功率文章進(jìn)入功率技術(shù)社區(qū)

歐洲數(shù)字系統(tǒng)芯片功率泄漏控制項(xiàng)目

來自歐洲7個(gè)國家的14家高等學(xué)府和科研院所組成的研發(fā)聯(lián)盟日前啟動一個(gè)旨在通過解決65nm節(jié)點(diǎn)以下CMOS制造工藝中的功率泄漏問題來改進(jìn)下一代系統(tǒng)芯片設(shè)計(jì)的開發(fā)項(xiàng)目。根據(jù)IST第六框架計(jì)劃的“納電子”戰(zhàn)略目標(biāo)，歐洲委員會為這個(gè)名為CLEAN (控制NanoCMOS系統(tǒng)芯片泄漏功率)的項(xiàng)目提供了450萬歐元的贊助費(fèi)。在線寬大于0.1微米的微電子電路中，與晶體管泄漏電流相比，計(jì)算、通信和存儲操作造成的動態(tài)功耗是芯片功耗的主體。因此，直到今天，在沒超過這個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的芯片設(shè)計(jì)和開發(fā)過程中，泄漏電流控制并
關(guān)鍵字：功率歐洲數(shù)字系統(tǒng) 項(xiàng)目泄漏控制芯片

歐盟對抗功率難題納米級芯片欲破瓶頸

　近日，研發(fā)人員在開發(fā)納米級芯片時(shí)遇到的重大難題——功率泄漏（power leakage），看起來有了福音。為了解決這一瓶頸問題，歐盟向某一研發(fā)團(tuán)體協(xié)會資助550萬美元以解決這一難題。　　該協(xié)會的主要成員STMicroelectronics在當(dāng)?shù)貢r(shí)間周二（北京時(shí)間周三）發(fā)布的一份聲明中稱，該協(xié)會的研發(fā)項(xiàng)目旨在改進(jìn)下一代芯片系統(tǒng)半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)，解決65納米及其以下納米CMOS出現(xiàn)功率泄漏的問題。　　據(jù)悉，該項(xiàng)稱為CLEAN的計(jì)劃將得到歐盟第六次框架項(xiàng)目下納米電子計(jì)劃的資助。功率泄漏
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利用射頻功率檢測器和高效切換器增強(qiáng)CDMA PA功率

高數(shù)據(jù)速率的需求推動著移動通信系統(tǒng)從 2G 向 3G 遷移。這些系統(tǒng)中更高的數(shù)據(jù)速率為移動電話射頻設(shè)計(jì)增加了更多的性能和規(guī)格要求。
關(guān)鍵字：功率增強(qiáng) CDMA 切換器 PA 高效射頻檢測利用

一種新穎的電流臨界導(dǎo)通的功率因數(shù)校正芯片的研究

介紹了一種新穎的電流臨界導(dǎo)通（DCMboundary）的功率因數(shù)校正（PFC）芯片。它的主要特點(diǎn)是提高了高電壓輸入時(shí)的功率因數(shù)，減少了輸入電流的總的諧波含量（THD）
關(guān)鍵字：校正芯片研究因數(shù) 功率電流臨界新穎

利用升壓三極管獲取更多功率的方法

　　本設(shè)計(jì)實(shí)例采用的6L6束射功率管盡管已經(jīng)存在了66年，現(xiàn)仍然十分流行地應(yīng)用于電吉他放大器中，與其同類的6CA7 (EL34)功率五極管也是高保真音響"發(fā)燒友"之所愛。這些電子管的開發(fā)人員將它們設(shè)計(jì)得以五極管模式工作，而在這種模式下它們能夠輸出最大的音頻功率。另一方面，許多高保真音響愛好者更喜歡以三極管模式工作，而且直到現(xiàn)在也不得不將輸出功率降低50%。輸出功率降低意味著他們需要更大的電源和兩倍數(shù)量的昂貴電子管來從三極管放大器中獲得五極管的功率。圖1a、1b和1c分別示出了將6L6變?yōu)槲鍢O管、實(shí)三極管和
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用開關(guān)模式控制器Si9114組成的高頻高效DC-DC變換器

摘　要：Si9114是Siliconix公司新近推出的電壓變換控制集成電路。它的開關(guān)頻率更高，可達(dá)到1MHz,這樣就可以減小儲能元件的尺寸，使采用陶瓷電容器變成可能，提高了系統(tǒng)的可靠性，降低了成本。Si9114還有同步輸出引線，使得多個(gè)Si9114的并聯(lián)工作很容易實(shí)現(xiàn)。本文就Si9114的工作原理進(jìn)行了分析，并給出了用該電路組成的在電訊領(lǐng)域廣為應(yīng)用的48V到5V的DC-DC變換串的應(yīng)用電路關(guān)鍵詞：電源；開關(guān)；控制；功率；DC變換；軟啟動　 1 引言
關(guān)鍵字：電源開關(guān) 控制功率 DC變換軟啟動模擬IC 電源

帶有串行接口的功率/電能計(jì)量芯片CS5460及其應(yīng)用

摘要：CS5460是CRYSTAL公司最新推出的帶有串行接口的單相雙向功率/電能計(jì)量集成電路芯片，該芯片比目前比較流行的電子電度表芯片如AD7750、AD7755更容易實(shí)現(xiàn)與微處理器的連接。用CS5460可以方便的組成多功能電子式電度表和分布電度表和分布式電能計(jì)量管理系統(tǒng)。本文詳細(xì)地介紹了 CS5460的功能和使用方法。關(guān)鍵詞：CS5460；串行接口；功率/電能；計(jì)量；應(yīng)用 1. 概述 CS5460是CRYSTAL公司最新推出的帶有串行接口的單相雙
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現(xiàn)代功率模塊及器件應(yīng)用技術(shù)(2)

關(guān)鍵字：應(yīng)用技術(shù) 器件模塊功率現(xiàn)代

功率因數(shù)校正和鎮(zhèn)流器控制芯片IR2167

ＩＲ２１６７是完全集成、完全保護(hù)，可驅(qū)動所有類型熒光燈的６００Ｖ電子鎮(zhèn)流器控制芯片。ＰＦＣ電路以臨界導(dǎo)通模式（ＣＣＭ）工作，可獲得很高的功率因數(shù)，
關(guān)鍵字：芯片 IR2167 控制鎮(zhèn)流器因數(shù) 校正功率

現(xiàn)代功率模塊及器件應(yīng)用技術(shù)

最近20年來，功率器件及其封裝技術(shù)的迅猛發(fā)展，導(dǎo)致了電力電子技術(shù)領(lǐng)域的巨大變化。當(dāng)今的市場要求電力電子裝置要具有寬廣的應(yīng)用范圍、量體裁衣的解決方案、集成化、智能化、更小的體積和重量、效率更高的芯片、更加優(yōu)質(zhì)價(jià)廉
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功率MOSFET并聯(lián)均流問題研究

對頻率為MHz級情況下功率MOSFET并聯(lián)均流問題進(jìn)行了研究，詳細(xì)分析了影響功率MOSFET并聯(lián)均流諸因素。通過Q軌跡把器件參數(shù)和外圍電路聯(lián)系起來，得出較大的Q值和適當(dāng)?shù)腖s/Lx有利于并聯(lián)均流。大量的仿真和小功率實(shí)驗(yàn)結(jié)果均表明該方法的正確性。
關(guān)鍵字：研究問題 MOSFET 功率

起直流穩(wěn)壓(流)電子負(fù)載核心作用的功率 MOSFET

設(shè)計(jì)人員都用直流電子負(fù)載來測試電源，如太陽能陣列或電池，但商用直流電子負(fù)載很昂貴。你只要將功率 MOSFET在其線性區(qū)內(nèi)使用，就可制作出自己的直流電子負(fù)載（圖 1）。
關(guān)鍵字：作用功率 MOSFET 核心負(fù)載穩(wěn)壓電子直流

零電壓開關(guān)溫度／功率控制器UAA1016/UAA2016及其應(yīng)用

UAA1016/UAA2016是采用零電壓技術(shù)設(shè)計(jì)的、可驅(qū)動雙向可控硅的溫度／功率控制器集成電路，通過該芯片可實(shí)現(xiàn)電阻性負(fù)載的無RFI功率調(diào)節(jié)。文中介紹了UAA1016/UAA2016的主要特點(diǎn)、基本原理及應(yīng)用電路。
關(guān)鍵字： UAA1016/UAA2016 及其應(yīng)用控制器功率開關(guān) 溫度電壓

W-CDMA手機(jī)應(yīng)充分利用LMV228線性增益射頻功率檢波器

自從寬帶碼分多址 (W-CDMA) 技術(shù)于 1997 年面世以來，便一直成為歐洲、中國及日本等地的電話廠商所共同采用的第三代 (3G) 蜂窩式移動電話標(biāo)準(zhǔn)。W-CDMA 移動電話采用直接順序碼分多址 (DS_CDMA) 技術(shù)，而且其傳送原始數(shù)據(jù)的速度可以高達(dá) 3.84Mbps。
關(guān)鍵字：增益射頻功率線性 LMV228 手機(jī) 充分利用 W-CDMA

小功率工業(yè)遙控器的研制

介紹一種應(yīng)用在工業(yè)現(xiàn)場的具有高可靠性的無線遙控器的研制開發(fā)。
關(guān)鍵字：研制遙控器工業(yè) 功率

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功率介紹

概述　　功率是指物體在單位時(shí)間內(nèi)所做的功，即功率是描述做功快慢的物理量。功的數(shù)量一定，時(shí)間越短，功率值就越大。　　求功率的公式為功率=功/時(shí)間　　求功率的公式也為P=W/t =UI=I方R=U方/R 　　P表示功率，單位是“瓦特”，簡稱“瓦”，符號是“w”。W表示功，單位是“焦耳”，簡稱“焦”，符號是“J”。t表示時(shí)間，單位是“秒”，符號是“s”。因?yàn)閃=F（f 力）*s（s位移）（功的 [ 查看詳細(xì) ]