半導(dǎo)體文章進入半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)

【E課堂】通俗易懂的三極管工作原理

　　本文就三極管的工作原理進行了簡單介紹。　　1、晶體三極管簡介。晶體三極管是p型和n型半導(dǎo)體的有機結(jié)合，兩個pn結(jié)之間的相互影響，使pn結(jié)的功能發(fā)生了質(zhì)的飛躍，具有電流放大作用。晶體三極管按結(jié)構(gòu)粗分有npn型和pnp型兩種類型。如圖2-17所示。(用Q、VT、PQ表示)三極管之所以具有電流放大作用，首先，制造工藝上的兩個特點：(1)基區(qū)的寬度做的非常薄;(2)發(fā)射區(qū)摻雜濃度高，即發(fā)射區(qū)與集電區(qū)相比具有雜質(zhì)濃度高出數(shù)百倍。　　2、晶體三極管的工作原理。　　其次，三極管工作必要條件是(a)在B極
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原爾必達社長將在合肥主導(dǎo)建大型半導(dǎo)體工廠

　　日本經(jīng)濟新聞3月10日獲悉，原爾必達記憶體公司社長坂本幸雄成立的半導(dǎo)體設(shè)計公司兆基科技(Sino King Technology)將在中國主導(dǎo)大規(guī)模半導(dǎo)體生產(chǎn)項目。　　據(jù)悉，兆基科技將在工廠設(shè)備引進和生產(chǎn)計劃制定方面起到核心作用。已簽署由安徽省合肥市政府出資約合8000億日元的協(xié)議，力爭2018年下半年投入運行。　　新成立的是按直徑300毫米矽晶圓計算月產(chǎn)量達到10萬枚的最先進工廠。將量產(chǎn)由兆基科技設(shè)計和開發(fā)的耗電量降低的新一代半導(dǎo)體內(nèi)存。規(guī)模與原爾必達的旗艦工廠廣島工廠相同，預(yù)計成為中國國內(nèi)
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全球最大半導(dǎo)體展SEMICON/FPD China 2016將盛大開幕

　　摘要：　　全球半導(dǎo)體業(yè)界連續(xù)五年規(guī)格最高、規(guī)模最大的“嘉年華”—SEMICON/FPD China 2016 將于3月15-17日在上海新國際博覽中心盛大開幕。這個由國際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會(SEMI)和中國電子商會(CECC)共同主辦的年度盛會，融匯全球最新技術(shù)和產(chǎn)品、匯聚全球產(chǎn)業(yè)精英，結(jié)合《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》和“國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金”的背景，為中國欣欣向榮的“泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)”提供一個融貫中外的全面
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用“互聯(lián)網(wǎng)+”修煉中國半導(dǎo)體市場

　　隨著中國IC市場需求的飛速增長，以及所具備的高度開放的國際化特征，中國迅速成為了全球各大半導(dǎo)體公司最重要的業(yè)務(wù)收入來源地。分析全球前20大半導(dǎo)體公司2014年年報可以發(fā)現(xiàn)，這20家企業(yè)中國市場銷售額在其全球總銷售額的比重，平均值已達47.8%。其中占比較高者，如MTK在中國大陸的銷售額占全球比重已超80%;占比較低者，如Sony在華芯片銷售額的全球占比也超過20%?！　】梢哉f，全球半導(dǎo)體企業(yè)均成為中國IC市場快速發(fā)展的重要受益者。這也詮釋了為何國際半導(dǎo)體業(yè)界乃至有關(guān)國家政府對中國扶持本國IC產(chǎn)業(yè)舉措顯
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半導(dǎo)體芯片出貨量將于2018年超越1兆顆

　　市場研調(diào)機構(gòu)IC Insights預(yù)估，全球半導(dǎo)體芯片出貨量將于2018年突破1兆顆大關(guān)，而到2020年之前平均年成長將達7.2%。　　根據(jù)IC Insights最新發(fā)表的報告，包括IC、感測與離散元件(OSD)在內(nèi)的半導(dǎo)體芯片出貨量將繼續(xù)成長，且將于2018年首度突破1兆顆大關(guān)。　　半導(dǎo)體芯片出貨量自1978年的326億顆成長到2018年的1.022兆顆，過去40年平均年成長幅度達9%，顯見全球?qū)Π雽?dǎo)體芯片的依賴程度與日具增。　　而這40年內(nèi)間半導(dǎo)體出貨量成長幅度最大的1年為1984年的
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大陸半導(dǎo)體業(yè)崛起之姿

這兩年大陸廠商頻頻于半導(dǎo)體領(lǐng)域祭出購并、入股的動作，特別是以紫光為首的上兆人民幣資本規(guī)模涌入行業(yè)，開啟資本運作的浪潮，企圖在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈重組之際取得絕佳的地位，已具備崛起之資。
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半導(dǎo)體企業(yè)高層縱論如何開創(chuàng)未來?

大者恒大，2015年國際半導(dǎo)體巨大的并購金額再次詮釋了這一點，并購之后國內(nèi)半導(dǎo)體應(yīng)該怎樣對待呢？
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芯片業(yè)需要新的業(yè)務(wù)模式

在經(jīng)過半世紀(jì)的持續(xù)成長與創(chuàng)新后，半導(dǎo)體銷售與利潤在消費趨勢、市場動能與創(chuàng)新步伐等方面開始明顯放緩。如果這個產(chǎn)業(yè)正逐漸失去其原有的魔力，那么由此所導(dǎo)致的一連串整并也留下了許多驚嘆號。
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中國新5年規(guī)劃強攻半導(dǎo)體

　　中國政府“十三五”(二○一六至二○年)規(guī)劃草案，透露蛻變成“科技”及“網(wǎng)路”強權(quán)的野心，經(jīng)濟發(fā)展目標(biāo)包括半導(dǎo)體等先進產(chǎn)業(yè) 及在晶片材料、機器人、航空設(shè)備和衛(wèi)星的次世代領(lǐng)域成為世界領(lǐng)先，擬運用“互聯(lián)網(wǎng)+”政策來振興疲弱的經(jīng)濟成長，且相關(guān)研發(fā)經(jīng)費將達GDP的二.五%，高于前五年的二.一%。　　中國政府“十三五規(guī)劃草案，經(jīng)濟發(fā)展目標(biāo)包括半導(dǎo)體等先進產(chǎn)業(yè)及在晶片材料、機器人、航空設(shè)備和衛(wèi)星的次世代
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半導(dǎo)體業(yè)未來：臺灣隊如何打進國際杯？

無論是“臺灣隊”或“大陸隊”，都是以國家力量介入產(chǎn)業(yè)發(fā)展，但產(chǎn)業(yè)興衰基本上是受市場力量支配，政府介入要獲致成功，還須視客觀條件能否配合。
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中科大半導(dǎo)體量子芯片開發(fā)取得重要進展

　　近日，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)郭光燦院士領(lǐng)導(dǎo)的中科院量子信息重點實驗室郭國平研究組在量子芯片開發(fā)領(lǐng)域取得一項重要進展，首次在砷化鎵半導(dǎo)體量子芯片中成功實現(xiàn)了量子相干特性好、操控速度快、可控性強的電控新型編碼量子比特。成果發(fā)表在國際權(quán)威物理學(xué)雜志《物理評論快報》上。　　芯片是現(xiàn)代計算機的核心，“量子芯片”則是未來量子計算機的“大腦”。郭國平研究組多年來致力于半導(dǎo)體量子芯片的開發(fā)，他們此次利用半導(dǎo)體量子點多電子態(tài)軌道的非對稱特性，首次在砷化鎵半導(dǎo)體系統(tǒng)中實現(xiàn)軌道
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韓半導(dǎo)體芯片產(chǎn)量落后臺灣漸失霸主地位

　　據(jù)韓聯(lián)社3月2日報道，美國著名半導(dǎo)體市場調(diào)研機構(gòu)IC Insights2日宣布的2015年12月環(huán)球重要國度和地域半導(dǎo)體芯片產(chǎn)量視察浮現(xiàn)，中國臺灣地域半導(dǎo)體芯片產(chǎn)量市場占據(jù)率達21.7%，位居榜首，以1.2%的薄弱差距領(lǐng)先韓國?！　≈档靡惶岬氖侵袊_灣地域的半導(dǎo)體晶片產(chǎn)量在2011年橫跨日本后，時隔4年又趕超韓國。臺灣半導(dǎo)體工業(yè)生長郁勃的緣故起因之一是以臺灣積體為首的半導(dǎo)體代工企業(yè)的活潑。　　中國臺灣和日本的主打產(chǎn)物為200mm晶圓芯片，韓國則是最大的300mm新型晶圓芯片出產(chǎn)國。連年來，半
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臺灣廠商半導(dǎo)體產(chǎn)能超越韓國成為全球第一

　　根據(jù)市場研究機構(gòu)IC Insights的最新報告，臺灣廠商在2015年取代韓國同業(yè)，成為半導(dǎo)體晶圓廠產(chǎn)能全球第一;總計臺灣半導(dǎo)體廠商產(chǎn)能佔據(jù)全球總產(chǎn)能21.5%，高出韓國的20.5%?！　C Insights的統(tǒng)計是將各家晶片製造商位于海外據(jù)點的產(chǎn)能也計算在內(nèi);該機構(gòu)指出，以區(qū)域市場來看，2015年亞洲、北美、與歐洲對全球半導(dǎo)體產(chǎn)能的貢獻度與上一年度相較略有下滑，但其他區(qū)域包括新加坡、以色列與馬來西亞則有些微增加?！　≡?015年，臺灣、韓國、日本與中國半導(dǎo)體業(yè)者佔據(jù)全球半導(dǎo)體總
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半導(dǎo)體二極管參數(shù)常用符號及其意義

　　文章介紹了半導(dǎo)體二極管參數(shù)符號及其意義　　CT---勢壘電容　　Cj---結(jié)(極間)電容，表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下，鍺檢波二極管的總電容　　Cjv---偏壓結(jié)電容　　Co---零偏壓電容　　Cjo---零偏壓結(jié)電容　　Cjo/Cjn---結(jié)電容變化　　Cs---管殼電容或封裝電容　　Ct---總電容　　CTV---電壓溫度系數(shù)。在測試電流下，穩(wěn)定電壓的相對變化與環(huán)境溫度的絕對變化之比　　CTC---電容溫度系數(shù)　　Cvn---標(biāo)稱電容　　IF---正向直流電流(正向測試電流)。鍺檢波二
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運用材料工程解決半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)拐點的挑戰(zhàn)

　　今年，半導(dǎo)體行業(yè)將迎來幾大重要的技術(shù)拐點。存儲器制造商正逐步轉(zhuǎn)向3D NAND技術(shù)，從而以更低的單位成本打造性能更出眾、密度更高的存儲設(shè)備。我們預(yù)計2016年所有主要存儲器制造商都將實現(xiàn)3D NAND器件的批量生產(chǎn)。　　由平面結(jié)構(gòu)向3D NAND器件的過渡將帶來一系列生產(chǎn)工藝上的新要求，促進了由材料所推動的芯片尺寸縮微，推升了對新材料、新工藝技術(shù)的需求。在這個背景下，對厚度和一致性能夠進行精確的、原子級層到層控制的新型沉積和蝕刻設(shè)備，對于制造多層堆疊存儲單元來說至關(guān)重要。此外，隨著越來越多支持圖案
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半導(dǎo)體介紹

semiconductor 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細 ]