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東芝財報風(fēng)波長期恐將損及NAND事業(yè)

  • 　　東芝(Toshiba)財報不實(shí)風(fēng)波雖未涉及目前東芝利潤最高的NAND快閃存儲器部門，但日媒體日經(jīng)Tech-On訪問日本半導(dǎo)體界人士，卻表示長期終將損害快閃存儲器產(chǎn)品競爭力。 　　目前東芝半導(dǎo)體事業(yè)主力NAND存儲器產(chǎn)品，由于移動裝置需求持續(xù)成長，銷售量不斷增大，為日本少數(shù)仍名列前茅且具世界競爭力的半導(dǎo)體產(chǎn)品;但這項(xiàng)產(chǎn)品需要大量資金持續(xù)投資才能保持領(lǐng)先，受企業(yè)財務(wù)狀況影響比其他半導(dǎo)體產(chǎn)品更大。 　　現(xiàn)在東芝碰上財務(wù)問題，對NAND快閃存儲器的投資必然受到影響，雖說新社長室町正志出身半導(dǎo)體事業(yè)，對這個
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FinFET/3D NAND前景亮　推升半導(dǎo)體設(shè)備需求

  • 　　鰭式電晶體(FinFET)與3D NAND有助實(shí)現(xiàn)更高運(yùn)算/儲存效能、低耗電量與低成本，滿足車載裝置、物聯(lián)網(wǎng)和穿戴式裝置發(fā)展需求，因此半導(dǎo)體設(shè)備商應(yīng)用材料(Applied Materials)看好FinFET與3D NAND飛躍增長的潛力，已研發(fā)相關(guān)的蝕刻機(jī)臺和磊晶技術(shù)。 　　應(yīng)用材料副總裁兼臺灣區(qū)總裁余定陸指出，隨著先進(jìn)制程發(fā)展，該公司產(chǎn)品開發(fā)有兩大重點(diǎn)方向，一是電晶體與導(dǎo)線技術(shù)，另一個是圖形制作與檢測技術(shù)。 　　應(yīng)用材料副總裁兼臺灣區(qū)總裁余定陸表示，從28奈米到20奈米，甚至發(fā)展至16/14奈
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美光2016 資本支出大增至53億美元，市場冷淡

  • 　　內(nèi)存大廠美光 14 日舉辦 2015 年夏季分析師會議(Analyst Conference)，會中宣布 2016 會計年度資本支出將增加為 53 億至 58 億美元，但盡管美光砸錢拚研發(fā)與產(chǎn)能，市場似乎對內(nèi)存前景不具信心，當(dāng)日股價仍小跌了 4%、77分美元，收在 16.93 美元。 　　美光財務(wù)長 Ernie Maddock 在會中公布 2016 會計年度的資本支出將達(dá) 53 億至 58 億美元。反觀即將在本月底結(jié)束的 2015 年會計年度，資本支出僅介于 36 億美元至 40 億美元，再往回推至
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不同產(chǎn)品策略影響NAND供應(yīng)商營收表現(xiàn)

  • 　　TrendForce旗下記憶儲存事業(yè)處DRAMeXchange觀察指出，2015年第二季由于NAND Flash業(yè)者對eMMC/eMCP、固態(tài)硬碟與產(chǎn)品策略的不同，營收、利潤等的各項(xiàng)營運(yùn)指標(biāo)也有不一樣的的呈現(xiàn)。各家業(yè)者除了加快15/16奈米與TLC導(dǎo)入eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟等嵌入產(chǎn)品外，除了三星(Samsung)以外NAND Flash業(yè)者的3D-NAND Flash，也預(yù)期陸續(xù)自今年第四季開始小量生產(chǎn)。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，受到整體經(jīng)濟(jì)環(huán)境沖擊，智慧型手機(jī)、平板電
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不同產(chǎn)品策略影響NAND供應(yīng)商營收表現(xiàn)

  • 　　TrendForce旗下記憶儲存事業(yè)處DRAMeXchange觀察指出，2015年第二季由于NAND Flash業(yè)者對eMMC/eMCP、固態(tài)硬碟與產(chǎn)品策略的不同，營收、利潤等的各項(xiàng)營運(yùn)指標(biāo)也有不一樣的的呈現(xiàn)。各家業(yè)者除了加快15/16奈米與TLC導(dǎo)入eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟等嵌入產(chǎn)品外，除了三星(Samsung)以外NAND Flash業(yè)者的3D-NAND Flash，也預(yù)期陸續(xù)自今年第四季開始小量生產(chǎn)。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，受到整體經(jīng)濟(jì)環(huán)境沖擊，智慧型手機(jī)、平板電
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NAND閃存走向發(fā)展死胡同？

  • NAND閃存技術(shù)進(jìn)入發(fā)展的死胡同，工程師開始集中開發(fā)3D NAND
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全球新式存儲器大戰(zhàn)　臺控制芯片廠不缺席

  • 　　美光(Micron)與英特爾(Intel)合作非揮發(fā)性存儲器(NVM)新技術(shù)3D XPoint，可取代既有DRAM和NAND Flash芯片，業(yè)界傳出該技術(shù)不僅將導(dǎo)入固態(tài)硬碟(SSD)，臺系NAND Flash控制芯片業(yè)者慧榮更已加入3D XPoint計劃，成為首家控制芯片供應(yīng)商，2016年搶先導(dǎo)入SSD。不過，相關(guān)消息仍待慧榮正式對外宣布。 　　存儲器業(yè)者表示，包括美光和英特爾的IM Flash陣營對于3D XPoint技術(shù)并未揭露太多資訊，業(yè)界推測可能是一種稱為可變電阻式存儲器(ReRAM)的新
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海力士拼獲利，3D NAND快閃存儲器9月量產(chǎn)出貨

  • 　　南韓記憶體大廠SK 海力士周二宣布加入三星、東芝與美光等強(qiáng)敵之列，其3D NAND 快閃記憶體第三季將正式進(jìn)入量產(chǎn)階段，預(yù)計9月開始對客戶出貨。 　　快閃記憶體量產(chǎn)在2D平面微縮制程已遭遇瓶頸，因此走向3D立體堆疊已是大勢所趨。據(jù)日經(jīng)新聞報導(dǎo)，海力士將優(yōu)先推出固態(tài)硬碟(SSD)用36層記憶體晶片試市場水溫后，48層產(chǎn)品明年才會投產(chǎn)。 海力士(SK Hynix)上周公布第二季財報遜于預(yù)期，受PC用DRAM需求低迷影響，當(dāng)季營業(yè)利潤僅1.37兆韓圜，低于分析師預(yù)估的1.44兆韓圜。 由于PC本季市況依舊
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全SSD儲存時代正式來臨，充分發(fā)揮NAND架構(gòu)優(yōu)勢

  • 　　幾年前，SSD以其穩(wěn)定、快速，不怕震動的特性，前進(jìn)PC產(chǎn)業(yè)的儲存市場，獲得許多電腦玩家的青睞。只不過，當(dāng)時SSD與HDD每GB的價格，換算下來仍有一段不小的價差。而現(xiàn)在，隨著成本更低廉的TLC架構(gòu)問世，SSD在價格方面已經(jīng)逼近傳統(tǒng)HDD。挾著NAND Flash穩(wěn)定、高速、低耗能的優(yōu)勢特色，SSD不只在PC市場快速普及，下一步更將前進(jìn)資料中心、數(shù)位看板、POS機(jī)等商用市場。 　　SanDisk：SSD全面進(jìn)占資料中心 　　當(dāng)云端應(yīng)用已經(jīng)成為重要產(chǎn)業(yè)趨勢，相關(guān)的基礎(chǔ)設(shè)備趕上這樣的趨勢，也成為了一種必
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走進(jìn)三星半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線：打造綠色經(jīng)營系統(tǒng)

  • 　　陜西西安的三星(中國)半導(dǎo)體有限公司剛成立不久，公司園區(qū)內(nèi)部假山流水，綠樹成蔭，人工湖內(nèi)魚兒游來游去。這里生產(chǎn)世界最先進(jìn)技術(shù)的產(chǎn)品——10納米級NAND 閃存芯片(V-NAND)。 　　對三星半導(dǎo)體來說，引導(dǎo)社會未來發(fā)展的不僅僅是生產(chǎn)全球最先進(jìn)的產(chǎn)品，同時也包括在環(huán)保方面打造世界最高水平的綠色經(jīng)營系統(tǒng)(G-EHS)。 　　形成半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈 　　三星半導(dǎo)體工廠所在的地方，原本是空曠的野外，現(xiàn)正在變成發(fā)達(dá)的電子產(chǎn)業(yè)基地。 　　西安是三星電子海外芯片生產(chǎn)線投資規(guī)模最大的一個
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傳三星出手 搶iPhone6S NAND Flash訂單

  • 三星發(fā)展半導(dǎo)體事業(yè)，看上蘋果搖錢樹，拼盡全力狂搶訂單。
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三星電子以3D V-NAND主宰SSD版圖生態(tài)

  • 　　2015年固態(tài)硬碟(SSD)市場中的3D V-NAND占比達(dá)10%，為當(dāng)初預(yù)期的3倍以上，預(yù)料到了2016年，占比將進(jìn)一步提升至40%，三星電子(Samsung Electronics)將成市場最大贏家。 　　據(jù)韓媒Money Today報導(dǎo)，逐漸取代傳統(tǒng)硬碟(HDD)的SSD，發(fā)展重心開始愈來愈偏向3D V-NAND。三星2013年領(lǐng)先全球率先推出3D V-NAND后，目前仍然是唯一量產(chǎn)3D V-NAND業(yè)者。 　　據(jù)市調(diào)業(yè)者IHS iSuppli統(tǒng)計資料，如果以數(shù)量而言，2015年企業(yè)用SSD
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平面架構(gòu)1x納米NAND揭密！

  • 　　過去的一年半以來，主要NAND快閃記憶體制造商已經(jīng)開始銷售1x奈米等級的平面快閃記憶體;根據(jù)我們調(diào)查開放市場上所銷售元件的供應(yīng)來源，美光(Micron)是從2014年2月開始供應(yīng)1x奈米元件的第一家記憶體廠商，隨后是在同年10月推出產(chǎn)品的SK海力士(Hynix)。在近六個月之后，TechInsights實(shí)驗(yàn)室才出現(xiàn)三星(Samsung) 16奈米與東芝(Toshiba) 15奈米產(chǎn)品。 　　針對平面NAND快閃記憶體的微影尺寸終點(diǎn)，在文獻(xiàn)中已經(jīng)有很多討論;其替代方案是垂直堆疊式的快閃記憶體，例如三星
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東芝、宜鼎搶進(jìn)NAND Flash儲存陣列商機(jī)

  • 　　宜鼎和東芝成立臺灣首家進(jìn)軍快閃存儲器陣列的供應(yīng)商，分食云端儲存商機(jī)。李建梁攝東芝(Toshiba)、美超微(Supermicro)、宜鼎國際臺美日聯(lián)手炒熱云端儲存商機(jī)，三大廠力拱的快閃存儲器儲存陣列(NAND Flash Array)公司捷鼎國際(AccelStor)即將在周四(25日)首次舉行“高速資料儲存新疆界：AccelStor NeoSapphire快閃存儲器儲存陣列與企業(yè)應(yīng)用解決方案”研討會，邀請中華電信董事長蔡力行親自出馬，為捷鼎提出的NAND Flash陣列解決方
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蘋果要用？三星西安半導(dǎo)體工廠傳擴(kuò)產(chǎn) 50%

  • 　　南韓媒體中央日報日文版 19 日報導(dǎo)，因固態(tài)硬碟(SSD)需求提振 3D 架構(gòu)的 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory)需求呈現(xiàn)急速增長，故三星電子(Samsung)計劃把生產(chǎn) 3D NAND 的中國西安半導(dǎo)體工廠產(chǎn)量較現(xiàn)行擴(kuò)增 50%。報導(dǎo)指出，據(jù)熟知三星事務(wù)的關(guān)系人士透露，目前三星西安工廠晶圓月產(chǎn)量為 4-5 萬片，而三星計劃于今年內(nèi)將其產(chǎn)量提高 5 成(增加 2 萬片)至 6-7 萬片。 　　據(jù) 報導(dǎo)，三星于去年 5 月開始量產(chǎn) 3D NAND，為目前唯一導(dǎo)入量產(chǎn)的廠商，且三星計劃
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