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國研院開發(fā)新芯片 大幅提升訊號傳輸速度

作者: 時(shí)間:2014-01-09 來源:工商時(shí)報(bào) 收藏

  國研院今發(fā)表「積層型3D-IC」技術(shù),可將訊號傳輸速度提升數(shù)百倍、耗能降低至少一半。預(yù)計(jì)今年便可運(yùn)用在顯示器上,未來將陸續(xù)與國內(nèi)記憶體、面板及晶圓代工產(chǎn)業(yè)合作,估計(jì)技轉(zhuǎn)金約需上億元,是國研院截至目前為止的最高技轉(zhuǎn)金額。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/215326.htm

  新世代要求多功能、可攜式智慧行動裝置,需要傳輸速度更快、更低耗能的晶片來處理,因此近年來積體電路(IC)制作漸由平面2DIC衍伸出立體結(jié)構(gòu)的3DIC,藉由IC堆疊來縮短訊號傳輸距離。目前半導(dǎo)體廠制作3DIC主要是以「3D-IC技術(shù)」,將兩塊分別制作完成的IC晶片以垂直導(dǎo)線連接,距離大約50微米。

  國研院奈米元件實(shí)驗(yàn)室前瞻元件組組長謝嘉民,過去技術(shù)就像101只能住1樓和頂樓,且中間只有1臺電梯(垂直導(dǎo)線)連接,訊號傳輸速度慢,積層型3D-IC技術(shù)則如同一棟2層樓的房子,卻有多部電梯可同時(shí)上下有效提高訊號傳輸速度并減少耗能。

  謝嘉民并指出,技術(shù)在加熱制作第2層時(shí),可能會損壞到已經(jīng)做好的第一層IC,但國研院開發(fā)出「奈米級雷射局部加熱法」及「奈米級超薄高品質(zhì)矽薄膜技術(shù)」,可以在加熱第2層IC時(shí)不損及第1層,突破長久以來積層型3D-IC技術(shù)的瓶頸,并將兩層IC間距離縮短到0.3微米,是現(xiàn)有技術(shù)的150分之1。

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