可用面積達(dá)12吋晶圓3.7倍，臺(tái)積電發(fā)力面板級(jí)先進(jìn)封裝技術(shù)

6月21日消息，據(jù)日媒報(bào)道，在CoWoS訂單滿載、積極擴(kuò)產(chǎn)之際，臺(tái)積電也準(zhǔn)備要切入產(chǎn)出量比現(xiàn)有先進(jìn)封裝技術(shù)高數(shù)倍的面板級(jí)扇出型封裝技術(shù)。而在此之前，英特爾、三星等都已經(jīng)在積極的布局面板級(jí)封裝技術(shù)以及玻璃基板技術(shù)。

報(bào)道稱，為應(yīng)對(duì)未來AI需求趨勢(shì)，臺(tái)積電正與設(shè)備和原料供應(yīng)商合作，準(zhǔn)備研發(fā)新的先進(jìn)封裝技術(shù)，計(jì)劃是利用類似矩形面板的基板進(jìn)行封裝，取代目前所采用的傳統(tǒng)圓形晶圓，從而能以在單片基板上放置更多芯片組。

資料顯示，扇出面板級(jí)封裝（FOPLP）是基于重新布線層（RDL）工藝，將芯片重新分布在大面板上進(jìn)行互連的先進(jìn)封裝技術(shù)，能夠?qū)⒍鄠€(gè)芯片、無源元件和互連集成在一個(gè)封裝內(nèi)。FOPLP與傳統(tǒng)封裝方法相比，提供了更大的靈活性、可擴(kuò)展性和成本效益。

據(jù)Yole的報(bào)告顯示，F(xiàn)OWLP技術(shù)的面積使用率<85%，F(xiàn)OPLP面積使用率>95%，這使得300mm×300mm的面板比同尺寸12英寸的晶圓可以多容納1.64倍的die。如果采用600mm×600mm的面板，那么可能將會(huì)帶來近5倍的提升。

消息人士稱，臺(tái)積電目前的試驗(yàn)是采用515mm×510mm的矩形基板，可用面積將會(huì)是目前的12英寸晶圓的三倍多，矩形基板也將使得邊緣留下的未用面積減少。

臺(tái)積電目前主要以CoWoS為高性能計(jì)算（HPC）芯片客戶提供先進(jìn)封裝服務(wù)，并正擴(kuò)張CoWoS產(chǎn)能，最新的廠區(qū)落腳南科嘉義園區(qū)。

臺(tái)積電的CoWoS先進(jìn)封裝技術(shù)能合并兩組英偉達(dá)的Balckwell GPU芯片、以及八組高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片，但隨著單組芯片要容納更多晶體管、整合更多HBM，產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)的12英寸晶圓可能在兩年后就不足以用來封裝先進(jìn)芯片，因此需要產(chǎn)出性能比現(xiàn)有先進(jìn)封裝技術(shù)高數(shù)倍的面板級(jí)扇出型封裝。

三星、英特爾也早已意識(shí)到上述問題，紛紛投入新一代的先進(jìn)封裝技術(shù)。三星現(xiàn)有自家先進(jìn)封裝服務(wù)包含I-Cube 2.5D封裝以及X-Cube 3D IC封裝、2D FOPKG封裝等。對(duì)于移動(dòng)手機(jī)或穿戴式裝置等需要低功耗內(nèi)存整合的應(yīng)用，三星已提供面板級(jí)扇出型封裝和晶圓級(jí)扇出型封裝等平臺(tái)。

英特爾也規(guī)劃推出業(yè)界首款、用于下一代先進(jìn)封裝的玻璃基板方案，規(guī)劃2026年至2030年量產(chǎn)，并預(yù)期需要更大體積封裝、更高速應(yīng)用及工作負(fù)載的數(shù)據(jù)中心、AI、GPU等領(lǐng)域，將是最先導(dǎo)入的市場(chǎng)。本月初，據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)導(dǎo)，英特爾近期和14家日本合作伙伴攜手，計(jì)劃租用夏普閑置的液晶面板廠作為先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)中心，或?qū)檠邪l(fā)面板級(jí)封裝技術(shù)。