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多合一功率器件進(jìn)展

作者:飛利浦半導(dǎo)體市場(chǎng)經(jīng)理 David Sharples 時(shí)間:2005-03-14 來(lái)源: 收藏

2004年10月A版

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/4614.htm

除了少部分其他應(yīng)用之外, 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)在功率管理系統(tǒng)中幾乎都用作開(kāi)關(guān)。這種應(yīng)用引發(fā)了大量的MOSFET技術(shù)創(chuàng)新,并為滿足應(yīng)用的需要推出種類繁多的產(chǎn)品。在這段時(shí)間內(nèi),MOSFET已經(jīng)從一種簡(jiǎn)單、容易操作的電壓驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)發(fā)展成為了一種復(fù)雜的開(kāi)關(guān)器件;  而這也導(dǎo)致功率電路設(shè)計(jì)人員轉(zhuǎn)變成為元器件工程師。如今的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在幫助設(shè)計(jì)人員回歸到設(shè)計(jì)上來(lái),因?yàn)樵S多元器件是由控制集成電路芯片和一個(gè)或更多的功率器件組合而成的, 它們證明,二合一方案實(shí)際上是非??尚械?。
二合一
制造“二合一”器件是一回事,而要取得商業(yè)上的成功,就必須要能給客戶帶來(lái)非常明顯的利益,這一點(diǎn)對(duì)客戶而言非常明顯?!岸弦弧奔煞桨傅闹饕獌?yōu)點(diǎn)包括以下5個(gè)方面:更快的開(kāi)關(guān);更高的頻率;更低的功耗;元件數(shù)量;操作便利。
本文將詳細(xì)討論這些方面,并輔以實(shí)例說(shuō)明飛利浦產(chǎn)品如何實(shí)現(xiàn)這些優(yōu)異性能。

更快地開(kāi)關(guān)
MOSFET技術(shù)的發(fā)展已經(jīng)到了開(kāi)關(guān)次數(shù)經(jīng)常會(huì)被功率器件中的焊接線、器件腳長(zhǎng)和器件附近的PCB印制線所限的程度了。過(guò)去的五年中,技術(shù)進(jìn)步已經(jīng)使該產(chǎn)業(yè)達(dá)到哪怕是幾nH的寄生電感變化都會(huì)極大地影響電路性能的地步,這種進(jìn)步的確是不同凡響。在這種應(yīng)用當(dāng)中,寄生阻抗會(huì)引發(fā)各種各樣的電磁兼容(EMC)問(wèn)題,因此布局成了決定電路性能的一個(gè)關(guān)鍵因素。所以,集成為這種應(yīng)用所帶來(lái)的好處是顯而易見(jiàn)的:即可在穩(wěn)定和可控制的環(huán)境中極大降低阻抗。
如飛利浦最近發(fā)布的PIP401或操作智能開(kāi)關(guān)(ORIS),它明確表明了二合一結(jié)構(gòu)能夠達(dá)到傳統(tǒng)組件無(wú)法達(dá)到的性能水平。在這類應(yīng)用中,MOSFET替代了肖特基二極管,因?yàn)檫@樣能夠讓功耗大大降低。然而,使用MOSFET所帶來(lái)的一個(gè)問(wèn)題是你需要在故障發(fā)生時(shí)進(jìn)行檢測(cè),并將它迅速而徹底地關(guān)閉。這樣的檢測(cè)與驅(qū)動(dòng)電路很難用傳統(tǒng)組件制造出來(lái),然而用像PIP401這樣的集成器件,問(wèn)題就很好解決了。
PIP401在功率管理器件的發(fā)展中,是一個(gè)再簡(jiǎn)單不過(guò)的概念,然而它的確具有里程碑式的意義:一個(gè)兩芯片器件,即在25mm2的MOSFET上運(yùn)用芯片堆疊(Chip-on-Chip)技術(shù)安裝的傳感器驅(qū)動(dòng)器IC 。它對(duì)于開(kāi)關(guān)的好處最明顯地表現(xiàn)在圖1左上角的短焊接線上。這種2mm長(zhǎng)的焊接線意味著驅(qū)動(dòng)器和MOSFET柵極之間的電感將比使用傳統(tǒng)IC 和分立器件的電感低10到20倍。與現(xiàn)行的解決方案相比,這樣低的電感能使開(kāi)關(guān)時(shí)間縮短50-70%。在或操作的應(yīng)用中,這個(gè)差別顯得尤為重要,因?yàn)樗鼪Q定了你的網(wǎng)絡(luò)是否會(huì)掉線。

更高的頻率
一般說(shuō)來(lái),功率器件在開(kāi)關(guān)速度上的突破往往會(huì)促使電路設(shè)計(jì)人員考慮以更高頻率開(kāi)關(guān)的應(yīng)用,使電感器尺寸更小,電容器數(shù)量更少。功率管理解決方案的未來(lái)發(fā)展是和集成與控制功能,功率開(kāi)關(guān)器件的發(fā)展休戚相關(guān)的。當(dāng)今達(dá)到的發(fā)展水平,是開(kāi)關(guān)頻率超過(guò)1MHz的50W+電源已經(jīng)投入商用。功率管理器件在更高頻率運(yùn)行的主要原因是尺寸更小,動(dòng)態(tài)響應(yīng)更快和無(wú)源元件數(shù)目更少。這些都導(dǎo)致電阻元件的減少,并進(jìn)一步減少系統(tǒng)損耗,這一點(diǎn)我們下面將要進(jìn)行介紹。

更低的功耗
對(duì)于功率器件而言, 基本的性能度量是瓦特?cái)?shù)。根據(jù)應(yīng)用的要求,可以使用器件耗散的總瓦特?cái)?shù)或者其他一些設(shè)定的指標(biāo)(例如,瓦特?cái)?shù)/立方英寸、每瓦特升高攝氏度、雪崩吸收瓦特?cái)?shù))。近幾年來(lái),低壓(<200V)應(yīng)用從溝道技術(shù)(Trench Technology)中獲益不少,在這個(gè)發(fā)展過(guò)程中,MOSFET經(jīng)歷了從簡(jiǎn)單的電阻開(kāi)關(guān)到具有復(fù)雜損耗且非常依賴于柵驅(qū)動(dòng)的器件的轉(zhuǎn)變。而其性能上更進(jìn)一步的改善只能是讓器件去控制驅(qū)動(dòng)器輸出、MOSFET柵、源到返回路徑之間的回路。這種好處可以從飛利浦PIP2xx系列產(chǎn)品上表現(xiàn)出來(lái)。這些器件是集成的降壓轉(zhuǎn)換器組件,包含一塊驅(qū)動(dòng)器IC,一個(gè)高端的MOSFET和低端MOSFET以及并聯(lián)的肖特基二極管。
在高效率功率電子系統(tǒng)(即>90%)中,由于元器件間的干擾對(duì)系統(tǒng)性能有很大影響,功率半導(dǎo)體器件的性能是不能與無(wú)源器件截然分開(kāi)的。像PIP2xx系列這樣的集成組件不僅降低了兩種器件的損耗,而且消除了對(duì)于布局有關(guān)的寄生阻抗的靈敏性,提高了穩(wěn)定性。

元器件數(shù)量
隨著電子元器件質(zhì)量的提高,與元器件本身相比,電路的可靠性受到焊接點(diǎn)的限制影響更大?,F(xiàn)在,在功率系統(tǒng)中,半導(dǎo)體是最為可靠的元件之一,系統(tǒng)的可靠性更多地取決于元器件的數(shù)量而不是別的因素。減少元器件數(shù)量還能明顯地降低擁有成本(組裝速度更快,設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)單,材料清單減少,存貨減少),同時(shí)集成功率器件還能提高可靠性。在電子學(xué)中有這樣一條原理,即可靠性與溫度的升高成反比,因此,功率部分通常是整個(gè)復(fù)雜電子系統(tǒng)當(dāng)中最脆弱的部分。
例如,近年來(lái)功率器件成長(zhǎng)最快的市場(chǎng)之一是汽車市場(chǎng)。這種增長(zhǎng)是由電子機(jī)械開(kāi)關(guān)過(guò)渡到純電子開(kāi)關(guān)的趨勢(shì)所快速拉動(dòng)的。汽車市場(chǎng)與其他任何市場(chǎng)相比更注重可靠性,因?yàn)榧词乖俚偷墓收下室部赡軐?dǎo)致產(chǎn)品召回,這會(huì)使整個(gè)汽車行業(yè)一次就損失1億美元。
汽車應(yīng)用可以分成兩個(gè)大的范疇:汽車動(dòng)態(tài)系統(tǒng)(如 ABS,PAS)和車身控制(如車門、反光鏡、車燈、座椅), 這兩方面都從集成功率器件當(dāng)中獲益匪淺,其中一個(gè)例子就是“五合一”飛利浦BUK3F20器件,如圖3。
該元器件配置了一塊控制IC ,直接和數(shù)據(jù)總線連接,將下列四種可能的配置信號(hào)轉(zhuǎn)換成適當(dāng)?shù)尿?qū)動(dòng)信號(hào):全橋;2x半橋;半橋+2x單信道;4x單信道。
上述產(chǎn)品組裝時(shí)采用了現(xiàn)行的多島IC封裝技術(shù),是車身控制中常見(jiàn)的低電流應(yīng)用的理想選擇。電流更強(qiáng)時(shí)則需要采用防熱封裝。在汽車系統(tǒng)中使用這種產(chǎn)品可以減少高達(dá)80%的關(guān)鍵器件數(shù)量。


圖1  “二合一” PIP401 ORIS器件-集成驅(qū)動(dòng)IC和功率MOSFET


圖2  “四合一”,四芯片PIP202-12M內(nèi)部構(gòu)造和應(yīng)用電路

圖3  “五合一”接口&控制IC與四功率MOSFET

操作便利
近30多年來(lái)電子設(shè)計(jì)業(yè)內(nèi)的一貫情形是,在復(fù)雜系統(tǒng)中,最后才考慮電源。業(yè)界已經(jīng)認(rèn)識(shí)到功率管理是最重要的市場(chǎng)組成部分,然而這卻未能改變現(xiàn)狀,設(shè)計(jì)人員還是在項(xiàng)目接近尾聲時(shí)才著手解決這個(gè)問(wèn)題。僅僅由于這個(gè)原因,為設(shè)計(jì)人員提供現(xiàn)成的解決方案也總是會(huì)贏得客戶的青睞。很多產(chǎn)品賣出去并不是因?yàn)樗鼈兙哂幸涣鞯墓β式鉀Q方案,客戶常常對(duì)產(chǎn)品性能有最基本的要求,然后是操作簡(jiǎn)便和價(jià)格合理。很少有人愿意多花10%的錢來(lái)購(gòu)買節(jié)能10%的電子產(chǎn)品。
請(qǐng)考慮一下負(fù)載點(diǎn)功率的最新發(fā)展。在過(guò)去的25年中,許多電子系統(tǒng)采用的基本功率結(jié)構(gòu)幾乎沒(méi)有任何變化:電源設(shè)備把交流電轉(zhuǎn)換成一個(gè)(通常是5V)或兩個(gè)(5V和12V)直流電輸出,再通過(guò)本地轉(zhuǎn)換得到所需要的電壓。以前,盡管有更好的開(kāi)關(guān)解決方案,但使用線性穩(wěn)壓器進(jìn)行這種本地電壓轉(zhuǎn)換已經(jīng)綽綽有余。然而,隨著所需電流量有所增加,加之許多系統(tǒng)必須在功率預(yù)算內(nèi)運(yùn)行,促進(jìn)了開(kāi)關(guān)解決方案的興起。開(kāi)關(guān)解決方案的問(wèn)題是,它們事實(shí)上只是很小的電源方案,由輸入和輸出電容器、電感器、脈寬調(diào)制、驅(qū)動(dòng)器和MOSFET組成。客戶還可以選擇從電源公司購(gòu)買全套的負(fù)載點(diǎn)模塊或是自己設(shè)計(jì)電路板。與模塊解決方案比,采用集成半導(dǎo)體器件進(jìn)行電路板設(shè)計(jì)速度更快,成本更低,因此往往是他們的最佳選擇。
飛利浦的PIP250M就屬于這種器件。如果配置了PIP250M,就不再需要對(duì)一系列元件組合進(jìn)行測(cè)試以選擇最合適的,也不再需要下功夫解決PWM 和MOSFET莫名其妙的相互作用問(wèn)題,潛心苦學(xué)布局的重要性,或是花費(fèi)一大筆錢購(gòu)買一個(gè)完整模塊。有了PIP250M就一切都有了。這樣不僅器件使用容易,而且頻率為300kHz時(shí)最高效率還能達(dá)到 96%, 因此性能也極佳。
PIP250M內(nèi)部構(gòu)造和圖2所示PIP202-12M的一模一樣:一個(gè)封裝中有4個(gè)芯片。 這樣劃分可以最有效地利用TrenchMOS技術(shù)和IC功能各自的進(jìn)展。如圖5所示,整個(gè)解決方案僅需要外加幾個(gè)元件,免費(fèi)設(shè)計(jì)手冊(cè)中有詳細(xì)描述。這種類型的器件從技術(shù)上來(lái)講可以獲得一站式購(gòu)買服務(wù)??蛻粲龅诫y題不再孤立無(wú)援,問(wèn)題可能就出在控制IC、MOSFET 或者布局上。

結(jié)語(yǔ)
將模擬或數(shù)字功能集成到電流或電壓功率器件上絕非輕而易舉,潛在廠商需要技術(shù)投資和具有專業(yè)應(yīng)用知識(shí)。這種產(chǎn)品必須能給客戶帶來(lái)大量實(shí)實(shí)在在的利益。上文提到過(guò),這些利益大致分為五種,所有這些都能減輕功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員的負(fù)擔(dān)。
集成器件利用昂貴的功率IC 工藝或者新的封裝技術(shù)并沒(méi)有規(guī)模經(jīng)濟(jì)效應(yīng)。因此,任何將智能與功率處理結(jié)合在一起的器件,成本都會(huì)高于IC和分立器件的傳統(tǒng)劃分。節(jié)約原料成本并不是推動(dòng)集成功率設(shè)器件發(fā)展的原因!實(shí)力雄厚的提供商,如飛利浦,會(huì)繼續(xù)提供用于大多數(shù)應(yīng)用的傳統(tǒng)分立器件和IC產(chǎn)品 ,但是,隨著客戶所得利益逐漸明顯,集成器件市場(chǎng)的增長(zhǎng)速度會(huì)達(dá)到功率市場(chǎng)的兩倍。
飛利浦的功率器件方案是盡可能多的使用傳統(tǒng)技術(shù),因?yàn)楣β使芾淼某杀竟芾碚兊弥陵P(guān)重要。因此,飛利浦通過(guò)各種方式證明二合一的確可行。擁有這種構(gòu)造的器件能避免控制器和功率開(kāi)關(guān)之間分立解決方案中常見(jiàn)的布局問(wèn)題。 將控制IC 和 MOSFET開(kāi)關(guān)置于一個(gè)封裝中,能優(yōu)化柵驅(qū)動(dòng)器和轉(zhuǎn)換器,大量減少損耗。在本例中,損耗可以降低到能使用標(biāo)準(zhǔn)多島IC 封裝的程度,器件成本就可以得到控制。對(duì)于消耗1 W到2 W 的器件來(lái)說(shuō),IC 封裝比較有效。但是隨著耗能的增加,封裝技術(shù)也要不斷改進(jìn)。



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