全球的DRAM戰(zhàn)不可避免

據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)導(dǎo)，中國臺(tái)灣的力晶、茂德、南亞及華邦四家DRAM大廠，為與韓國Samsung及日本Elpida等抗?fàn)?，最近決定再投入100億美元進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)。

全球DRAM的現(xiàn)狀
2003年全球DRAM的銷售額為174.5億美元，占全球半導(dǎo)體消費(fèi)的10.6%。2003年全球DRAM排名如表1所示。其中1~4名占據(jù)78.9%，反映DRAM市場的壟斷地位。

DRAM是“吞金獸”
自70年代初發(fā)明CMOS技術(shù)以來，半導(dǎo)體工業(yè)從理論上己無多大突破，所以就非常明顯的依賴制造技術(shù)。
在摩爾定律指引下，半導(dǎo)體工業(yè)的進(jìn)步，除了技術(shù)及材料之外，主要體現(xiàn)在兩個(gè)方面：不斷地縮小特征尺寸及使用大直徑的硅片。目前特征尺寸已達(dá)90nm量產(chǎn)；12英寸硅片也已占硅片總產(chǎn)能的15%，但要真正成為主流，性價(jià)比與8英寸硅片相匹敵，尚需時(shí)日。不管如何，無論從存儲(chǔ)器的每一位成本或者CPU中每萬個(gè)晶體管的制造成本，幾乎還是每18~24個(gè)月降低一半，推動(dòng)半導(dǎo)體工業(yè)的進(jìn)展。目前還不能把半導(dǎo)體與鋼鐵、汽車等全球成熟工業(yè)相提并論。
半導(dǎo)體工業(yè)依賴制造技術(shù)，而半導(dǎo)體工業(yè)已經(jīng)發(fā)展到“設(shè)備固化了技術(shù)”的階段,即買到先進(jìn)的設(shè)備，就能保證實(shí)現(xiàn)某類先進(jìn)的工藝技術(shù)。因此在一定程度上誰能購買最先進(jìn)的設(shè)備就能在工藝技術(shù)中領(lǐng)先。因此，排在全球首位的半導(dǎo)體廠，必須有資金實(shí)力，能持續(xù)不斷地投入，否則就很難始終保持領(lǐng)先。表2為2003~2004年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)各地區(qū)資本支出成長與所占比例。
全球DRAM的市場競爭尤為劇烈，呈現(xiàn)壟斷化。DRAM有自身獨(dú)特的規(guī)律，在設(shè)計(jì)中矛盾并不突出，只要工藝技術(shù)過關(guān)，管理水平到位，主要矛盾就在于拼成本。就是說，在一個(gè)8英寸或者12英寸圓片上，能容納多少個(gè)256MDRAM的芯片。如Samsung及Infineon等已投入0.11微米的DRAM生產(chǎn)，因此0.13或者0.15微米的性價(jià)比肯定不行。另外，Samsung等正大力建12英寸新DRAM生產(chǎn)線。如果12英寸的技術(shù)及工藝水平能達(dá)到與8英寸同等，則從12英寸中產(chǎn)出的DRAM成本肯定更便宜。所以DRAM的競爭特點(diǎn)是采用最先進(jìn)的工藝設(shè)備及盡可能地采用更大直徑的硅片。由此表明，在DRAM的競爭中，很大程度上取決于資金實(shí)力?？v觀近幾年在DRAM市場爭得首席的Samsung的動(dòng)作，就能充分證實(shí)這個(gè)觀點(diǎn)。

0.11微米DRAM己成主流
目前三星的所有產(chǎn)能中，有48%的產(chǎn)出來自0.11微米制程，49%來自0.10微米制程，意即目前Samsung幾乎全數(shù)產(chǎn)出來自0.11微米以下制程。此外，Samsung也開始使用90納米制程技術(shù)試產(chǎn)NAND Flash，但尚未量產(chǎn)。
美光和英飛凌在第二季時(shí)，也都因?yàn)?.11微米制程轉(zhuǎn)換不順，影響產(chǎn)出，但目前2家業(yè)者0.11微米制程良率均已大幅提升，且都開始大量投片。美光現(xiàn)階段在標(biāo)準(zhǔn)型DRAM部分，約有70％的產(chǎn)出是以0.11微米制程為主，而英飛凌也有約70％產(chǎn)出是采用0.11微米制程。英飛凌預(yù)計(jì)到年底時(shí)0.11微米制程產(chǎn)出比重將提升至80％。
　隨著國際DRAM大廠走過0.11微米制程轉(zhuǎn)換障礙，目前情況可說是柳暗花明。但反觀中國臺(tái)灣DRAM業(yè)者在0.11微米制程進(jìn)度，則相對(duì)落后不少，臺(tái)廠現(xiàn)階段主流制程仍停留在0.14/0.13微米制程，0.11微米制程良率雖正逐步提升，但仍處于苦苦追趕階段。表3為全球主要DRAM大廠采用0.11微米制程的發(fā)展現(xiàn)狀。
DRAM戰(zhàn)在亞洲
由于全球在DRAM技術(shù)方面差異不大，所以競爭的焦點(diǎn)轉(zhuǎn)向拼投資強(qiáng)度，即采用最先進(jìn)的工藝設(shè)備，或者擴(kuò)大12英寸硅片產(chǎn)能。在這樣的思維指導(dǎo)下，韓國，中國臺(tái)灣及日本在DRAM方面的競爭加劇。
目前韓國占先，其中Samsung一家就占全球DRAM的近1/3市場份額，而且穩(wěn)居第一，獨(dú)霸天下。日本原先為全球DRAM的老大，后被韓國超過之后，有點(diǎn)消沉。近幾年通過改組，分別成立了Renesas及Elpida后稍有起色。目前方針非常清楚，專注高檔DRAM產(chǎn)品，將大部分低檔產(chǎn)品分包給中國臺(tái)灣及中國大陸。中國臺(tái)灣在DRAM方面是老三。然而由于中國臺(tái)灣在資金方面充裕，加上其總想在IT領(lǐng)域與韓國爭個(gè)高低。所以近期正在DRAM方面展開反擊戰(zhàn)，形勢咄咄逼人。
臺(tái)灣廠商投資手筆亦是空前絕后，其中力晶投資額預(yù)計(jì)為21億美元，茂德投資金額約達(dá)45億美元，南亞科則預(yù)計(jì)投資約22億美元，華邦投資金額約15億美元，總量達(dá)103億美元。
至于一直以來對(duì)投資始終領(lǐng)先的Samsung，更是進(jìn)一步加碼投資。該公司在2004年7月將2004年度的設(shè)備投資額調(diào)高到8.94兆韓元(約76.8億美元)，而增加的1兆韓元預(yù)算，多半用來增產(chǎn)DRAM。預(yù)料2005年該公司的投資腳步仍不會(huì)中斷。
而日本僅存的DRAM供應(yīng)商Elpida，在2004年6月中宣布要在3年內(nèi)投資5,000億日元，打造全球最大的DRAM生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)，月產(chǎn)能達(dá)6萬片。Elpida預(yù)言，5年內(nèi)全球DARM市場版圖，僅將由2~3家大廠均分天下。

Hynix與STMicron聯(lián)手在中國建DRAM生產(chǎn)廠
據(jù)報(bào)道，韓國Hynix欲聯(lián)手STMicron在中國建DRAM生產(chǎn)廠。這是中國大陸第一個(gè)DRAM生產(chǎn)工廠，之前只是SMIC等代工做DRAM芯片。從披露的消息看，總投資達(dá)20億美元，其中Hynix和STMicron各出資5億美元，而從中國銀行系統(tǒng)貸款10億美元。計(jì)劃先建一個(gè)8英寸廠，然后按需再建一個(gè)12英寸廠。
敢于第一次嘗試在中國大陸土地上建DRAM廠，需要有一定的魄力。眾所周知，全球DRAM呈壟斷態(tài)勢，韓國的Samsung有點(diǎn)Intel的霸氣。加上日本及中國臺(tái)灣最近都正在加大DRAM的投入，而且投資手筆之大，令人驚奇不己。在這樣的背景下，Hynix自身技術(shù)水準(zhǔn)也僅二流，而且也缺乏資金。如果僅依靠中國政府的資金支持，開初或許還能咬咬牙，之后要連續(xù)高強(qiáng)度的支持，恐怕是一個(gè)問號(hào)。孰兇孰吉，將拭目以待。

結(jié)語
全球半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展在創(chuàng)新方面(如fabless公司等)，毫無疑問，美國領(lǐng)先。在近600家可以排得上名的公司之中，美國占475家；然而在DRAM生產(chǎn)中，美國僅保留一家，Micron全球第二。所以全球DRAM的戰(zhàn)事，不可避免的在亞洲將首先興起。戰(zhàn)事的結(jié)果決定于誰敢于冒更大的風(fēng)險(xiǎn)，拼投資強(qiáng)度。從長遠(yuǎn)發(fā)展趨勢看，象DRAM這種制造技術(shù)優(yōu)先的產(chǎn)品，將來肯定是韓國及中國臺(tái)灣的天下。中國欲聯(lián)手Hynix及STMicron進(jìn)軍DRAM市場，形勢比較嚴(yán)峻。因?yàn)镈RAM是富人俱樂部。