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NAND Flash買氣急凍 通路庫存塞車
- NAND Flash經(jīng)歷2個月價格狂飆后,近期市場買氣一夕轉(zhuǎn)淡,記憶體模組廠紛因庫存急增,開始出現(xiàn)驚慌失措。模組廠表示,3、4月NAND Flash漲價時,通路商一度擔(dān)心會缺貨,因而囤積不少庫存,然5月NAND Flash市場卻出乎意外地很快冷卻下來,由于消費者需求不振,導(dǎo)致中間通路商手上庫存整個塞住,并造成16Gb產(chǎn)品現(xiàn)貨價跌破4美元心理關(guān)卡,合約價漲勢亦熄火,模組廠5月同時面臨NAND Flash和DRAM需求不振,恐將反應(yīng)在營收表現(xiàn)上。 模組廠表示,2009年第1季NAND Flash市場
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存儲器業(yè)或已過景氣谷底 但前景仍未見光明
- 存儲器芯片產(chǎn)業(yè)景氣在歷經(jīng)兩年來的大滑坡之後,看來似乎已經(jīng)落底,但未來恐難重拾昔日科技業(yè)金雞母的豐采。 更慘的是,部分分析師認(rèn)為近期存儲器芯片價格上漲,讓迫切需要進(jìn)行的產(chǎn)業(yè)重整工作受阻,使得產(chǎn)業(yè)仍呈現(xiàn)過度擁擠狀態(tài),易于受到周期性景氣榮枯的沖擊。 “除了產(chǎn)業(yè)龍頭三星電子之外,其他動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)業(yè)者都必需想出對策以保留現(xiàn)金及繼續(xù)存活。”富邦投顧研究部協(xié)理李克揚(yáng)表示。 長期來看,部分業(yè)者很難獨自走出活路。 臺灣政府今年稍早成立臺灣存儲器公司(TM
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美媒:內(nèi)存大廠美光 準(zhǔn)備進(jìn)軍LED與太陽能領(lǐng)域
- 根據(jù)《埃達(dá)荷政治家報》網(wǎng)站報導(dǎo),DRAM大廠Micron Technology正對外尋求資金以擴(kuò)展 LED制造業(yè)務(wù),且同時考慮生產(chǎn)太陽能板。 美國埃達(dá)荷州政府看好Micron的未來表現(xiàn),亦積極向美國能源部申請,由該州能源資源局撥款500萬美元。 由于DRAM業(yè)務(wù)虧損連連,Micron索性裁員并關(guān)閉部份產(chǎn)線,連閃存部門也分拆出去與 Intel(英特爾) 共組合資企業(yè)IM Flash Technologies LLC。 有意改變營運重心的Micron,逐漸將眼光放在技術(shù)水準(zhǔn)類似,獲利卻更
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海力士、LG、三星和Silicon Image建立下一代內(nèi)存接口技術(shù)規(guī)范
- 海力士半導(dǎo)體公司(Hynix Semiconductor, Inc.,other-otc:HXSCF)、LG Electronics (KRX:066570)、三星電子株式會社(other-otc:SSNLF) 和Silicon Image公司日前宣布組成一個行業(yè)聯(lián)盟,推廣串行端口內(nèi)存技術(shù)(SPMT?)在市場的應(yīng)用,努力使之成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。作為首個針對動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)的內(nèi)存規(guī)范,SPMT將首先把目光對準(zhǔn)手機(jī)市場,推動產(chǎn)生能夠運行數(shù)據(jù)高度密集的富媒體應(yīng)用、同時電池壽命更長的新一代移動設(shè)備。
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Gartner:Q1內(nèi)存銷售同比降41% 三星表現(xiàn)最好
- 據(jù)市場研究公司Gartner本周一發(fā)表的初步統(tǒng)計數(shù)字顯示,全球DRAM內(nèi)存行業(yè)今年第一季度繼續(xù)萎縮,銷售收入下降到了8年以來的最低的并且繼續(xù)增加虧損。 Gartner稱,今年第一季度全球DRAM內(nèi)存行業(yè)的銷售收入是35.7億美元,同比下降了41%,是2001年第四季度以來銷售收入最低的。第一季度的數(shù)字還顯示比去年第四季度43.8億美元的銷售收入減少了18%。 DRAM內(nèi)存行業(yè)的下降是從兩年前開始的,過多地建設(shè)工廠導(dǎo)致了內(nèi)存芯片過剩。全球經(jīng)濟(jì)衰退減少了內(nèi)存芯片向PC的銷售進(jìn)一步損害了DRAM
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DRAM廠走出悲情 無薪假進(jìn)入尾聲
- DRAM產(chǎn)業(yè)的春天逐漸來臨,臺系DRAM廠包括力晶、南亞科、華亞科等將逐漸縮短員工無薪假,力晶從5月底開始,無薪假由塬本8天縮短為4天;南亞科除12吋廠因轉(zhuǎn)換制程之故,部分生產(chǎn)線人員未能如期歸隊,內(nèi)部評估將提早結(jié)束這波無薪假;華亞科亦表示,已減少休無薪假的員工數(shù)和天數(shù),逐漸增加12吋廠投片量。顯示近期DRAM價格上揚(yáng),對于搖搖欲墜的DRAM產(chǎn)業(yè)果然是一帖特效藥! 隨著晶圓代工、面板廠紛取消無薪假,這次終于輪到DRAM廠,力晶、南亞科、華亞科都將陸續(xù)縮短無薪假的天數(shù),將大部分員工召回公司上班,目前
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三星預(yù)估DRAM增長10-15% 分析師稱過于保守
- 韓國電子公司三星宣布,預(yù)估今年DRAM出貨量將增長10-15%,而NAND閃存出貨則估計上漲25-30%。 三星高層曾在 4月表示,預(yù)估廣泛用于個人電腦的DRAM芯片,在今(2009)年出貨量將有10%-15%的增長,由去年10月的預(yù)估值降下來。 在互聯(lián)網(wǎng)上公開的簡報文件顯示,三星也預(yù)期專用于消費性電子設(shè)備的NAND,今年出貨將增長25-30%。 三星近兩年來經(jīng)歷了嚴(yán)酷的低迷時期,而在大量減產(chǎn)調(diào)整庫存后,今年經(jīng)濟(jì)情況才開始有起色。 盡管三星對于生產(chǎn)過剩的風(fēng)險相當(dāng)謹(jǐn)慎,分析師卻對
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春燕歸 Q2封裝產(chǎn)能拉至85%
- 今年第一季封裝測試大廠賠多賺少,力成(6239)以每股稅后純益1.31元,穩(wěn)居類股每股盈余獲利王,力成董事長蔡篤恭與國內(nèi)存儲器顆粒廠熟識,內(nèi)存廠面對去年以來景氣嚴(yán)苛沖擊,各家財務(wù)狀況也面對有史以來最大挑戰(zhàn),然在生死存亡之際,蔡篤恭認(rèn)為,下半年主流顆粒價格將有機(jī)會挑戰(zhàn)每顆1.5美元,一線大廠有機(jī)會挑戰(zhàn)獲利。 大廠減產(chǎn)DRAM再跌不易 從第一季底開始,DRAM現(xiàn)貨價、合約價呈現(xiàn)大幅上揚(yáng)走勢,目前已經(jīng)達(dá)每顆1.3美元之上,創(chuàng)下今年度以來新高紀(jì)錄,根據(jù)蔡篤恭的預(yù)估,一線廠商三星電子、爾必達(dá)、海力士
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尹啟銘:TMC投入多少等計劃書才能確定
- DRAM價格走揚(yáng),讓DRAM產(chǎn)業(yè)景氣似乎有回溫跡象,不過,臺灣“經(jīng)濟(jì)部長”尹啟銘認(rèn)為,臺灣當(dāng)局還是會繼續(xù)推動TMC的成立。他說,TMC沒有產(chǎn)能,著重的是技術(shù)研發(fā),這是目前臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)比較欠缺的部分,至于要投入多少資金,尹啟銘說,要等營運計劃書完成后,才能確定。 DRAM近來現(xiàn)貨價格走揚(yáng),上游芯片廠四月營收同步成長,一般預(yù)料這將有助業(yè)者營收表現(xiàn)。有人質(zhì)疑,如此一來,臺當(dāng)局原本打算成立的臺灣內(nèi)存公司(TMC),現(xiàn)在是否已經(jīng)沒有繼續(xù)推動的必要,對此,臺灣“經(jīng)濟(jì)部
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DRAM業(yè)自救 臺塑砸百億新臺幣
- DRAM產(chǎn)業(yè)面對臺灣存儲器公司(TMC)成立,已逐漸接受當(dāng)前事實,尤其現(xiàn)階段資金問題仍相當(dāng)窘迫,各家DRAM廠都開始展開自救運動。存儲器業(yè)者透露,臺塑集團(tuán)已撥款逾新臺幣100億元,力挺旗下南亞科和華亞科,宣示力拼DRAM產(chǎn)業(yè)決心;力晶除出售手上瑞晶持股給爾必達(dá)(Elpida),亦傳出12寸晶圓廠有停工計畫;至于茂德中科廠考慮作1個月休1個月。不過,各DRAM廠對于上述說法均不予證實,力晶董事長黃崇仁則表示,只是依季節(jié)性作調(diào)整,依照目前DRAM現(xiàn)貨價格決定投片多少。 臺DRAM廠對于政府整合產(chǎn)業(yè)結(jié)
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DRAM廠不整并 2、3年后仍會出問題
- 臺灣內(nèi)存公司(TMC)成立過程峰回路轉(zhuǎn),力成董事長蔡篤恭對TMC持中立態(tài)度,如果政府覺得DRAM產(chǎn)業(yè)重要,就該救,只是如何救變成見仁見智。蔡篤恭認(rèn)為,臺面上的DRAM廠應(yīng)想辦法以整合方式存活下來,一旦DRAM廠倒閉歸零,就很難再回來了! 蔡篤恭說,隨著DRAM報價回升,產(chǎn)業(yè)整并已經(jīng)錯過最好的時機(jī),但是如果不在這一波整合,過了2年至3年之后,會再面臨相同問題,他認(rèn)為,DRAM廠應(yīng)該拋去過去包袱,忘記過去,也許本來有10分,整合之后降至2分,但是放眼未來,DRAM廠還有機(jī)會從2分回升至5分、6分,反
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Hynix成功研發(fā)世界最高性能移動DRAM
- 韓聯(lián)社4月27日電稱,Hynix(海力士)半導(dǎo)體成功研發(fā)采用54納米技術(shù)的世界最高性能的1Gb移動低電雙倍速率(LPDDR2)動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)產(chǎn)品。Hynix表示,該產(chǎn)品是世界上第一款可以在平均1.2伏的低電壓下實現(xiàn)1066Mbps超高速數(shù)據(jù)傳輸速度的移動DRAM,在工藝技術(shù)、電壓、速度方面具備世界最高性能。 據(jù)介紹,該產(chǎn)品可在平均1.2伏、最低1.14伏的低電壓下工作,接近于現(xiàn)有的1.8伏移動DRAM的50%,并且僅為PC DDR2產(chǎn)品的30%。這意味著,1秒內(nèi)下載5、6部普通長度的
- 關(guān)鍵字: Hynix 納米 DRAM
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對1β dram的理解,并與今后在此搜索1β dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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