首相馬克·呂特發(fā)表聯(lián)合聲明,雙方構(gòu)建「半導(dǎo)體同盟」。雙方一致認(rèn)為,兩國在全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈中有著特殊的互補關(guān)系,并重申構(gòu)建覆蓋政府、企業(yè)、高校的半導(dǎo)體同盟的決心。為此,雙方商定新設(shè)經(jīng)貿(mào)部門之間的半導(dǎo)體對話協(xié)商機制,同時推進(jìn)半導(dǎo)體專業(yè)人才培養(yǎng)項目。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/202401/454672.htm

陪同尹錫悅出訪的還有三星電子和 SK 海力士公司的高管團隊,這兩家芯片巨頭都是荷蘭 ASML 公司的主要客戶。

在變化多端的全球半導(dǎo)體市場,為了幫助由三星電子和 SK 海力士支撐的韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),尹錫悅走到了前臺,凸顯出韓國政府對于保持并提升本國半導(dǎo)體競爭力的決心。

幾周前,三星電子老板李在镕到荷蘭與 ASML 簽署了重要協(xié)議。從荷蘭返回韓國后,李在镕表示,對與 ASML 達(dá)成的協(xié)議感到滿意。在 EUV 爭奪戰(zhàn)愈加激烈的當(dāng)下,對于三星、英特爾和這三強來說,誰先拿到 ASML 最先進(jìn)的 EUV 設(shè)備,且拿到的盡量多,誰就在未來先進(jìn)制程芯片競賽中占得了先機。正因為如此,李在镕,甚至尹錫悅才如此積極地奔走。

據(jù)悉,按照協(xié)議規(guī)定,ASML 在 5 年內(nèi)將提供總共 50 套設(shè)備(不止 EUV 光刻機),而每臺單價約為 2000 億韓元(約為 11.02 億元人民幣),總價值可達(dá) 10 萬億韓元(約為 551 億元人民幣)。

最先進(jìn)制程之爭

綜合三星電子、和英特爾的規(guī)劃來看,2022-2023 年實現(xiàn) 3nm 制程量產(chǎn),2025 年實現(xiàn) 2nm 量產(chǎn)。其中,三星和的競爭激烈,臺積電 3nm 仍堅持采用改良的 FinFET 晶體管技術(shù),三星則選擇 GAAFET 技術(shù)。目前來看,臺積電 3nm 繼續(xù)保持市場領(lǐng)先地位,并獲得了全球多數(shù)大客戶的訂單。

三星電子在 2023 年推出了第二代 3nm 工藝,計劃 2025 年量產(chǎn) 2nm,2027 年推出 1.4nm,到 2030 年趕上臺積電。

2025 年,三星將推出 2nm(SF2)制程,據(jù)悉,該工藝將采用背面供電技術(shù),這樣可以進(jìn)一步提升性能,因為供電電路被移到芯片背面,給正面留出了集成更多晶體管的空間。

在 2nm 制程之后,三星將增加晶體管的納米片數(shù)量,這樣可以增強驅(qū)動電流,提高性能,因為更多的納米片允許更多的電流流過晶體管,從而增強其開關(guān)能力和運行速度。更多的納米片還可以更好地控制電流,有助于減少漏電流,從而降低功耗。改進(jìn)的電流控制也意味著晶體管產(chǎn)生的熱量更少,從而提高了電源效率。

據(jù)韓國媒體報道,三星晶圓代工部門正在整合優(yōu)勢資源,快速推進(jìn)其 2nm 生產(chǎn)計劃。

臺積電同樣計劃于 2025 年推出 2nm 制程,也將采用納米片工藝,到那時,三星已經(jīng)在 GAA 晶體管方面擁有豐富的經(jīng)驗,這對晶圓代工很有利。因此,三星對 2nm 制程寄予厚望,無論是工藝技術(shù),還是良率,可以與臺積電分庭抗禮。

近期,臺積電已經(jīng)啟動了 2nm 試產(chǎn)的前置作業(yè),預(yù)計導(dǎo)入最先進(jìn) AI 系統(tǒng)來加速試產(chǎn)效率。目標(biāo)是今年試產(chǎn)近千片,試產(chǎn)順利后,將導(dǎo)入后續(xù)建設(shè)完成的竹科寶山 Fab 20 廠,由該廠團隊接力沖刺 2024 年風(fēng)險試產(chǎn)與 2025 年量產(chǎn)目標(biāo)。

EUV 設(shè)備越來越重要

無論是對于攻城的三星電子,還是對于守城的臺積電,必須打好 2nm 制程量產(chǎn)這一仗。而制程越先進(jìn),對 EUV 光刻設(shè)備的依賴度越高,此時,ASML 占到了舞臺中央。

據(jù)悉,2024 全年,ASML 計劃生產(chǎn) 10 臺可生產(chǎn) 2nm 芯片的 EUV 設(shè)備,而英特爾可能已經(jīng)預(yù)先拿到了其中的 6 臺。這種情況下,三星與臺積電在這方面的競爭會更激烈。

在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域,韓國在半導(dǎo)體測試等后道設(shè)備領(lǐng)域的國產(chǎn)化已經(jīng)取得重大進(jìn)展,在前道設(shè)備方面,光刻和離子注入機仍處于零國產(chǎn)化的狀態(tài)。韓國在 8 大半導(dǎo)體設(shè)備方面的國產(chǎn)化率如下:熱處理(70%),沉積(65%),清洗(65%),平整化(60%),蝕刻(50%),測量分析(30%),光刻 (0%),離子注入 (0%)。

因此,三星需要將更多的 EUV 和離子注入設(shè)備,以及后續(xù)服務(wù)和技術(shù)支持引入到韓國本土,以提升其先進(jìn)制程工藝的開發(fā)和量產(chǎn)效率。為此,三星電子與 ASML 簽署了一份價值 1 萬億韓元(7.55 億美元)的協(xié)議。兩家公司將在韓國投資建設(shè)一家半導(dǎo)體研究工廠,在那里開發(fā) EUV 技術(shù)。三星電子副董事長兼設(shè)備解決方案部門負(fù)責(zé)人 Kyung Kye-hyun 強調(diào),該協(xié)議將幫助其獲得下一代高 NA(數(shù)值孔徑)EUV 光刻設(shè)備。

在韓國京畿道東灘即將建成的半導(dǎo)體研究工廠中,ASML 和三星電子的工程師將共同改進(jìn) EUV 技術(shù)。當(dāng)然,這并不是要在韓國生產(chǎn)光刻機,而是要與 ASML 建立更深入的合作伙伴關(guān)系,以便三星可以更好地使用最新 EUV 設(shè)備。

先進(jìn)存儲芯片也在追求 EUV

以上談的是晶圓代工以及邏輯芯片(CPU、GPU 等處理器)采用的先進(jìn)制程需要更多的 EUV 設(shè)備,除此之外,近些年,先進(jìn)存儲芯片也需要 EUV,這方面,三星電子和 SK 海力士依然是需求大戶,這兩家與美光科技正在這方面進(jìn)行競爭。

近些年,存儲芯片,特別是 DRAM 的制程進(jìn)入了 10nm~20nm 時代,而且越來越趨近于 10nm,這樣,常用的 DUV 光刻機就難以滿足最先進(jìn)制程 DRAM 的要求,行業(yè)三巨頭也逐步在產(chǎn)線上引入了 EUV 設(shè)備。

2020 年 3 月,三星電子率先使用 EUV 光刻機生產(chǎn) DRAM;2021 年 7 月,SK 海力士宣布利用 EUV 量產(chǎn)了 LPDDR4 內(nèi)存;2021 年 10 月,三星電子開始用 EUV 大規(guī)模生產(chǎn) 14nm 制程 DRAM。

標(biāo)準(zhǔn)型 DRAM 芯片需求量遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于單種類型邏輯芯片,三星電子的 1Znm 制程 DRAM 量產(chǎn)結(jié)果表明,相比于 DUV 光刻機,EUV 極大簡化了制造流程,不僅可以大幅度提高光刻分辨率和 DRAM 性能,還可以減少使用的掩模數(shù)量,從而減少流程步驟,降低缺陷率,并大幅縮短生產(chǎn)周期。

即使 EUV 掩模費用(數(shù)百萬美元)遠(yuǎn)高于 DUV,使用 EUV 光刻機量產(chǎn) DRAM 也具有更高的性價比。

近兩年,三星電子和 SK 海力士將 EUV 光刻機引入 1Znm 制程 DRAM 的量產(chǎn)進(jìn)展順利,并演進(jìn)到了第五代 1β制程。相對而言,DRAM 三巨頭中的美光較為保守,沒有立即跟進(jìn)使用 EUV。不過,到了 2022 年,看到使用 EUV 生產(chǎn) DRAM 的諸多好處后,美光也按耐不住了。

據(jù)悉,美光將把 EUV 光刻機引入到該公司在日本的新產(chǎn)線,投資約 36 億美元用于 1-Gamma 制程工藝,美光可以從日本政府那里獲得 15 億美元的補貼。

顯然,在用 EUV 制造 DRAM 方面,韓國兩強已經(jīng)走在了前面。韓國政府出面推動與荷蘭和 ASML 的深度合作,有助于三星和 SK 海力士存儲芯片的后續(xù)量產(chǎn)升級。

應(yīng)對日本的半導(dǎo)體復(fù)興

最近,韓國政府如此積極地參與本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展,還有一個刺激因素,那就是日本政府和產(chǎn)業(yè)界正在集體行動,想復(fù)興本土的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。

日本企業(yè)曾在全球半導(dǎo)體市場占據(jù)主導(dǎo)地位,在上世紀(jì) 80 年代后期占據(jù)了 50% 以上的市場份額,但他們目前的份額已經(jīng)下降到 10% 左右。盡管在某些領(lǐng)域仍保持著競爭力,例如功率半導(dǎo)體,以及半導(dǎo)體設(shè)備和材料,但總體來看,日本需要的很多品類芯片都依賴進(jìn)口,特別是先進(jìn)制程(16nm 及以下)芯片,其本土幾乎是一片荒漠。

近兩年,日本政府一直致力于提升本土先進(jìn)制程芯片的制造能力,并采取了一系列措施。

為了打造本土半導(dǎo)體供應(yīng)鏈,日本政府祭出了大量補貼,不僅吸引臺積電落腳日本,力積電也將在宮城縣以合資方式與日方合作設(shè)廠,加上聯(lián)電既有的三重縣晶圓廠,中國臺灣四大晶圓代工廠中,已有三家布局日本。

據(jù)悉,臺積電熊本新廠主建筑已建設(shè)完畢并開始移機,有望于 2024 年第四季度開始量產(chǎn)。臺積電還有可能在日本建第二座晶圓廠。

除了鼓勵外企前往當(dāng)?shù)赝顿Y建廠,日本政府還在 2022 年 8 月籌組了由豐田、索尼、NTT、NEC、軟銀、電裝(Denso)、鎧俠、三菱 UFJ 等 8 家日企及官方共同成立的 Rapidus 公司,目標(biāo)是在 2025 年開始試產(chǎn) 2nm 芯片,2027 年實現(xiàn)量產(chǎn)。

據(jù)日本媒體報道,ASML 將于 2024 年在日本北海道設(shè)立新的技術(shù)支持中心,以協(xié)助 Rapidus 的 2nm 晶圓廠安裝和維護(hù) EUV 光刻設(shè)備。

Rapidus 董事長東哲郎表示,為了打造最先進(jìn)芯片制造產(chǎn)線,預(yù)計將投資 7 萬億日元(約合 540 億美元),才能在 2027 年量產(chǎn)。之前,8 家參股企業(yè)和日本政府提供的補貼資金遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠。今年 4 月,日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省敲定計劃,將額外向 Rapidus 提供 3000 億日元(約 22.7 億美元)補貼。但這依然不夠,它們需要投下重注。

雖然日本在先進(jìn)制程芯片方面很弱,但該國在半導(dǎo)體材料方面處于世界領(lǐng)先地位,半導(dǎo)體前段工序常用的材料一共 19 種,其中 14 種都由日本企業(yè)主導(dǎo),特別是 10nm 制程以下的光刻膠,基本上只有日企能夠生產(chǎn)。這對韓國來說是個不小的問題,因為韓國先進(jìn)芯片制造所需的關(guān)鍵半導(dǎo)體材料大都需要從日本進(jìn)口,4 年前,因為兩國政府和民間因一些事端出現(xiàn)對抗情緒,日本切斷了向韓國出口相關(guān)半導(dǎo)體材料的渠道,特別是光刻膠,韓國的相關(guān)技術(shù)和產(chǎn)品沒有競爭力。這使得韓國政府和相關(guān)企業(yè),特別是三星電子和 SK 海力士非常被動。

今年上半年,日本產(chǎn)業(yè)革新投資機構(gòu)(JIC)同意收購光刻膠巨頭 JSR,它擁有全球三成左右的市場份額。這家投資機構(gòu)的背后,就是日本政府。

光刻膠是光刻工藝中最為核心的材料,它的純度、質(zhì)量直接決定芯片的良率。

三星集團 CEO 曾表示:「如果缺少光刻膠,那么光刻機就是一堆廢鐵?!?/p>

2019 年,日本跟韓國翻臉,日本不準(zhǔn)向韓國出口光刻膠,這在很大程度上影響了三星電子先進(jìn)制程芯片的生產(chǎn),特別是良率,直線下滑,因為它只能用純度不夠的光刻膠。

韓國深受教訓(xùn),韓國政府在那時就立志要強化本土半導(dǎo)體材料的供應(yīng)能力。2022 年 12 月,三星宣布,韓國東進(jìn)世美肯 (Dongjin Semichem) 研發(fā)的 EUV 光刻膠已成功應(yīng)用于芯片生產(chǎn),東進(jìn)也是第一家把 EUV 光刻膠本土化做到量產(chǎn)水平的韓國公司。

Dongjin Semichem 在日本實施出口管制之后就開始研發(fā)光刻膠,并于 2020 年聘請 ASML Korea 前 CEO Kim Young-sun 為副會長,為進(jìn)軍 EUV 光刻膠業(yè)務(wù)打下基礎(chǔ)。據(jù)韓媒 ETNews 報道,Dongjin Semichem 制定了 High NA EUV 光刻膠開發(fā)路線圖,從今年下半年啟動研發(fā)項目,目標(biāo)是最快在 2025 上半年完成技術(shù)開發(fā)。

結(jié)語

英特爾的改變,使得先進(jìn)制程的競爭更加激烈,行業(yè)三強將在 2nm 制程芯片量產(chǎn)時走到歷史進(jìn)程中最接近的時段,無論是技術(shù),還是量產(chǎn)能力,很可能是是幾十年來差距最小的,而且是三家同時競爭。

隨著應(yīng)用需求的發(fā)展,存儲芯片對制程工藝的要求也越來越高,發(fā)展到 10nm 以下先進(jìn)制程是遲早的事。

日本作為亞洲半導(dǎo)體業(yè)曾經(jīng)的霸主,后來被韓國拉下馬,如今,日本又開啟了復(fù)興之路。

在以上這些競爭和壓力面前,韓國政府和相關(guān)企業(yè)的競爭意識不斷加強,不進(jìn)則退,需要更多行動和措施,才能保持住它們的行業(yè)地位。



關(guān)鍵詞: 臺積電

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