臺(tái)積電 文章 進(jìn)入臺(tái)積電技術(shù)社區(qū)
臺(tái)積電之后又一大廠或?qū)⒖s減開支，晶圓代工吹起寒風(fēng)
- 隨著半導(dǎo)體行業(yè)步入下行、調(diào)整周期，此前高歌猛進(jìn)的晶圓代工產(chǎn)業(yè)逐漸步伐放緩，以應(yīng)對(duì)寒冬。1三星或?qū)⒖s減晶圓代工開支韓媒最新消息顯示，為應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體需求疲軟，三星電子可能縮減晶圓代工投資。業(yè)界人士透露，三星今年的晶圓投資支出可能低于去年，估計(jì)回到2020年及2021年的12萬億韓元（約96億美元）水平。目前來看，資本支出收斂并未影響三星新廠進(jìn)度。近期三星電子首席執(zhí)行官Kyung Kye-hyun在社交媒體上表示，公司位于美國(guó)的泰勒晶圓廠建設(shè)進(jìn)展順利，將在今年內(nèi)完工，明年投產(chǎn)。2臺(tái)積電將適當(dāng)收緊資本支出稍早之前，
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蘋果可能將是臺(tái)積電3nm工藝唯一主要客戶，高通聯(lián)發(fā)科尚未決定
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，在三星電子的3nm制程工藝量產(chǎn)近半年之后，臺(tái)積電的3nm制程工藝也已在去年12月29日正式開始商業(yè)化量產(chǎn)，為相關(guān)的客戶代工晶圓。雖然比三星3nm工藝量產(chǎn)晚了半年，但是在良率上一直被認(rèn)為遠(yuǎn)超三星。臺(tái)積電CEO劉德音還表示，相比于5nm工藝，3nm工藝的邏輯密度將增加60%，相同速度下功耗降低30-35%，這將是最先進(jìn)的工藝。有消息人士稱，臺(tái)積電3nm的主要客戶今年可能只有蘋果一家，有望在蘋果M2 Pro芯片上首次應(yīng)用，后面的A17仿生芯片也會(huì)跟進(jìn)。在報(bào)道中，相關(guān)媒體也提到高通和聯(lián)發(fā)科這兩大智
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淘汰FinFET 升級(jí)革命性GAA晶體管：臺(tái)積電重申2025量產(chǎn)2nm
- 在今天的說法會(huì)上，臺(tái)積電透露了新一代工藝的進(jìn)展，3nm工藝已經(jīng)開始量產(chǎn)，2023年放量，有多家客戶下單，再下一代的是2nm工藝，臺(tái)積電CEO重申會(huì)在2025年量產(chǎn)。與3nm工藝相比，臺(tái)積電2nm工藝會(huì)有重大技術(shù)改進(jìn)， 放棄FinFET晶體管，改用GAA晶體管， 后者是面向2nm甚至1nm節(jié)點(diǎn)的關(guān)鍵，可以進(jìn)一步縮小尺寸。相比3nm工藝，在相同功耗下， 2nm速度快10~15%；相同速度下，功耗降低25~30%。不過2nm工藝的晶體管密度可能會(huì)擠牙膏了，相比3nm只提升了10%，
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Galaxy S23全系首發(fā)超頻版驍龍8 Gen2：棄用臺(tái)積電 自家代工
- 據(jù)三星海外官方日前宣布，將于2月1日舉行Galaxy Unpacked活動(dòng)，屆時(shí)三星新一代年度旗艦Galaxy S23系列將正式與大家見面。而隨著發(fā)布時(shí)間的日益臨近，外界關(guān)于該機(jī)的爆料已經(jīng)非常密集?，F(xiàn)在有最新消息，近日有外媒進(jìn)一步帶來了該機(jī)處理器方面的更多細(xì)節(jié)。據(jù)外媒最新發(fā)布的信息顯示，與此前曝光的消息基本一致，全新的三星Galaxy S23系列旗艦將全系搭載驍龍8 Gen2處理器，而不會(huì)再在部分市場(chǎng)推出自家Exynos處理器版本。值得注意的是，該系列機(jī)型將搭載的驍龍8 Gen2并非已經(jīng)上市的其他第二代驍
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老美打了水漂？臺(tái)積電扯下美芯“遮羞布”，我國(guó)芯片原來這么強(qiáng)大
- 此前美方一直在大肆炒作臺(tái)積電赴美建廠的消息，還對(duì)外聲稱“美國(guó)芯”將重新回歸優(yōu)勢(shì)地位。可針對(duì)此番表態(tài)，美國(guó)媒體卻表達(dá)了不同的看法。美媒認(rèn)為臺(tái)積電赴美帶來的3、4nm制程工藝并不會(huì)讓美國(guó)芯片“再次偉大”，反而會(huì)擠壓美本土芯片廠商的生存空間，而真正讓美國(guó)芯片喪失競(jìng)爭(zhēng)力的原因?qū)嶋H上是中國(guó)芯片的崛起。長(zhǎng)期對(duì)華技術(shù)封鎖，為何沒能保住美國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)的“遮羞布”？一、優(yōu)勢(shì)盡失長(zhǎng)期以來，美國(guó)芯片企業(yè)一直都是靠著自身在產(chǎn)業(yè)鏈上游的位置來彰顯其在行業(yè)內(nèi)的優(yōu)勢(shì)地位，很多企業(yè)每年憑借手中的專利授權(quán)就可以賺得盆滿缽滿，不過現(xiàn)在這種技術(shù)
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臺(tái)積電 2023 年資本支出有望逼近 400 億美元，再創(chuàng)新高
- IT之家 1 月 3 日消息，據(jù)臺(tái)灣地區(qū)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，供應(yīng)鏈傳出，臺(tái)積電因未來三年增長(zhǎng)所需，在先進(jìn)制程臺(tái)灣地區(qū)擴(kuò)產(chǎn)與投資研發(fā)、美日擴(kuò)產(chǎn)、成熟制程升級(jí)等三大動(dòng)力驅(qū)動(dòng)下，今年資本支出有望逼近 400 億美元（約 2768 億元人民幣），再創(chuàng)新高。臺(tái)積電一向不評(píng)論市場(chǎng)數(shù)據(jù)，公司預(yù)計(jì) 1 月 12 日召開法說會(huì)，屆時(shí)有望公布最新的資本支出計(jì)劃。IT之家了解到，法人透露，臺(tái)積電日前在美國(guó)加州舉辦投資者活動(dòng)時(shí)，釋出在臺(tái)灣地區(qū)持續(xù)擴(kuò)充先進(jìn)制程，已啟動(dòng) 2 納米與 1 納米投資規(guī)劃的大方向，美國(guó)、日本等地新廠
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臺(tái)媒：臺(tái)積電2023年資本支出有望逼近400億美元
- 臺(tái)灣《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》1月3日消息，供應(yīng)鏈傳出，臺(tái)積電因應(yīng)未來三年成長(zhǎng)所需，在先進(jìn)制程臺(tái)灣擴(kuò)產(chǎn)與投資研發(fā)、美日海外擴(kuò)產(chǎn)、成熟制程升級(jí)等三大動(dòng)力驅(qū)動(dòng)下，今年資本支出有望逼近400億美元（逾新臺(tái)幣1.2萬億元），再創(chuàng)新高，換算年增5.6%起跳，不受半導(dǎo)體市場(chǎng)短線庫存調(diào)整影響。臺(tái)積電一向不評(píng)論市場(chǎng)數(shù)據(jù)，公司預(yù)計(jì)1月12日召開法說會(huì)，屆時(shí)有望釋出最新資本支出計(jì)劃。
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臺(tái)積電正式量產(chǎn)3nm芯片，并宣布2nm廠落地新竹和臺(tái)中
- 鈦媒體App 12月29日消息，晶圓代工龍頭臺(tái)積電（TPE:2330/NYSE:TSM）今天在臺(tái)南科學(xué)園區(qū)Fab 18廠新建工程基地舉行3納米（nm）量產(chǎn)暨擴(kuò)廠典禮，正式宣布3nm芯片即日起開始量產(chǎn)。臺(tái)積電表示，這是該公司在先進(jìn)制程締造的重要里程碑。臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音（Mark Liu）在演講中表示，今天3nm制程良率已經(jīng)和5nm量產(chǎn)同期良率相當(dāng)，臺(tái)積電已經(jīng)與客戶開發(fā)新的產(chǎn)品，并開始量產(chǎn)，應(yīng)用在超級(jí)電腦、云計(jì)算、數(shù)據(jù)中心、高速通訊網(wǎng)絡(luò)以及許多智能設(shè)備，包括未來的AR/VR等。而相較于5nm，3nm制程邏輯
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俄官員：臺(tái)積電拒絕發(fā)貨已生產(chǎn)的俄自研芯片
- “代工俄羅斯自研處理器的境外制造商拒絕在2022年完成訂單，包括運(yùn)輸已生產(chǎn)的芯片。” 當(dāng)?shù)貢r(shí)間12月19日，俄羅斯《生意人報(bào)》援引俄數(shù)字發(fā)展、通信和大眾傳媒部部長(zhǎng)馬克蘇特 沙達(dá)耶夫的話稱，如果之前訂購(gòu)且生產(chǎn)的那批Elbrus、Baikals處理器能順利交付，該國(guó)今年本可制造更多基于俄國(guó)產(chǎn)CPU的PC和服務(wù)器?！ 渡馊藞?bào)》報(bào)道截圖 “知識(shí)產(chǎn)權(quán)和所有文件都是俄羅斯的，但俄羅斯卻沒有工廠可以生產(chǎn)這些CPU，這就是為什么要委托境外廠商代工。”沙達(dá)耶夫說道?！ ?jù)俄羅斯數(shù)字發(fā)展、通信和大眾傳媒部統(tǒng)計(jì)，若只
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臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音：3nm 需求非常強(qiáng)勁，是世界上最先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)
- IT之家 12 月 29 日消息，臺(tái)積電今日上午在臺(tái)南科學(xué)園區(qū)舉辦 3 納米量產(chǎn)暨擴(kuò)廠典禮，正式宣布啟動(dòng) 3 納米大規(guī)模生產(chǎn)。據(jù)臺(tái)媒中央社報(bào)道，臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音表示，晶圓 18 廠是臺(tái)積電 5 納米及 3 納米生產(chǎn)重鎮(zhèn)，總投資金額將達(dá) 1.86 萬億新臺(tái)幣（約 4222.2 億元人民幣），預(yù)計(jì)將創(chuàng)造 1.13 萬個(gè)直接高科技工作機(jī)會(huì)。另據(jù)臺(tái)灣地區(qū)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，劉德音稱 3 納米制程良率與 5 納米量產(chǎn)時(shí)的良率相當(dāng)，是世界最先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)，應(yīng)用
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無需3nm工藝 全球首顆商用存內(nèi)計(jì)算SoC問世：功耗低至1毫安
- 臺(tái)積電明年就要宣布量產(chǎn)3nm工藝，這是當(dāng)前最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝，然而3nm這樣的工藝不僅成本極高，同時(shí)SRAM內(nèi)存還有無法大幅微縮的挑戰(zhàn)，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體芯片公司知存科技今年3月份推出了WTM2101芯片，是全球首顆商用存內(nèi)計(jì)算SoC。存內(nèi)計(jì)算是一種新型架構(gòu)的芯片，相比當(dāng)前的計(jì)算芯片采用馮諾依曼架構(gòu)不同， 存內(nèi)計(jì)算是計(jì)算與數(shù)據(jù)存儲(chǔ)一體，可以解決內(nèi)存墻的問題，該技術(shù)60年代就有提出，只是一直沒有商業(yè)化。知存科技的WTM2101芯片是國(guó)際首顆商用存內(nèi)計(jì)算SoC芯片，擁有高算力存內(nèi)計(jì)算核，相對(duì)于NPU、DSP
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受客戶砍單影響，消息稱臺(tái)積電明年 Q1 營(yíng)收將環(huán)比減少 15%
- IT之家 12 月 28 日消息，據(jù)臺(tái)媒中央社報(bào)道，市場(chǎng)傳出臺(tái)積電明年第一季度受客戶砍單影響，產(chǎn)能利用率恐顯著滑落。相關(guān)報(bào)道指出，終端消費(fèi)力度疲軟，半導(dǎo)體庫存水位高漲，臺(tái)積電在大客戶聯(lián)發(fā)科、AMD 等紛紛砍單情況下，明年第一季度產(chǎn)能利用率恐顯著滑落，季度營(yíng)收將環(huán)比減少 15%。對(duì)此，法人表示，受客戶調(diào)節(jié)庫存影響，臺(tái)積電明年第一季度業(yè)績(jī)恐將自今年第四季度的高點(diǎn)滑落，應(yīng)為明年?duì)I運(yùn)低谷，預(yù)期隨著庫存調(diào)整告一段落，第二季度營(yíng)運(yùn)可望緩步回溫。IT之家了解到，法人指出，因通貨膨脹及能源成本上升，臺(tái)
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定了！臺(tái)積電3納米下周量產(chǎn)
- 12月25日，據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，臺(tái)積電總裁魏哲家此前預(yù)告“3納米今年內(nèi)在臺(tái)灣地區(qū)量產(chǎn)”的承諾即將兌現(xiàn)。12月23日，臺(tái)積電發(fā)出活動(dòng)邀請(qǐng)，12月29日將在南科舉辦3納米量產(chǎn)暨擴(kuò)廠典禮。此前，魏哲家在法說會(huì)上提到，3納米進(jìn)度符合預(yù)期，具備良好良率并將在第四季度量產(chǎn)，在高速運(yùn)算和智能手機(jī)應(yīng)用驅(qū)動(dòng)下，客戶對(duì)3納米需求超過產(chǎn)能。此外，魏哲家承諾2納米工藝2025年量產(chǎn)時(shí)會(huì)是“最領(lǐng)先的技術(shù)”。臺(tái)積電多次預(yù)告今年內(nèi)在南科量產(chǎn)3納米。南科晶圓18廠是3納米制程的主要生產(chǎn)基地，3納米制程技術(shù)將是5納米（N5）制程技術(shù)之后的另一個(gè)
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臺(tái)積電下周舉行3納米量產(chǎn)典禮 臺(tái)媒稱宣示深耕臺(tái)灣決心
- 日前，臺(tái)積電發(fā)出活動(dòng)通知，預(yù)計(jì)12月29日在臺(tái)南科學(xué)園區(qū)的晶圓18廠新建工程基地，舉行3納米量產(chǎn)暨擴(kuò)廠典禮，屆時(shí)將有上梁儀式。業(yè)界認(rèn)為，由于臺(tái)積電過往先進(jìn)制程量產(chǎn)罕有舉辦實(shí)體活動(dòng)，此舉意義重大。據(jù)臺(tái)灣地區(qū)媒體經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，臺(tái)積電擴(kuò)大美國(guó)投資，外派工程師赴美支援，引發(fā)“去臺(tái)化”、掏空臺(tái)灣疑慮，即將舉行的3納米量產(chǎn)暨擴(kuò)廠典禮，罕見以實(shí)際行動(dòng)宣示持續(xù)深耕臺(tái)灣的決心，化解外界疑慮。報(bào)道指出，相較于對(duì)手三星（Samsung）于今年6月30日搶先宣布3納米GAA技術(shù)量產(chǎn)，并于7月25日在京畿道華城廠區(qū)內(nèi)盛大舉行3納米
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臺(tái)積電拿下特斯拉4納米芯片訂單
- 業(yè)內(nèi)人士透露，臺(tái)積電在亞利桑那州的美國(guó)新工廠已獲得特斯拉的4納米芯片訂單，預(yù)計(jì)將于2024年開始量產(chǎn)。消息人士稱，當(dāng)臺(tái)積電亞利桑那工廠開始履行其先進(jìn)自動(dòng)駕駛芯片的訂單時(shí)，特斯拉可能成為臺(tái)積電亞利桑那工廠的前3大客戶之一。特斯拉技術(shù)約領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手3~5年，先前與臺(tái)積電合作多時(shí)，最后2019年特斯拉卻將自駕芯片Hardware 3.0交由三星14納米、7納米制程代工生產(chǎn)。但隨著AI運(yùn)算能力與安全性需求大增，三星因7納米以下制程良率與效能不佳，即使代工報(bào)價(jià)再便宜，特斯拉也不得不回頭與臺(tái)積電合作，業(yè)界盛傳Hard
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 特斯拉 4nm
臺(tái)積電介紹
臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司(Taiwan Semiconductor)
臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司網(wǎng)站:http://www.tsmc.com.tw/ 英文
臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司簡(jiǎn)介
臺(tái)積公司于1987年在新竹科學(xué)園區(qū)成立，是全球第一家的專業(yè)集成電路制造服務(wù)公司。身為業(yè)界的創(chuàng)始者與領(lǐng)導(dǎo)者，臺(tái)積公司是全球規(guī)模最大的專業(yè)集成電路制造 [ 查看詳細(xì) ]
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